一种双8字形磁耦合线圈及磁耦合机构制造技术

技术编号:36808790 阅读:18 留言:0更新日期:2023-03-09 00:31
本发明专利技术涉及磁耦合无线传输技术领域,具体公开了一种双8字形磁耦合线圈及磁耦合机构,该双8字形磁耦合线圈(双8字形线圈)由一根绕线绕制成双8字形,由于双8字形线圈的特殊绕制方式,将双8字形线圈放置在圆形、矩形、双D形和8字形线圈中,能够不受磁场影响,具备与这些线圈均能解耦的特性。本发明专利技术提供的该磁耦合机构,发射端和接收端采用双8字形线圈和圆形、矩形、双D形和8字形线圈中的任意一种构建两个传输通道,可分别用于传输能量和信号,且两个通道的传输互不干扰,实现能量与信号的无干扰同传。本发明专利技术提供的另一磁耦合机构,基于双8字形线圈、矩形线圈和8字形线圈,构建了四个互不干扰的传输通道。扰的传输通道。扰的传输通道。

【技术实现步骤摘要】
一种双8字形磁耦合线圈及磁耦合机构


[0001]本专利技术涉及磁耦合无线传输
,尤其涉及一种双8字形磁耦合线圈及磁耦合机构。

技术介绍

[0002]高集成度的无线设备要求电能传输的同时满足信息交互,比如申请号CN202011327325.2所示的《一种能量信号同传结构及动态无线能量传输系统》方案中,针对能量传输与信号传输,分别采用不同的线圈,并使得各侧的能量线圈与信号线圈相互解耦,从而使得能量传输与信号传输互不影响。目前,针对不同传输通道,为了实现同侧线圈解耦,均采用特定的线圈结构,无法与部分现有的磁耦合线圈(圆形、矩形、双D形和8字形等)实现解耦。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种双8字形磁耦合线圈及磁耦合机构,解决的技术问题在于:提供一种新的磁耦合线圈,其与部分现有的磁耦合线圈(圆形、矩形、双D形和8字形等)均能实现解耦。
[0004]为解决以上技术问题,本专利技术提供一种双8字形磁耦合线圈(简称双8字形线圈),由一根绕线绕制成双8字形,将该双8字形磁耦合线圈看作由左上矩形线圈、右上矩形线圈、左下矩形线圈、右下矩形线圈组成,则所述左上矩形线圈的绕向与所述右上矩形线圈的绕向左右对称,所述左下矩形线圈的绕向与所述右下矩形线圈的绕向左右对称,所述左上矩形线圈的绕向与所述左下矩形线圈的绕向上下对称,所述右上矩形线圈的绕向与所述右下矩形线圈的绕向上下对称。
[0005]优选的,该双8字形磁耦合线圈的绕制步骤包括:
[0006]1)依次绕制所述左上矩形线圈的左边、上边、右边;
[0007]2)依次绕制所述右上矩形线圈的下边、右边、上边、左边;
[0008]3)依次绕制所述右下矩形线圈的上边、右边、下边、左边;
[0009]4)依次绕制所述左下矩形线圈的上边、左边、下边、右边、上边。
[0010]本专利技术提供的一种双8字形磁耦合线圈,由于双8字形线圈的特殊绕制方式,将双8字形线圈放置在圆形、矩形、双D形和8字形线圈中,能够不受磁场影响,具备与这些线圈均能解耦的特性。
[0011]基于上述双8字形磁耦合线圈,本专利技术还提供一种磁耦合机构,包括发射端和接收端;所述发射端包括下上层叠设置的原边第一线圈和原边第二线圈,所述接收端包括上下层叠设置的副边第一线圈和副边第二线圈,所述原边第一线圈和所述副边第一线圈均采用所述双8字形磁耦合线圈,所述原边第二线圈和所述副边第二线圈均采用矩形线圈。
[0012]具体的,所述原边第二线圈和所述副边第二线圈均采用双D形线圈。
[0013]具体的,所述原边第二线圈和所述副边第二线圈均采用8字形线圈。
[0014]具体的,所述原边第二线圈和所述副边第二线圈均采用圆形线圈。
[0015]本专利技术提供的该磁耦合机构,发射端和接收端采用双8字形线圈和圆形、矩形、双D形和8字形线圈中的任意一种构建两个传输通道,可分别用于传输能量和信号,且两个通道的传输互不干扰,实现能量与信号的无干扰同传。
[0016]基于上述双8字形磁耦合线圈,本专利技术还提供另一种磁耦合机构,包括发射端和接收端;所述发射端包括任意顺序叠置的原边第一路线圈、原边第二路线圈、原边第三路线圈和原边第四路线圈,所述接收端包括任意顺序叠置的副边第一路线圈、副边第二路线圈、副边第三路线圈和副边第四路线圈,所述原边第一路线圈与所述副边第一路线圈组成第一路耦合通道,所述原边第二路线圈与所述副边第二路线圈组成第二路耦合通道,所述原边第三路线圈与所述副边第三路线圈组成第三路耦合通道,所述原边第四路线圈与所述副边第四路线圈组成第四路耦合通道;
[0017]所述原边第一路线圈、所述副边第一路线圈、所述原边第二路线圈、所述副边第二路线圈采用规格相同的8字形线圈,所述8字形线圈采用8字形绕线方式绕制,所述原边第一路线圈、所述副边第一路线圈摆放位置相同,所述原边第二路线圈、所述副边第二路线圈摆放位置相同,所述原边第一路线圈与所述原边第二路线圈摆放位置相互正交;
[0018]所述原边第三路线圈与所述副边第三路线圈采用与所述8字形线圈大小匹配的矩形线圈;
