一种气体混合缓冲装置及半导体工艺系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种气体混合缓冲装置，包括：混合缓冲单元，用于混合气体，所述混合缓冲单元包括：混合缓冲元件；第一连接元件，所述第一连接元件设置于所述混合缓冲元件的一侧，并与所述混合缓冲元件连通，用于供气体流入；第二连接元件，所述第二连接元件设置于所述混合缓冲元件的一侧，并与所述混合缓冲元件连通，用于供气体流出。其优点在于，通过混合缓冲单元可为混合气体进行缓冲，并使得混合气体在混合缓冲单元进一步融合，提升混合气体的混合浓度均匀性；此外，本发明专利技术中的气体混合缓冲装置还具有结构简单，制造难度较低，体积较小，便于在狭窄区域使用等优点。狭窄区域使用等优点。狭窄区域使用等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种气体混合缓冲装置及半导体工艺系统


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种气体混合缓冲装置及半导体工艺系统。

技术介绍

[0002]EPI外延工艺是一个含有硅原子的气体以适当的方式通过衬底，自反应剂分子释放出的原子在衬底上运动直到它们到达适当的位置，并成为生长源的一部分，在适当的条件下就得到单一的晶向。所得到的外延层精确地为单晶衬底的延续。硅外延生长其意义是在具有一定晶向的硅单晶衬底上生长一层具有和衬底相同晶向的电阻率与厚度不同的晶格结构完整性好的晶体。半导体分立元器件和集成电路制造工艺需要外延生长技术，因半导体其中所含的杂质有N型和P型，通过不同类型的组合，使半导体器件和集成电路具有各种各样的功能，应用外延生长技术就能容易地实现。硅外延生长方法，目前国际上广泛的采用化学气相沉积生长方法满足晶体的完整性、器件结构的多样化，装置可控简便，批量生产、纯度的保证、均匀性要求。
[0003]为了使半导体器件得到所需要求的电参数，用P型或N型杂质对外延层进行掺杂是必要的。器件的效果取决于掺杂浓度的准确控制和掺杂剂浓度沿外延层的纵向分布。外延层中的杂质原子是在生长过程中被结合到外延层的晶格中。杂质的沉淀过程与外延生长过程相似，也存在质量传输和表面化学反应控制两个区域.但杂质源和硅源的化学动力学不同,情况更为复杂。杂质的掺入效率不但依赖于生长温度，同时每种掺杂剂都有其自身的特征。一般情况下，硅的生长速率相对稳定。硼的掺入量随生长温度上升而增加，而磷和砷却随生长温度的生长温度的上升而下降。
[0004]中国专利技术专利CN113441023A公开了一种气体混合机构、进气管路结构及半导体工艺设备，包括掺杂气体和携带气体分别通过掺杂气体支管和携带气体支管进入到气体混合腔体内，实现掺杂气体和携带气体的混合。然而，这种气体混合方式为现混现用的形式，混合气体的浓度均匀性不高；现有技术方案随结构简单，但在安装过程中占地面积较大，不利于狭小空间的使用。
[0005]如图1所示，中国专利技术专利CN214635484U公开了一种非预混旋流式气体混合缓冲装置，包括气体输送内管(2)和气体输送外管(1)，气体输送内管(2)通过支架(3)同轴安装在气体输送外管(1)内，混合气体通过气体输送内管(2)输送至第一叶片(6)和第二叶片(8)处，将混合气体排到导流圆锥(9)和导流槽(10)中，进一步输送到腔体中(11)，实现混合气体的浓度均匀性提升。然而，该方案整体结构较为复杂，且制造难度高；技术方案中的气体输送内管(2)需通过支架(3)固定，可靠性不强。此外，在该技术方案中，由于输送管路较长，占地面积较大，不利于狭小空间使用，还对混合气体的输送效率产生影响。
