量子点基板的制备方法及量子点显示面板技术

本发明专利技术实施例公开一种量子点基板的制备方法及量子点显示面板。在一具体实施方式中，该方法包括：提供第一衬底；在第一衬底上形成包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多个第一挡墙的第一界定部，相邻第一挡墙之间形成用于容纳第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层的间隙；在第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的阻挡部，并在阻挡部的顶部形成第一电极；基于狭缝涂覆工艺分别形成第一至第三量子点层，其中在基于狭缝涂覆工艺形成第一至第三量子点层其中之一时，通过向第一电极施加电信号使阻挡部在第二方向上倾斜，以使得用于容纳正在形成的量子点层的间隙被阻挡部露出且用于容纳另两个量子点层的间隙被阻挡部遮蔽；分离阻挡部，得到量子点基板。得到量子点基板。得到量子点基板。

【技术实现步骤摘要】
量子点基板的制备方法及量子点显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种量子点基板的制备方法及量子点显示面板。

技术介绍

[0002]目前，对于光致发光的量子点(QD)显示面板，通常设计为用蓝光、紫光等短波长短、高能量的激发光对红、绿、蓝三色量子点层进行激发，使红、绿、蓝三色量子点层出射显示光，实现高色域全彩显示，量子点显示面板具有色域广、出光效率高等优点。其中，为了使红、绿、蓝三色量子点层能够较好的吸收激发光，通常会在红、绿、蓝三色量子点层材料中掺杂散射粒子(例如二氧化钛TiO2粒子)，散射粒子的尺寸通常设计的较大，例如在直径在100nm以上。现有的红、绿、蓝三色量子点层的制备工艺通常使用的是喷墨打印工艺，由于红、绿、蓝三色量子点层材料中掺杂的散射粒子尺寸较大且在使用过程中存在散射粒子团聚的风险，因此经常出现喷墨打印的喷头堵塞等问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种量子点基板的制备方法及量子点显示面板，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：
[0005]本专利技术第一方面提供一种量子点基板的制备方法，包括：
[0006]提供第一衬底；
[0007]在所述第一衬底上形成第一界定部，所述第一界定部包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多个第一挡墙，相邻第一挡墙之间形成用于容纳第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层的间隙；
[0008]在所述第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的阻挡部，并在所述阻挡部的顶部形成第一电极；
[0009]基于狭缝涂覆工艺分别形成第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层，其中，在基于狭缝涂覆工艺形成第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层其中之一时，通过向第一电极施加电信号使阻挡部在第二方向上倾斜，以使得用于容纳正在形成的量子点层的间隙被阻挡部露出且用于容纳另两个量子点层的间隙被阻挡部遮蔽；
[0010]分离所述阻挡部，得到包括所述第一衬底、位于所述第一衬底上的第一界定部、多个第一量子点层、多个第二量子点层和多个第三量子点层的量子点基板。
[0011]可选地，所述第一挡墙的顶面形成有沿第一方向延伸的凹槽，所述阻挡部的底面凸起形成有嵌入所述凹槽的第一凸起部。
[0012]可选地，所述沿第一方向延伸的凹槽的轴向截面呈正梯形。
[0013]可选地，所述沿第一方向延伸的阻挡部的轴向截面呈倒梯形。
[0014]可选地，所述阻挡部的材料为负性光刻材料，所述在所述第一挡墙的顶面形成沿
第一方向延伸的阻挡部包括：
[0015]涂覆覆盖第一界定部和露出的第一衬底的阻挡部材料层；
[0016]对所述阻挡部材料层进行曝光显影以形成在所述第一挡墙的顶面上的沿第一方向延伸的阻挡部。
[0017]可选地，所述阻挡部包括靠近所述第一挡墙的第一部和远离所述第一挡墙的第二部，所述第二部形成有沿第二方向凸起的第二凸起部。
[0018]可选地，所述第一电极包括形成在第二凸起部的顶部在第二方向上两端位置的第一子电极和第二子电极。
[0019]可选地，所述阻挡部的材料为负性光刻材料，所述在所述第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的阻挡部包括：
[0020]涂覆覆盖第一界定部和露出的第一衬底的第一阻挡部材料层；
[0021]在所述第一阻挡部材料层的对应第二凸起部的设计区域形成阻光层；
[0022]涂覆覆盖阻光层和露出的第一阻挡部材料层的第二阻挡部材料层；
[0023]对所述第二阻挡部材料层和第一阻挡部材料层进行曝光显影以形成在所述第一挡墙的顶面上的沿第一方向延伸的阻挡部。
[0024]可选地，所述阻光层为半透半反层。
[0025]可选地，所述阻挡部的材料为羟基直链聚酯树脂。
[0026]可选地，
[0027]在所述在所述第一衬底上形成第一界定部之后且在所述在所述第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的阻挡部之前，所述方法还包括：
[0028]在所述第一挡墙的顶面的与阻挡部接触的设计区域形成金属层；
[0029]所述分离所述阻挡部包括：
[0030]基于湿法刻蚀工艺刻蚀所述金属层；
[0031]剥离所述阻挡部。