[0019]所述原边第四路线圈与所述副边第四路线圈均采用所述双8字形线圈,其大小与所述8字形线圈适配。
[0020]优选的,所述原边第一路线圈、所述原边第二路线圈、所述原边第三路线圈和所述原边第四路线圈由下至上顺序叠置,所述副边第一路线圈、所述副边第二路线圈、所述副边第三路线圈和所述副边第四路线圈由上至下顺序叠置。
[0021]本专利技术提供的该磁耦合机构,基于双8字形线圈、矩形线圈和8字形线圈,构建了四个互不干扰的传输通道,从而实现在能量传输的过程中,一路信号传输通路出现故障后,信息交互系统能持续工作,以及一路能量传输通路出现故障后,能持续充电。
附图说明
[0022]图1是本专利技术实施例1提供的一种双8字形磁耦合线圈的绕制方法示意图;
[0023]图2是本专利技术实施例1提供的矩形线圈对双8字形线圈的磁场影响示意图;
[0024]图3是本专利技术实施例1提供的8字形线圈在第一摆放位置下的绕制示意图;
[0025]图4是本专利技术实施例1提供的8字形线圈对双8字形线圈的磁场影响示意图;
[0026]图5是本专利技术实施例2提供的磁耦合机构的叠放关系示意图;
[0027]图6是本专利技术实施例2提供的矩形线圈的绕制示意图;
[0028]图7是本专利技术实施例3提供的磁耦合机构的叠放关系示意图;
[0029]图8是本专利技术实施例3提供的8字形线圈在第二摆放位置下的绕制示意图;
[0030]图9是本专利技术实施例3提供的第一路发射线圈对第二路发射线圈的磁场干扰图;
[0031]图10是本专利技术实施例3提供的第一路发射线圈对第三路发射线圈的磁场干扰图;
[0032]图11是本专利技术实施例3提供的第一路发射线圈对第四路发射线圈的磁场干扰图;
[0033]图12是本专利技术实施例3提供的第三路发射线圈对第一路发射线圈的磁场干扰图;
[0034]图13是本专利技术实施例3提供的第三路发射线圈对第二路发射线圈的磁场干扰图;
[0035]图14是本专利技术实施例3提供的第三路发射线圈对第四路发射线圈的磁场干扰图;
[0036]图15是本专利技术实施例3提供的第四路发射线圈对第一路发射线圈的磁场干扰图;
[0037]图16是本专利技术实施例3提供的第四路发射线圈对第三路发射线圈的磁场干扰图。
[0038]附图标记:
[0039]实施例2:原边第一线圈1、原边第二线圈2、副边第一线圈3、副边第二线圈4;
[0040]实施例3:原边第一路线圈11、原边第二路线圈12、原边第三路线圈13、原边第四路线圈14、副边第一路线圈21、副边第二路线圈22、副边第三路线圈23、副边第四路线圈24。
具体实施方式
[0041]下面结合附图具体阐明本专利技术的实施方式,实施例的给出仅仅是为了说明目的,并不能理解为对本专利技术的限定,包本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双8字形磁耦合线圈,其特征在于,该双8字形磁耦合线圈由一根绕线绕制成双8字形,将该双8字形磁耦合线圈看作由左上矩形线圈、右上矩形线圈、左下矩形线圈、右下矩形线圈组成,则所述左上矩形线圈的绕向与所述右上矩形线圈的绕向左右对称,所述左下矩形线圈的绕向与所述右下矩形线圈的绕向左右对称,所述左上矩形线圈的绕向与所述左下矩形线圈的绕向上下对称,所述右上矩形线圈的绕向与所述右下矩形线圈的绕向上下对称。2.根据权利要求1所述的一种双8字形磁耦合线圈,其特征在于,该双8字形磁耦合线圈的绕制步骤包括:1)依次绕制所述左上矩形线圈的左边、上边、右边;2)依次绕制所述右上矩形线圈的下边、右边、上边、左边;3)依次绕制所述右下矩形线圈的上边、右边、下边、左边;4)依次绕制所述左下矩形线圈的上边、左边、下边、右边、上边。3.基于权利要求1或2所述的双8字形磁耦合线圈的磁耦合机构,其特征在于:包括发射端和接收端;所述发射端包括下上层叠设置的原边第一线圈(1)和原边第二线圈(2),所述接收端包括上下层叠设置的副边第一线圈(3)和副边第二线圈(4),所述原边第一线圈(1)和所述副边第一线圈(3)均采用所述双8字形磁耦合线圈,所述原边第二线圈(2)和所述副边第二线圈(4)均采用矩形线圈。4.根据权利要求3所述的磁耦合机构,其特征在于:所述原边第二线圈(2)和所述副边第二线圈(4)均采用双D形线圈。5.根据权利要求3所述的磁耦合机构,其特征在于:所述原边第二线圈(2)和所述副边第二线圈(4)均采用8字形线圈。6.根据权利要求3所述的磁耦合机构,其特征在于:所述原边第二线圈(2)和所述副边第二线圈(4)均采用圆形线圈。7.基于权利要求1或2所述的双8字形磁耦合线圈的磁耦合机构,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:李思平侯祎袁强倪志包清山敖斯汀陈波
申请(专利权)人:重庆前卫无线电能传输研究院有限公司
类型:发明
国别省市:

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