微型半导体元件以及微型半导体结构制造技术

本发明专利技术提供一种微型半导体元件以及微型半导体结构。微型半导体元件包括磊晶结构以及光学层。光学层配置于磊晶结构上。光学层为多层膜结构且包括第一膜层、第二膜层以及配置于第一膜层与第二膜层之间的第三膜层。第一膜层的折射率与第二膜层的折射率皆大于第三膜层的折射率。第三膜层的厚度大于第一膜层的厚度与第二膜层的厚度。光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。本发明专利技术的微型半导体元件可让外部光对磊晶结构的影响最小化，以确保磊晶结构本身的特性，可具有较佳的结构可靠度。可具有较佳的结构可靠度。可具有较佳的结构可靠度。

【技术实现步骤摘要】
微型半导体元件以及微型半导体结构


[0001]本专利技术涉及一种半导体元件以及半导体结构，尤其涉及一种微型半导体元件以及微型半导体结构。

技术介绍

[0002]激光转移技术为现行微型半导体元件巨量转移的主流转移技术之一。激光本身为高能量的准直性光源，即使聚焦于特定的移除膜层，依然会有部分光源散射至磊晶结构中，而影响芯片特性与可靠度。

技术实现思路

[0003]本专利技术是针对一种微型半导体元件，其具有较佳的结构可靠度。
[0004]本专利技术还针对一种微型半导体结构，其包括上述的微型半导体元件，可具有较佳的结构可靠度。
[0005]根据本专利技术的实施例，微型半导体元件包括磊晶结构以及光学层。光学层配置于磊晶结构上。光学层为多层膜结构且包括第一膜层、第二膜层以及配置于第一膜层与第二膜层之间的第三膜层。第一膜层的折射率与第二膜层的折射率皆大于第三膜层的折射率。第三膜层的厚度大于第一膜层的厚度与第二膜层的厚度。光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。
[0006]根据本专利技术的实施例，微型半导体结构包括基板以及至少一微型半导体元件。微型半导体元件配置于基板上，且微型半导体元件包括磊晶结构以及光学层。光学层配置于磊晶结构上。光学层为多层膜结构且包括第一膜层、第二膜层以及配置于第一膜层与第二膜层之间的第三膜层。第一膜层的折射率与第二膜层的折射率皆大于第三膜层的折射率。第三膜层的厚度大于第一膜层的厚度与第二膜层的厚度。光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。
[0007]基于上述，在本专利技术的微型半导体元件中，光学层是配置于磊晶结构上，其中光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。借此，可让外部光对磊晶结构的影响最小化，以确保磊晶结构本身的特性，而使本专利技术的微型半导体元件具有较佳的结构可靠度。
附图说明
[0008]图1A是依照本专利技术的一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；
[0009]图1B是图1A中光学层的放大示意图；
[0010]图1C是另一实施例的一种光学层的放大示意图；
[0011]图2是依照本专利技术的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；
[0012]图3是依照本专利技术的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；
[0013]图4是依照本专利技术的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；
[0014]图5是依照本专利技术的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；
[0015]图6是依照本专利技术的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；
[0016]图7是依照本专利技术的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图；
[0017]图8是依照本专利技术的一实施例的一种微型半导体元件的剖面示意图；
[0018]图9是依照本专利技术的另一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图。
[0019]附图标记说明
[0020]10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h:微型半导体结构；
[0021]100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h1、100h2、100h3:微型半导体元件；
[0022]110:磊晶结构；
[0023]112:上表面；
[0024]114:下表面；
[0025]116:周围表面；
[0026]120a、120a
’
、120b、120e、120g、120h1、120h2、120h3:光学层；
[0027]120b1、120g1:第一子光学层；
[0028]120b2、120g2:第二子光学层；
[0029]122a:第一膜层；
