摄像器件制造技术

根据本发明专利技术实施方案的摄像器件包括：第一配线层；第一绝缘膜；和第二绝缘膜。所述第一配线层包括沿一个方向延伸的多条第一配线。所述多条第一配线各者的在与延伸方向正交的截面中的一个表面的至少一个端部处具有切口。所述第一绝缘膜覆盖所述第一配线层的正面。所述第二绝缘膜层叠在所述第一绝缘膜上。所述第二绝缘膜在彼此相邻的所述多条第一配线之间形成了空隙。了空隙。了空隙。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像器件


[0001]本专利技术涉及例如在配线之间具有空隙的摄像器件。

技术介绍

[0002]在半导体装置中，伴随着更微细化的半导体集成电路元件被制造出来，用于元件间及元件内的连接的配线之间的间隔变窄了。关于这一点，例如，专利文献1公开了一种半导体装置，其通过在配线之间形成空隙(空气间隙)来减小配线之间的电容。
[0003]引用文献列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利申请特开第2008
‑
193104号公报

技术实现思路

[0006]顺便提及，近年来，层叠型图像传感器已获得广泛使用，其可靠性还需要提高。
[0007]本专利技术期望提供一种能够提高可靠性的摄像器件。
[0008]根据本专利技术实施方案的摄像器件包括：第一配线层；第一绝缘膜；和第二绝缘膜。所述第一配线层包括沿一个方向延伸的多条第一配线。所述多条第一配线各者的在与延伸方向正交的截面中的一个表面的至少一个端部处具有切口。所述第一绝缘膜覆盖所述第一配线层的正面。所述第二绝缘膜层叠在所述第一绝缘膜上。所述第二绝缘膜在彼此相邻的所述多条第一配线之间形成了空隙。
[0009]在根据本专利技术实施方案的摄像器件中，所述第一配线层包含沿所述一个方向延伸的所述多条第一配线，所述多条第一配线各者的在与延伸方向正交的截面中的所述一个表面的至少一个端部处设置有所述切口。籍此，提高了覆盖所述第一配线层的正面的所述第一绝缘膜的覆盖率。
附图说明
[0010]图1是示出根据本专利技术第一实施方案的配线结构在垂直方向上的截面构造的示例的示意图。
[0011]图2A是示出图1所示的配线结构在水平方向上的截面构造的示例的示意图。
[0012]图2B是示出图1所示的配线结构在水平方向上的截面构造的另一示例的示意图。
[0013]图3A是说明图1所示的配线的截面形状的示例的图。
[0014]图3B是说明图1所示的配线的截面形状的另一示例的图。
[0015]图4A是示出图1所示的配线结构的制造过程的示例的截面示意图。
[0016]图4B是示出图4A之后的制造过程的示例的截面示意图。
[0017]图4C是示出图4B之后的制造过程的示例的截面示意图。
[0018]图4D是示出图4C之后的制造过程的示例的截面示意图。
[0019]图4E是示出图4D之后的制造过程的示例的截面示意图。
[0020]图4F是示出图4E之后的制造过程的示例的截面示意图。
[0021]图4G是示出图4F之后的制造过程的示例的截面示意图。
[0022]图4H是示出图4G之后的制造过程的示例的截面示意图。
[0023]图5是示出根据本专利技术第一实施方案的摄像器件在垂直方向上的截面构造的示例的图。
[0024]图6是示出图5所示的摄像器件的示意性构造的示例的图。
[0025]图7是图1所示的配线结构应用到图5所示的摄像器件的图。
[0026]图8是示出图6所示的感测像素和读出电路的示例的图。
[0027]图9是示出图6所示的感测像素和读出电路的示例的图。
[0028]图10是示出图6所示的感测像素和读出电路的示例的图。
[0029]图11是示出图6所示的感测像素和读出电路的示例的图。
[0030]图12是示出多个读出电路和多条垂直信号线之间的连接方式的示例的图。
[0031]图13是示出图5所示的摄像器件在水平方向上的截面构造的示例的图。
[0032]图14是示出图5所示的摄像器件在水平方向上的截面构造的示例的图。
[0033]图15是示出图5所示的摄像器件在水平面内的配线布局的示例的图。
[0034]图16是示出图5所示的摄像器件在水平面内的配线布局的示例的图。
[0035]图17是示出图5所示的摄像器件在水平面内的配线布局的示例的图。
[0036]图18是示出图5所示的摄像器件在水平面内的配线布局的示例的图。
[0037]图19A是示出图5所示的摄像器件的制造过程的示例的图。
[0038]图19B是示出图19A之后的制造过程的示例的图。
[0039]图19C是示出图19B之后的制造过程的示例的图。
[0040]图19D是示出图19C之后的制造过程的示例的图。
[0041]图19E是示出图19D之后的制造过程的示例的图。
[0042]图19F是示出图19E之后的制造过程的示例的图。
[0043]图19G是示出图19F之后的制造过程的示例的图。
[0044]图20是示出根据本专利技术变形例1的配线结构在垂直方向上的截面构造的示例的示意图。
[0045]图21是示出根据本专利技术变形例1的配线结构在垂直方向上的截面构造的另一示例的示意图。
[0046]图22是示出根据本专利技术变形例1的配线结构在垂直方向上的截面构造的另一示例的示意图。
[0047]图23是示出根据本专利技术变形例1的配线结构在垂直方向上的截面构造的另一示例的示意图。
[0048]图24A是示出根据本专利技术变形例1的配线结构的制造过程的示例的图。
[0049]图24B是示出图24A之后的制造过程的示例的图。
