一种提高防焊均匀性的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高防焊均匀性的方法，包括以下步骤：将有机基材板单元放置于加工工位处；采用镀铜制程工艺沿作用于有机基材板单元的工作面，以形成预设的线路层单元；采用第一热压制程工艺作用于线路层单元，以使得第一防焊层单元能够全部覆盖线路层单元，并利用第一防焊层单元填充全部间隙区域；采用磨削制程工艺作用于第一防焊层单元，以使得线路层单元全部露出；采用第二热压制程工艺作用于线路层单元和第一防焊层单元，以形成第二防焊层单元，裸露的部分线路层单元能够与外部器件电性导通。本发明专利技术至少包括以下优点：利用两次防焊手段、配合磨削技术，能够通过完全填充手段有效避免侧蚀现象的发生。效避免侧蚀现象的发生。效避免侧蚀现象的发生。

【技术实现步骤摘要】
一种提高防焊均匀性的方法


[0001]本专利技术涉及电力
，具体的是一种提高防焊均匀性的方法。

技术介绍

[0002]本部分的描述仅提供与本专利技术公开相关的背景信息，而不构成现有技术。
[0003]随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐进入多功能、高性能的研发方向。目前半导体装置的封装结构是将半导体晶片载板接置于电路板顶面，然后进行打线、覆晶等封装工序。通常的电路板的结构由有机基材板、线路层和防焊层所构成，其制作方法如图1，首先提供一有机基材板，然后利用镀铜制程工艺在有机基材板上形成线路层，最后在线路层的表面热压形成一防焊层。
[0004]在上述制作工艺中仍有需要解决的问题，第一，因有机基材板自身的加工误差、镀铜层的加工误差等，会影响后续防焊层热压后各部分的厚度均匀性，主要是在热压后的防焊层与半导体晶片载板的承接面属于非平面，如此在后续的封装打线结合、覆晶结合等工序中会导致半导体晶片载板与线路层之间的结合性不佳，影响产品寿命和功效；第二，该线路层形成在有机基材板上后，根据设计要求并非全部覆盖线路层，有机基材板和线路层之间还存在部分裸露的部分，为了便于半导体晶片载板有效接置，后续的防焊层也无法填充该裸露的部分，这样在整个加工工艺种，裸露的线路层会受到咬蚀药水的攻击产生etching bias(侧蚀，线路层线路受到咬蚀药水攻击使得线路宽度降低)，限制了细线路以及线路密集类的产品发展。
[0005]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本专利技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0006]为了克服现有技术中的缺陷，本专利技术实施例提供了一种提高防焊均匀性的方法，其利用两次防焊手段、配合磨削技术，能够通过完全填充手段有效避免侧蚀现象的发生。
[0007]本申请实施例公开了：一种提高防焊均匀性的方法，包括以下步骤：
[0008]将有机基材板单元放置于位于水平面内的加工工位处；
[0009]采用镀铜制程工艺沿第一方向作用于所述有机基材板单元的工作面，以在所述有机基材板单元的工作面上形成预设的线路层单元；
[0010]采用第一热压制程工艺沿第一方向作用于所述线路层单元，以使得第一防焊层单元能够全部覆盖所述线路层单元，并利用第一防焊层单元自身的流动性能够填充所述线路层单元与所述有机基材板单元之间形成的全部间隙区域；
[0011]采用磨削制程工艺作用于所述第一防焊层单元，该步骤包括：
[0012]S1：采用磨削制程工艺作用于所述第一防焊层单元，以使得所述第一防焊层单元的上表面由不规则面减薄至水平面；
[0013]S2：采用磨削制程工艺作用于所述第一防焊层单元的水平上表面，以使得所述第一防焊层单元持续减薄直至所述线路层单元的上表面全部露出；
[0014]采用第二热压制程工艺沿第一方向作用于所述线路层单元和第一防焊层单元，以形成能够与外部器件绝缘设置的第二防焊层单元，裸露的部分所述线路层单元能够与外部器件电性导通。
[0015]进一步地，在步骤“以在所述有机基材板单元的工作面上形成预设的线路层单元”中，所述线路层单元沿第一方向设置由多个镂空部，所述镂空部能够延伸至所述有机基材板单元的工作面，以形成所述间隙区域。
[0016]进一步地，在步骤“以形成能够与外部器件绝缘设置的第二防焊层单元”中，所述外部器件包括设置在所述第二防焊层单元上的半导体晶元单元，所述半导体晶元能够横设在所述第二防焊层上，且其向下的部分能够电性连接所述线路层单元。