[0032]可选地，在基于湿法刻蚀工艺刻蚀所述金属层之前，所述分离所述阻挡部还包括：
[0033]形成至少覆盖所述第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层的第一封装层。
[0034]本专利技术第二方面提供一种量子点显示面板，包括利用本专利技术第一方面提供的制备方法制备得到的量子点基板、第二衬底和位于所述第二衬底上的阵列排布的多个子像素区域，所述子像素区域包括发光单元；
[0035]所述量子点基板位于所述发光单元的远离所述第二衬底一侧，所述发光单元位于所述量子点层的远离所述第一衬底一侧，所述发光单元用于向所述第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层出射激发光，以激发所述第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层出射显示光。
[0036]本专利技术的有益效果如下：
[0037]本专利技术所述技术方案，基于可倾斜而露出或遮蔽相邻第一挡墙之间的间隙的阻挡部，可使用相比于喷墨打印而言喷头开口更大的狭缝涂覆工艺，在不使用掩膜板(Mask)的情况下，实现红、绿、蓝三色量子点层的制作，最终得到高色域全彩显示的量子点显示面板。
附图说明
[0038]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0039]图1示出本专利技术实施例提供的量子点基板的制备方法的流程示意图。
[0040]图2
‑
图20示出分别示出本专利技术实施例提供的量子点基板的制备方法中典型步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
[0041]本专利技术中所述的“在
……
上”、“在
……
上形成”和“设置在
……
上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。
[0042]需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而，例如，下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不背离本专利技术的教导。
[0043]在本专利技术中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过相同制备工艺(例如构图工艺等)形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。例如两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺形成，从本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点基板的制备方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成第一界定部，所述第一界定部包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多个第一挡墙，相邻第一挡墙之间形成用于容纳第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层的间隙；在所述第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的阻挡部，并在所述阻挡部的顶部形成第一电极；基于狭缝涂覆工艺分别形成第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层，其中，在基于狭缝涂覆工艺形成第一量子点层、第二量子点层和第三量子点层其中之一时，通过向第一电极施加电信号使阻挡部在第二方向上倾斜，以使得用于容纳正在形成的量子点层的间隙被阻挡部露出且用于容纳另两个量子点层的间隙被阻挡部遮蔽；分离所述阻挡部，得到包括所述第一衬底、位于所述第一衬底上的第一界定部、多个第一量子点层、多个第二量子点层和多个第三量子点层的量子点基板。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一挡墙的顶面形成有沿第一方向延伸的凹槽，所述阻挡部的底面凸起形成有嵌入所述凹槽的第一凸起部。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述沿第一方向延伸的凹槽的轴向截面呈正梯形。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沿第一方向延伸的阻挡部的轴向截面呈倒梯形。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡部的材料为负性光刻材料，所述在所述第一挡墙的顶面形成沿第一方向延伸的阻挡部包括：涂覆覆盖第一界定部和露出的第一衬底的阻挡部材料层；对所述阻挡部材料层进行曝光显影以形成在所述第一挡墙的顶面上的沿第一方向延伸的阻挡部。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡部包括靠近所述第一挡墙的第一部和远离所述第一挡墙的第二部，所述第二部形成有沿第二方向凸起的第二凸起部。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极包括形成在第二凸起部的顶部在第二方向上两端位置的第一子电极和第二子...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德江，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：