复合屏蔽栅场效应晶体管制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种复合屏蔽栅场效应晶体管，该复合屏蔽栅场效应晶体管包括：一定数目的电极结构，各电极结构均包括：栅极、屏蔽栅和第一源极接触层；屏蔽栅通过凹槽分段设置；栅极设置在屏蔽栅上方；第一源极接触层设置在各段屏蔽栅上方，栅极包括设置在凹槽内的凹槽端以及凹槽外的第一侧端和第二侧端，其中，第一侧端与第二侧端均与凹槽端连接，且第一侧端和第二侧端交错设置于屏蔽栅两侧。本发明专利技术通过第一源极接触层设置在各段屏蔽栅上方，并将栅极凹槽外的第一侧端和第二侧端设置在屏蔽栅两侧，避免了传统屏蔽栅场效应晶体管由于寄生电阻效应和耦合电容效应引起栅极电压变化所导致栅极误开启的现象。起栅极电压变化所导致栅极误开启的现象。起栅极电压变化所导致栅极误开启的现象。

【技术实现步骤摘要】
复合屏蔽栅场效应晶体管


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种复合屏蔽栅场效应晶体管。

技术介绍

[0002]传统的屏蔽栅场效应晶体管是在沟槽栅结构的基础上，引入了屏蔽栅，其相当于一个场板结构，可以提供横向的辅助耗尽，从而在漂移区实现二维电场耗尽，极大的降低漂移区EPI电阻。
[0003]但是，传统的屏蔽栅场效应晶体管由于栅极的阻挡，屏蔽栅只能在两端引出，存在一个较大的寄生电阻，同时，栅极和屏蔽栅之间的氧化层存在一个较大的耦合电容，当漏端电压变化时，由于寄生电阻效应和耦合电容效应，会引起栅极电压的变化，导致栅极误开启。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供了一种复合屏蔽栅场效应晶体管，旨在解决现有技术中屏蔽栅场效应晶体管由于寄生电阻效应和耦合电容效应，会引起栅极电压的变化，导致栅极误开启的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种复合屏蔽栅场效应晶体管，所述复合屏蔽栅场效应晶体管包括：一定数目的电极结构，各电极结构均包括：栅极、屏蔽栅和第一源极接触层；所述屏蔽栅通过凹槽分段设置；所述栅极设置在所述屏蔽栅上方；所述第一源极接触层设置在各段屏蔽栅上方，所述栅极包括设置在所述凹槽内的凹槽端以及凹槽外的第一侧端和第二侧端，其中，所述第一侧端与所述第二侧端均与所述凹槽端连接，且所述第一侧端和所述第二侧端交错设置于所述屏蔽栅两侧。
[0006]可选地，所述电极结构还包括：氧化层；所述氧化层设于所述电极结构中除所述屏蔽栅和所述栅极之外的其他部分。
[0007]可选地，所述复合屏蔽栅场效应晶体管还包括：隔离层；所述隔离层设置于各所述电极结构的上方；所述第一源极接触层设于所述隔离层中。
[0008]可选地，所述复合屏蔽栅场效应晶体管还包括：栅极接触层；所述栅极接触层设置于各所述电极结构两端处的所述第一侧端或所述第二侧端上，且位于所述隔离层中。
[0009]可选地，所述复合屏蔽栅场效应晶体管还包括：体区；所述体区设置于各相邻的所述电极结构之间；相邻的所述电极结构之间以所述体区的方向为轴对称分布。
[0010]可选地，所述复合屏蔽栅场效应晶体管还包括：第二源极接触层；
所述第二源极接触层设于所述隔离层中，且延伸至所述体区内。
[0011]可选地，所述复合屏蔽栅场效应晶体管还包括：源区；所述体区中的所述第二源极金属层两侧存在第一空置区和第二空置区；在相邻的所述电极结构之间，存在所述第一空置区和所述第二空置区的体区设置在相对且邻近设置的栅极之间；所述源区设置在所述第一空置区和所述第二空置区中。
[0012]可选地，所述复合屏蔽栅场效应晶体管还包括：源极金属；所述源极金属设置在所述隔离层上方；所述源极金属与所述第一源极接触层和所述第二源极接触层接触。
[0013]可选地，所述复合屏蔽栅场效应晶体管还包括：漂移区；所述漂移区设于所述体区下方，且与所述体区接触。
[0014]可选地，所述复合屏蔽栅场效应晶体管还包括：衬底；所述衬底设置于所述漂移区的底部，且与所述漂移区接触。
[0015]本专利技术提供了一种复合屏蔽栅场效应晶体管，该复合屏蔽栅场效应晶体管包括：一定数目的电极结构，各电极结构均包括：栅极、屏蔽栅和第一源极接触层；屏蔽栅通过凹槽分段设置；栅极设置在屏蔽栅上方；第一源极接触层设置在各段屏蔽栅上方，栅极包括设置在凹槽内的凹槽端以及凹槽外的第一侧端和第二侧端，其中，第一侧端与第二侧端均与凹槽端连接，且第一侧端和第二侧端交错设置于屏蔽栅两侧。本专利技术通过第一源极接触层设置在各段屏蔽栅上方，并将栅极凹槽外的第一侧端和第二侧端设置在屏蔽栅两侧，避免了传统屏蔽栅场效应晶体管由于寄生电阻效应和耦合电容效应引起栅极电压变化所导致栅极误开启的现象。
附图说明