[0017]进一步地，在步骤“以使得第一防焊层单元能够全部覆盖所述线路层单元”步骤中和步骤“以形成能够与外部绝缘设置的第二防焊层单元”中，所述第一防焊层单元和第二防焊层单元均包括通过预烤、曝光、显影、硬化工序后以能够对线路层单元进行绝缘的防焊油墨。
[0018]进一步地，在步骤“以使得所述第一防焊层单元持续减薄直至所述线路层单元的上表面全部露出”中，所述线路层单元和第一防焊层单元在第一方向上的高度误差在0.5
‑
1μm之间。
[0019]进一步地，在步骤“采用磨削制程工艺作用于所述第一防焊层单元的水平上表面，以使得所述第一防焊层单元持续减薄直至所述线路层单元的上表面全部露出”中，所述线路层单元的厚度在磨削制程工艺之后缩小至预设厚度范围内。
[0020]借由以上的技术方案，本专利技术的有益效果如下：
[0021]1、通过磨削制程工艺，该第一防焊层通过磨削制程工艺使得表面的误差值缩小至0.5
‑
1μm之间，相对于现有技术提高了约70
‑
90％，在第一防焊层的基础上设置的第二防焊层同样具有较好的表面平整性，其误差值也仅在1
‑
2μm之间，，这样在第二防焊层上直接设置该半导体晶体单元，俨然能够有效提高半导体晶元单元和线路层的结合性；亦或通过锡球部的电连接方式，在该第二防焊层表面平整性的保证下，每个所述锡球部露出的部分均能够满足连接需求，也俨然能够有效提高半导体晶元单元和线路层的结合性；
[0022]2、通过第一防焊层，利用该第一防焊层对该线路层的镂空部的完全填充，进而在工艺过程中能够使得该线路层有效避免侧蚀等现象的出现，进而能够满足细线路以及线路密集类的产品的要求。
[0023]为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本专利技术实施例中的
技术介绍
中现有技术的成型结构示意图；
[0026]图2是本专利技术实施例中的成型结构示意图。
[0027]以上附图的附图标记：1、有机基材板单元；2、线路层单元；3、第一防焊层单元；4、间隙区域；5、第二防焊层单元；6、半导体晶元单元。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]需要说明的是，在本专利技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的和区别类似的对象，两者之间并不存在先后顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0030]以下，基于附图对本专利技术的试试方式进行说明。另外，将竖直方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高防焊均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：将有机基材板单元放置于位于水平面内的加工工位处；采用镀铜制程工艺沿第一方向作用于所述有机基材板单元的工作面，以在所述有机基材板单元的工作面上形成预设的线路层单元；采用第一热压制程工艺沿第一方向作用于所述线路层单元，以使得第一防焊层单元能够全部覆盖所述线路层单元，并利用第一防焊层单元自身的流动性能够填充所述线路层单元与所述有机基材板单元之间形成的全部间隙区域；采用磨削制程工艺作用于所述第一防焊层单元，该步骤包括：S1：采用磨削制程工艺作用于所述第一防焊层单元，以使得所述第一防焊层单元的上表面由不规则面减薄至水平面；S2：采用磨削制程工艺作用于所述第一防焊层单元的水平上表面，以使得所述第一防焊层单元持续减薄直至所述线路层单元的上表面全部露出；采用第二热压制程工艺沿第一方向作用于所述线路层单元和第一防焊层单元，以形成能够与外部器件绝缘设置的第二防焊层单元，裸露的部分所述线路层单元能够与外部器件电性导通。2.如权利要求1所述的提高防焊均匀性的方法，其特征在于，在步骤“以在所述有机基材板单元的工作面上形成预设的线路层单元”中，所述线路层单元沿第一方向设置由多个镂空部，所述镂空部能够延伸至所述有机基材板单元的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何银，吴宗凌，苏祐纬，高廷朝，
申请(专利权)人：苏州群策科技有限公司，
类型：发明
国别省市：