一种硅微电容传声器芯片及其制备方法技术

技术编号:3680789 阅读:165 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种硅微电容传声器芯片及制备方法。该传声器芯片包括硅基片及其上的穿孔背板、隔离层、振动膜和电极,隔离层位于穿孔背板和振动膜之间以便在它们之间形成空气隙,该空气隙具有无尖角的边界。在该制备方法中,在硅基片的上表面之上形成一第一牺牲层,该第一牺牲层具有无尖角的边界;在第一隔离层之上形成一第二牺牲层,该第一牺牲层的被腐蚀速度大于第二牺牲层的被腐蚀速度,从所述硅基片的下表面开始对所述硅基片进行体刻蚀,去除第一牺牲层和一部分第二牺牲层以形成空气隙。本发明专利技术用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法,减小了振动膜的应力,大大提高了振动膜的灵敏度,避免了时效破裂。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅微电容传声器芯片,包括硅基片及其上的穿孔背板、隔离层、振动膜和电极,所述隔离层位于所述穿孔背板和所述振动膜之间,以便在所述穿孔背板和所述振动膜之间形成空气隙;其特征在于,所述空气隙具有无尖角的边界。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐联汪承灏魏建辉黄歆李俊红田静
申请(专利权)人:中国科学院声学研究所
类型:发明
国别省市:11[]

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