发光材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种发光材料及其制备方法和应用。该发光材料的结构如式(I)所示；式(I)中，R1和R2表示苯环上任意位置的取代基；R1和R2分别独立地选自氢、C1

【技术实现步骤摘要】
发光材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及一种发光材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]聚合物发光二极管(PLED)已在商业平板显示器和固态照明应用中显示出具有高对比度、宽色域、低延迟、低成本和低延迟的潜力。能量消耗。而具有热激活延迟荧光(TADF)特性的共轭聚合物因其制造方便和卓越的器件性能而引起了人们极大的兴趣，特别是非掺杂PLED。
[0003]CN106117524A公开了一种侧链含砜基基团的热活化延迟荧光共轭聚合物发光材料及其制备方法与应用。CN108864416A公开了聚合物发光材料及其制备方法和用途，该专利文献中将合适的热激发延迟荧光单元烷基取代的吩噻嗪
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二苯并噻吩砜与主体单元共聚。CN111574431A公开了一种基于咔唑和二苯甲酮衍生物的多功能有机发光材料。CN113493564A公开了一种有机聚合物发光材料，在该材料中年，电子给体和电子受体通过一空间足够、打断共轭的σ连接，即氧原子或硫原子，交替相连。CN114409840A公开了一种聚合物发光材料及其制备方法和应用，该聚合物材料是基于空间电荷转移的聚合物发光材料，是将给受体以不直接相连的方式，仅通过空间电荷转移的形式来实现电荷在给受体之间的传递。
[0004]到目前为止，在优化化学修饰和器件架构方面，非掺杂溶液处理PLED的最大外部量子效率(EQE)已提高。但是，目前发红光的具有TADF特性的材料的发展仍然滞后。例如，开启电压仍待降低。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术的一个目的在于提供一种发光材料。该发光材料为具有热激发延迟荧光性能的发红光材料，其作为发光层形成的器件的开启电压较低。本专利技术的另一个目的在于提供所述发光材料的制备方法。本专利技术的再一个目的在于提供所述发光材料的应用。本专利技术通过以下技术方案实现上述目的。
[0006]一方面，本专利技术提供一种发光材料，其结构如式(I)所示：
[0007][0008]式(I)中，R1和R2表示苯环上任意位置的取代基；R1和R2分别独立地选自氢、C1
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C10直链烷基或C3
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C8环烷基；
[0009]Host为具有调控光物理特性的主体单元；m、a、b、c、d为摩尔百分比，相互独立地选自1％～99％，且m+a+b+c+d＝100％。
[0010]根据本专利技术所述的发光材料，优选地，主体单元Host选自以下结构之一:
[0011][0012]其中，R选自C5
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C15烷基。
[0013]根据本专利技术所述的发光材料，优选地，R1和R2分别独立地选自氢或C1
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C6直链烷基。
[0014]根据本专利技术所述的发光材料，优选地，R1和R2分别独立地选自氢或C1
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C3直链烷基。
[0015]根据本专利技术所述的发光材料，优选地，其结构如式(II)所示：
[0016][0017]其中，m、a、b、c、d为摩尔百分比，相互独立地选自1％～99％，且m+a+b+c+d＝100％。
[0018]根据本专利技术所述的发光材料，优选地，所述发光材料的重均分子量为5000～30000道尔顿，多分散系数为1.5～2.5。
[0019]另一方面，本专利技术还提供一种根据如上所述的发光材料的制备方法，包括如下步骤：
[0020](1)将式(A)所示的化合物进行取代反应，得到式(B)所示的第一中间体；
[0021][0022]式(A)和式(B)中，R1和R2表示苯环上任意位置的取代基；R1和R2分别独立地选自氢、C1
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C10直链烷基或C3
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C8环烷基；式(B)中，X为氯、溴或碘；
[0023](2)将第一中间体与Host的卤代物反应，得到式(I)所示的发光材料；
[0024]其中，Host为具有调控光物理特性的主体单元。
[0025]根据本专利技术所述的制备方法，优选地：
[0026]步骤(1)中，将摩尔比为4.5～5.5:1的N
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卤代琥珀酰亚胺与式(A)所示的化合物反应，得到第一中间体；
[0027]步骤(2)中，将摩尔比为1:8.9～9.5的第一中间体与Host的卤代物在有机镍催化剂的存在下进行偶联反应，得到式(I)所示的聚合物材料。
