一种嵌埋器件封装基板及其制作方法技术

本申请公开了一种嵌埋器件封装基板及其制作方法，制备方法包括：对导体基板进行蚀刻，得到半成品基板；半成品基板包括第一导通区域、孤立导通区域、连接位以及口框区域；连接位用于连接第一导通区域以及孤立导通区域；在半成品基板的下表面贴合粘性临时载板；在口框区域贴装嵌埋器件；在半成品基板的上表面压合第一介质层并去除粘性临时载板；在下表面压合第二介质层；在第一介质层上制作第一导通孔以及第一金属种子层，以及在第二介质层上制作第二导通孔以及第二金属种子层；去除连接位；在第一金属种子层上制作第一线路层以及第一孤立线路层，以及在第二金属种子层上制作第二线路层以及第二孤立线路层。本申请可广泛应用于半导体技术领域内。导体技术领域内。导体技术领域内。

【技术实现步骤摘要】
一种嵌埋器件封装基板及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其是一种嵌埋器件封装基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有技术方案中，最常见的分3种类型：一是CCL起始，机械或镭射方式制备口框；二是coreless流程，使用铜柱为蚀刻通道制备口框；三是采用金属材料(一般是铜)，通过蚀刻，机械方式制备口框。
[0003]现有技术中，CCL方案厚度不好控制，受制于CCL来料厚度，同时使用机械锣或者镭射方式效率很慢，不利于批量生产，成品散热性不佳；coreless流程复杂，成品高，同时由于主要材料是有机料，整体机械强度比较小，某些需要高强度的产品无法胜任，同时散热性也不佳；金属材料蚀刻方式，一般采用双面同时蚀刻方案，当单元内有孤立上下层导通设计时，在蚀刻时孤立上下导通层会脱落，进而影响整体设计，而机械方式制备口框效率低，成本高。因此，亟需一种新的嵌埋器件封装基板制作方法。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0005]为此，本申请实施例的一个目的在于提供一种嵌埋器件封装基板制作方法及半导体，该方法可以提高基板的生产效率和降低成本。
[0006]为了达到上述技术目的，本申请实施例所采取的技术方案包括：对导体基板进行蚀刻，得到半成品基板；所述半成品基板包括第一导通区域、孤立导通区域、连接位以及口框区域；所述连接位用于连接所述第一导通区域以及所述孤立导通区域；在所述半成品基板的下表面贴合粘性临时载板；在所述口框区域贴装嵌埋器件；在所述半成品基板的上表面压合第一介质层并去除所述粘性临时载板；在所述下表面压合第二介质层；在所述第一介质层上制作第一导通孔以及第一金属种子层，以及在所述第二介质层上制作第二导通孔以及第二金属种子层；去除所述连接位；在所述第一金属种子层上制作第一线路层以及第一孤立线路层，以及在第二金属种子层上制作第二线路层以及第二孤立线路层。
[0007]另外，根据本专利技术中上述实施例的一种嵌埋器件封装基板制作方法，还可以有以下附加的技术特征：
[0008]进一步地，本申请实施例中，所述对导体基板进行蚀刻，得到半成品基板这一步骤，具体包括：在所述导体基板的上表面以及下表面贴干膜；对所述干膜进行曝光显影，得到待蚀刻区域；对所述待蚀刻区域进行蚀刻，得到半成品基板。
[0009]进一步地，本申请实施例中，所述导体基板包括：铜基板、铝基板或者铁基板。
[0010]进一步地，本申请实施例中，所述粘性临时载板包括：PP、ABF和PID中的一种或者多种材料组合。
[0011]进一步地，本申请实施例中，所述在所述第一金属种子层上制作第一线路层以及第一孤立线路层，以及在第二金属种子层上制作第二线路层以及第二孤立线路层这一步
骤，具体包括：对所述第一金属种子层以及所述第二金属种子层进行蚀刻工艺，得到第一子线路层、第一孤立线路层、第二孤立线路层以及第二子线路层；在所述第一子线路层以及所述第一孤立线路层上压合第三介质层以及在所述第二孤立线路层以及所述第二子线路层上压合第四介质层；在所述第三介质层上制作第三导通孔以及第三金属种子层，以及在所述第四介质层上制作第四导通孔以及第四金属种子层；对所述第三金属种子层以及所述第四金属种子层进行蚀刻工艺，得到第三子线路层以及第四子线路层；在所述第三子线路层以及第四子线路层上覆盖阻焊层。
[0012]进一步地，本申请实施例中，所述去除所述连接位包括：定向蚀刻所述第一金属种子层以及第二金属种子层，使与所述连接位在垂直于基板方向上投影重合的部分第一介质层以及部分第二介质层外露；去除所述部分第一介质层以及部分第二介质层，以使所述连接位外露；蚀刻去除所述连接位。
[0013]进一步地，本申请实施例中，所述嵌埋器件包括：有源器件、无源器件以及集成电路中的一种或者多种组合。
[0014]进一步地，本申请实施例中，所述对所述第一金属种子层以及所述第二金属种子层进行蚀刻工艺，得到第一子线路层、第一孤立线路层、第二孤立线路层以及第二子线路层，具体包括：在所述第一金属种子层以及所述第二金属种子层上贴光阻膜；对所述光阻膜进行曝光显影，得到第一线路图形以及第二线路图形；对所述第一线路图形以及第二线路图形进行蚀刻，得到第一子线路层、第一孤立线路层、第二孤立线路层以及第二子线路层。