[0016]图1为本专利技术复合屏蔽栅场效应晶体管实施例的结构示意图；图2为本专利技术复合屏蔽栅场效应晶体管实施例的平面结构示意图；图3为本专利技术复合屏蔽栅场效应晶体管实施例中传统结构的耦合电容示意图；图4为本专利技术复合屏蔽栅场效应晶体管实施例中传统结构的寄生电阻示意图；图5为本专利技术复合屏蔽栅场效应晶体管实施例的第一切面示意图；图6为本专利技术复合屏蔽栅场效应晶体管实施例的第二切面示意图；图7为本专利技术复合屏蔽栅场效应晶体管实施例的第三切面示意图；图8为本专利技术复合屏蔽栅场效应晶体管实施例的第四切面示意图。
[0017]附图标号说明：标号名称标号名称10栅极101第一侧端102第二侧端103凹槽端20屏蔽栅31第一源极接触层40氧化层AA'第一方向BB'第二方向CC'第三方向DD'第四方向50隔离层
11栅极接触层60体区32第二源极接触层601第一空置区602第二空置区70源极金属80漂移区90衬底本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0018]应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例、基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0020]需要说明的是，在本专利技术实施例中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征，另外各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0021]参照图1，图1为本专利技术复合屏蔽栅场效应晶体管实施例的结构示意图。
[0022]如图1所示，本实施例中，所述复合屏蔽栅场效应晶体管包括：一定数目的电极结构，各电极结构均包括：栅极10、屏蔽栅20和第一源极接触层31。
[0023]其中，所述屏蔽栅20通过凹槽分段设置；所述栅极10设置在所述屏蔽栅20上方；所述第一源极接触层31设置在各段屏蔽栅20上方，所述栅极10包括设置在所述凹槽内的凹槽端103以及凹槽外的第一侧端101和第二侧端102，其中，所述第一侧端101与所述第二侧端102均与所述凹槽端连接，且所述第一侧端101和所述第二侧端102交错设置于所述屏蔽栅20两侧。
[0024]为了便于理解，参考图2进行说明，但并不对本方案进行限定。图2为本专利技术复合屏蔽栅场效应晶体管实施例的平面结构示意图，图中，AA'为沿电极结构方向的第一方向，BB'为电极结构中部与第一方向AA'垂直的第二方向，CC'为电极结构中凹槽位置处与第二方向BB'平行的第三方向，DD'为电极结构中第一源极接触层31处与第三方向CC'平行的第四方向，屏蔽栅20上的凹槽交替设置，各凹槽间存在间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，所述复合屏蔽栅场效应晶体管包括：一定数目的电极结构，各电极结构均包括：栅极、屏蔽栅和第一源极接触层；所述屏蔽栅通过凹槽分段设置；所述栅极设置在所述屏蔽栅上方；所述第一源极接触层设置在各段屏蔽栅上方，所述栅极包括设置在所述凹槽内的凹槽端以及凹槽外的第一侧端和第二侧端，其中，所述第一侧端与所述第二侧端均与所述凹槽端连接，且所述第一侧端和所述第二侧端交错设置于所述屏蔽栅两侧。2.如权利要求1所述的复合屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，所述电极结构还包括：氧化层；所述氧化层设于所述电极结构中除所述屏蔽栅和所述栅极之外的其他部分。3.如权利要求2所述的复合屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，所述复合屏蔽栅场效应晶体管还包括：隔离层；所述隔离层设置于各所述电极结构的上方；所述第一源极接触层设于所述隔离层中。4.如权利要求3所述的复合屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，所述复合屏蔽栅场效应晶体管还包括：栅极接触层；所述栅极接触层设置于各所述电极结构两端处的所述第一侧端或所述第二侧端上，且位于所述隔离层中。5.如权利要求4所述的复合屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，所述复合屏蔽栅场效应晶体管还包括：体区；所述体区设置于各相邻的所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱振华，康子楠，张艳旺，张子敏，吴飞，钟军满，
申请(专利权)人：无锡先瞳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：