[0028]再一方面，本专利技术还提供根据如上所述的发光材料在制备有机电致发光器件中的应用。
[0029]又一方面，本专利技术还提供一种有机电致发光器件，包括根据如上所述的发光材料。
[0030]本专利技术的发光材料为具有热激发延迟荧光性能的发红光材料，其作为发光层形成的有机电致发光器件的开启电压较低，亮度仍较高。此外，所形成的器件的效率滚降较小。
附图说明
[0031]图1为本专利技术的实施例所得发光材料的1H NMR谱图。
具体实施方式
[0032]下面结合具体实施例对本专利技术作进一步的说明，但本专利技术的保护范围并不限于此。
[0033]<发光材料>
[0034]本专利技术的发光材料为具有D
n
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A型TADF特性的超支化共轭聚合物(HCP)，可以用于
高性能的红色发光PLED。本专利技术的发光材料的结构如式(I)所示：
[0035][0036]这样的发光材料作为发光层形成的器件的开启电压比较低，且亮度仍较高。这应该是由于由TADF核心的准等效供体诱导的多个分子内电荷转移(ICT)通道，本专利技术的HCP的反向系统间交叉(RISC)过程和单重态激子辐射跃迁得到了极大的促进。基于HCP的快速能量转移过程，位于TADF核心供体片段上的强吸电子氧原子进一步加速了空穴从支链到核心的传输。
[0037]式(I)中，R1和R2表示苯环上任意位置的取代基，亦即，分别为其所在苯环上任意位置的取代基。
[0038]R1独立地选自氢、C1
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C10直链烷基或C3
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C8环烷基；优选地，R1独立地选自氢或C1
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C6直链烷基。更优选地，R1独立地选自氢或C1
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C3直链烷基。
[0039]R2独立地选自氢、C1
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C10直链烷基或C3
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C8环烷基；优选地，R2独立地选自氢或C1
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C6直链烷基。更优选地，R2独立地选自氢或C1
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C3直链烷基。
[0040]C1
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C10烷基的实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基。C3
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C8环烷基的实例包括但不限于环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基。根据本专利技术的一个具体实施方式，R1为氢，R2为氢。
[0041]在本专利技术中，Host为具有调控光物理特性的主体单元。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光材料，其特征在于，其结构如式(I)所示：式(I)中，R1和R2表示苯环上任意位置的取代基；R1和R2分别独立地选自氢、C1
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C10直链烷基或C3
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C8环烷基；Host为具有调控光物理特性的主体单元；m、a、b、c、d为摩尔百分比，相互独立地选自1％～99％，且m+a+b+c+d＝100％。2.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，主体单元Host选自以下结构之一:
其中，R选自C5
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C15烷基。3.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，R1和R2分别独立地选自氢或C1
‑
C6直链烷基。4.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，R1和R2分别独立地选自氢或C1
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C3直链烷基。5.根据权利要求2所述的发光材料，其特征在于，其结构如式(II)所示：
其中，m、a、b、c、d为摩尔百分比，相互独立地选自1％～99％，且m+a+b+c+d＝100％。6.根据权利要求1～5任一项所述的发光材料，其特征在于，所述发光材料的重均分子量为5000～30000道...

【专利技术属性】
技术研发人员：任忠杰，赵振楠，闫寿科，李慧慧，孙晓丽，
申请(专利权)人：北京化工大学，
类型：发明
国别省市：