[0050]图24C是示出图24B之后的制造过程的示例的图。
[0051]图24D是示出图24C之后的制造过程的示例的图。
[0052]图25A是示出根据本专利技术变形例1的配线结构的制造过程的另一示例的图。
[0053]图25B是示出图25A之后的制造过程的示例的图。
[0054]图26是示出根据本专利技术变形例2的配线结构在垂直方向上的截面构造的示例的示意图。
[0055]图27是示出根据本专利技术变形例2的配线结构在垂直方向上的截面构造的另一示例的示意图。
[0056]图28是示出图26等所示的配线结构在延伸方向上的截面构造的示例的示意图。
[0057]图29是示出根据本专利技术变形例3的配线结构在垂直方向上的截面构造的示例的示意图。
[0058]图30是示出根据本专利技术第二实施方案的配线构造在垂直方向上的截面构造的示例的示意图。
[0059]图31是说明图30所示的配线结构的各部分的形状的图。
[0060]图32是示出根据本专利技术第三实施方案的配线结构在垂直方向上的截面构造的示例的示意图。
[0061]图33是说明图32所示的配线结构的各部分的形状的图。
[0062]图34是示出根据本专利技术变形例4的摄像器件在垂直方向上的截面构造的示例的图。
[0063]图35是示出根据本专利技术变形例5的摄像器件在垂直方向上的截面构造的示例的图。
[0064]图36是示出根据本专利技术变形例6的摄像器件在水平方向上的截面构造的示例的图。
[0065]图37是示出根据本专利技术变形例6的摄像器件在水平方向上的截面构造的另一示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像器件，包括：第一配线层，其包括沿一个方向延伸的多条第一配线，并且所述多条第一配线各者的在与延伸方向正交的截面中的一个表面的至少一个端部处具有切口；第一绝缘膜，其覆盖所述第一配线层的正面；和第二绝缘膜，其层叠在所述第一绝缘膜上，所述第二绝缘膜在彼此相邻的所述多条第一配线之间形成了空隙。2.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述多条第一配线各者的所述端部相对于所述多条第一配线各者的上表面上的切线具有大于0
°
的角度。3.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述多条第一配线具有相互不同的配线间隔，并且分别设置于所述多条第一配线之间的多个所述空隙被形成在多个凹槽中，所述多个凹槽根据所述相互不同的配线间隔而具有相互不同的深度。4.根据权利要求3所述的摄像器件，其中，所述多条第一配线具有第一间隔和第二间隔以作为所述相互不同的配线间隔，所述第二间隔比所述第一间隔更宽，并且设置于所述第一间隔处的第一空隙各者被形成在第一凹槽中，设置于所述第二间隔处的第二空隙各者被形成在第二凹槽中，所述第一凹槽比所述第二凹槽更深。5.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述多条第一配线具有相互不同的配线间隔，并且分别设置于所述多条第一配线之间的多个所述空隙被形成在多个凹槽中，所述第二绝缘膜覆盖所述多个凹槽的侧面及底面，所述第二绝缘膜根据所述相互不同的配线间隔而具有相互不同的厚度。6.根据权利要求5所述的摄像器件，其中，所述多条第一配线具有第一间隔和第二间隔以作为所述相互不同的配线间隔，所述第二间隔比所述第一间隔更宽，并且设置于所述第一间隔处的第一空隙各者被形成在第一凹槽中，设置于所述第二间隔处的第二空隙各者被形成在第二凹槽中，覆盖所述第一凹槽的侧面及底面的所述第二绝缘膜的厚度小于覆盖所述第二凹槽的侧面及底面的所述第二绝缘膜的厚度。7.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述多条第一配线以彼此大致相同的节距形成。8.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述空隙的顶部被形成在与所述多条第一配线的正面高度大致相同的高度处。9.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述空隙的底部被形成在与所述多条第一配线的底面深度大致相同的深度处。10.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述空隙的顶部被形成在比两侧均形成有所述空隙的所述多条第一配线的正面高度更高的位置处。11.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述空隙的底部被形成在比所述多条第一配线的底面深度更深的位置处。12.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，分别形成于所述多条第一配线之间的多个
所述空隙具有加宽部，所述加宽部从所述多条第一配线之间的区域扩展到所述多条第一配线的底部下方。13.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，分别形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：香川恵永，堀越浩，羽根田雅希，中泽寛，亀嶋隆季，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：