[0015]进一步地，本申请实施例中，所述在所述第一介质层上制作第一导通孔包括：对所述第一介质层进行开窗，形成贯穿所述第一介质层的通孔；对所述通孔进行孔金属化工艺，得到第一导通孔。
[0016]另一方面，本申请还提供一种半导体器件，包括一个或者多个上述权利要求1
‑
9任一项所述的嵌埋器件封装基板制作方法制备得到的封装基板。
[0017]本申请的优点和有益效果将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到：
[0018]本申请可以根据使用导体基板作为工艺起始，替代传统工艺有机树脂层可以增加基板的强度以及器件的散热性能；而在孤立导通区域的制作过程中，本申请采用蚀刻口框并保存保留部分连接位，可以防止基板在制作过程中孤立导通区域脱落失效，可以维持产品结构完整性，而且口框区域使用蚀刻方式制备，相比于传统的机械方式制备，可以提高基板的生产效率和降低成本。
附图说明
[0019]图1为本专利技术中一种具体实施例中一种嵌埋器件封装基板制作方法的步骤示意图；
[0020]图2为本专利技术中一种具体实施例中步骤一的基板结构示意图；
[0021]图3为本专利技术中一种具体实施例中步骤二的基板结构示意图；
[0022]图4为本专利技术中一种具体实施例中步骤三的基板结构示意图；
[0023]图5为本专利技术中一种具体实施例中步骤四的基板结构示意图；
[0024]图6为本专利技术中一种具体实施例中步骤五的基板结构示意图；
[0025]图7为本专利技术中一种具体实施例中步骤六的基板结构示意图；
[0026]图8为本专利技术中一种具体实施例中步骤七的基板结构示意图；
[0027]图9为本专利技术中一种具体实施例中步骤八的基板结构示意图；
[0028]图10为本专利技术中一种具体实施例中步骤九的基板结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面结合附图详细描述本专利技术的实施例对本专利技术实施例中的嵌埋器件封装基板制作方法、系统、装置和存储介质的原理和过程作以下说明。
[0030]参照图1，本专利技术一种嵌埋器件封装基板制作方法，包括以下步骤：
[0031]S1、对导体基板进行蚀刻，得到半成品基板；所述半成品基板包括第一导通区域、孤立导通区域、连接位以及口框区域；所述连接位用于连接所述第一导通区域以及所述孤立导通区域；
[0032]在本申请的一些实施例中，半成品基板是指进行蚀刻后的导体基板，其中导体基板至少可以包括第一导通区域、孤立导通区域、连接位以及口框区域；第一导通区域以及孤立导通区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌埋器件封装基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：对导体基板进行蚀刻，得到半成品基板；所述半成品基板包括第一导通区域、孤立导通区域、连接位以及口框区域；所述连接位用于连接所述第一导通区域以及所述孤立导通区域；在所述半成品基板的下表面贴合粘性临时载板；在所述口框区域贴装嵌埋器件；在所述半成品基板的上表面压合第一介质层并去除所述粘性临时载板；在所述下表面压合第二介质层；在所述第一介质层上制作第一导通孔以及第一金属种子层，以及在所述第二介质层上制作第二导通孔以及第二金属种子层；去除所述连接位；在所述第一金属种子层上制作第一线路层以及第一孤立线路层，以及在第二金属种子层上制作第二线路层以及第二孤立线路层。2.根据权利要求1所述一种嵌埋器件封装基板制作方法，其特征在于，所述对导体基板进行蚀刻，得到半成品基板这一步骤，具体包括：在所述导体基板的上表面以及下表面贴干膜；对所述干膜进行曝光显影，得到待蚀刻区域；对所述待蚀刻区域进行蚀刻，得到半成品基板。3.根据权利要求1所述一种嵌埋器件封装基板制作方法，其特征在于，所述导体基板包括：铜基板、铝基板或者铁基板。4.根据权利要求1所述一种嵌埋器件封装基板制作方法，其特征在于，所述粘性临时载板包括：PP、ABF和PID中的一种或者多种材料组合。5.根据权利要求1所述一种嵌埋器件封装基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属种子层上制作第一线路层以及第一孤立线路层，以及在第二金属种子层上制作第二线路层以及第二孤立线路层这一步骤，具体包括：对所述第一金属种子层以及所述第二金属种子层进行蚀刻工艺，得到第一子线路层、第一孤立线路层、第二孤立线路层以及第二子线路层；在所述第一子线路层以及所述第一孤立线路层上压合第三介质层以及在所述第二孤立线路层以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，杨洋，冯进东，黄本霞，陈建坚，郑军树，张治军，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：