[0030]124a:第二膜层；
[0031]125a、125h1、125h2、125h3:光学叠层；
[0032]126a:第三膜层；
[0033]127a:高折射率层；
[0034]129a:低折射率层；
[0035]130、135:电极；
[0036]140:保护层；
[0037]150:可见光反射层；
[0038]160、170:外部光穿透层；
[0039]200a、200b:基板；
[0040]210:移除层；
[0041]E:自发光；
[0042]L1:外部光；
[0043]V:可见光；
[0044]T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8:厚度。
具体实施方式
[0045]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0046]图1A是依照本专利技术的一实施例的一种微型半导体结构的剖面示意图。图1B是图1A中光学层的放大示意图。请同时参考图1A与图1B，在本实施例中，微型半导体结构10a包括基板200a以及至少一微型半导体元件(示意地示出一个微型半导体元件100a)。微型半导体元件100a配置于基板200a上，且微型半导体元件100a包括磊晶结构110以及光学层120a。光
学层120a配置于磊晶结构110上。光学层120a为多层膜结构且包括第一膜层122a、第二膜层124a以及配置于第一膜层122a与第二膜层124a之间的第三膜层126a。第一膜层122a的折射率与第二膜层124a的折射率皆大于第三膜层126a的折射率。第三膜层126a的厚度T3大于第一膜层122a的厚度T1与第二膜层124a的厚度T2。光学层120a对微型半导体元件100a的外部光L1的反射率大于微型半导体元件100a的磊晶结构110的自发光E。特别说明的是，此处省略示出磊晶结构110的N、P型半导体层和发光层，自发光E是自磊晶结构110发出的光。外部光L1则是用来转移微型半导体元件100a的激光光或外部环境光等，而非自磊晶结构110发出的光，在此并不为限。
[0047]详细来说，在本实施例中，基板200a具体化为暂时基板且包括移除层210，其中移除层210配置于光学层120a与基板200a间，且光学层120a的杨氏模量大于移除层210a的杨氏模量。于后续制程时，基板200a与移除层210可以被移除，而剩下微型半导体元件100a，因此目前的微型半导体结构10a属于一种Chip on Carrier(COC)的模式。
[0048]请再参考图1A，本实施例的磊晶结构110具有彼此相对的上表面112与下表面114以及连接上表面112与下表面114的周围表面116。光学层120a是配置于磊晶结构110的上表面112，且自发光E自上表面112透出，意即上表面112为出光面。微型半导体元件100a还可包括电极130、135以及保护层140。电极130、135以及保护层140皆配置于磊晶结构110的下表面114上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型半导体元件，其特征在于，包括：磊晶结构；以及光学层，配置于所述磊晶结构上，所述光学层为多层膜结构，且包括第一膜层、第二膜层以及配置于所述第一膜层与所述第二膜层之间的第三膜层，其中所述第一膜层的折射率与所述第二膜层的折射率皆大于所述第三膜层的折射率，而所述第三膜层的厚度大于所述第一膜层的厚度与所述第二膜层的厚度，且所述光学层对所述微型半导体元件的外部光的反射率大于所述微型半导体元件的所述磊晶结构的自发光。2.根据权利要求1所述的微型半导体元件，其特征在于，所述外部光的反射率大于所述自发光的反射率的2倍。3.根据权利要求2所述的微型半导体元件，其特征在于，所述外部光的波长介于240纳米至400纳米。4.根据权利要求2所述的微型半导体元件，其特征在于，所述光学层具有介于380纳米至440纳米的截止波长。5.根据权利要求1所述的微型半导体元件，其特征在于，所述光学层还包括光学叠层，配置于所述第一膜层与所述第二膜层之间，所述光学叠层包括成对且交替配置的至少一高折射率层与至少一低折射率层，所述至少一低折射率层的厚度大于所述至少一高折射率层的厚度。6.根据权利要求5所述的微型半导体元件，其特征在于，所述第一膜层的厚度或所述第二膜层的厚度小于所述至少一高折射率层的厚度的60％以下。7.根据权利要求1所述的微型半导体元件，其特征在于，所述磊晶结构具有彼此相对的上表面与下表面以及连接所述上表面与所述下表面的周围表面，所述自发光自所述上表面透出，其中所述光学层配置于所述上表面、所述下表面或其组合。8.根据权利要求7所述的微型半导体元件，其特征在于，还包括：可见光反射层，配置于所述磊晶结构的所述上表面且所述光学层配置于所述下表面，或者是，配置于所述磊晶结构的所述下表面且所述光学层配置于所述上表面。9.根据权利要求7所述的微型半导体元...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧瑜萱，赖腾宪，林子旸，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：