[0006]目前针对相关技术中存在的混合气体的浓度均匀性不高、混气装置结构复杂以及混合气体的输送效率较低等问题，尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的是针对现有技术中的不足，提供一种气体混合缓冲装置及半导体工艺系统，以解决相关技术中存在的混合气体的浓度均匀性不高、混气装置结构复杂以及混合气体的输送效率较低等问题。
[0008]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是：
[0009]第一方面，本专利技术提供一种气体混合缓冲装置，包括：
[0010]混合缓冲单元，用于混合气体，所述混合缓冲单元包括：
[0011]混合缓冲元件；
[0012]第一连接元件，所述第一连接元件设置于所述混合缓冲元件的一侧，并与所述混合缓冲元件连通，用于供气体流入；
[0013]第二连接元件，所述第二连接元件设置于所述混合缓冲元件的一侧，并与所述混合缓冲元件连通，用于供气体流出。
[0014]在其中的一些实施例中，还包括：
[0015]进气单元，所述进气单元设置于所述混合缓冲单元的内部，并与所述第一连接元件连通，用于将经所述第一连接元件流入的气体输送至所述混合缓冲元件的深处。
[0016]在其中的一些实施例中，所述进气单元包括：
[0017]至少一第一进气元件，所述第一进气元件与所述第一连接元件连通。
[0018]在其中的一些实施例中，所述进气单元还包括：
[0019]至少一第二进气元件，所述第二进气元件倾斜于所述第一进气元件设置，所述第二进气元件与对应的所述第一进气元件连通。
[0020]在其中的一些实施例中，所述进气单元还包括：
[0021]至少一第三进气元件，所述第三进气元件为盘状结构，所述第三进气元件与对应的所述第一进气元件连通。
[0022]在其中的一些实施例中，所述进气单元还包括：
[0023]若干排气元件，若干所述排气元件分布设置于所述进气单元。
[0024]在其中的一些实施例中，还包括：
[0025]驱动单元，所述驱动单元与所述进气单元连接，用于驱动所述进气单元旋转。
[0026]在其中的一些实施例中，所述驱动单元包括：
[0027]第三连接元件，所述第三连接元件连通所述第一连接元件和所述进气单元；
[0028]驱动元件，所述驱动元件与所述混合缓冲元件连接，并驱动所述进气单元旋转；
[0029]支撑元件，所述支撑元件设置于所述混合缓冲元件的内部，并分别与所述驱动元件、所述第三连接元件、所述混合缓冲元件连接。
[0030]在其中的一些实施例中，还包括：
[0031]泄压单元，所述泄压单元设置于所述混合缓冲元件的一侧，用于对所述混合缓冲元件泄压。
[0032]在其中的一些实施例中，所述混合缓冲单元还包括：
[0033]第四连接元件，所述第四连接元件设置于所述混合缓冲元件的一侧，与所述混合缓冲元件连通，并与所述泄压单元连接。
[0034]在其中的一些实施例中，所述泄压单元包括：
[0035]第五连接元件，所述第五连接元件与所述混合缓冲元件连接；
[0036]压力监测元件，所述压力监测元件与所述第五连接元件连接，用于监测所述混合缓冲元件的内部压力；
[0037]泄压元件，所述泄压元件与所述第五连接元件连接，用于在所述压力监测元件的压力达到预设压力阈值的情况下，对所述混合缓冲元件泄压。
[0038]第二方面，本专利技术提供一种半导体工艺系统，包括如第一方面所述的气体混合缓冲装置。
[0039]本专利技术采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：
[0040](1)通过混合缓冲单元可为混合气体进行缓冲，并使得混合气体在混合缓冲单元进一步融合，提升混合气体的混合浓度均匀性；专利技术气体混合缓冲装置还具有结构简单，制造难度较低，体积较小，便于在狭窄区域使用等优点；
[0041](2)通过进气单元可延伸混合气体在气体缓冲罐你的流动路径，进一步的对混合气体进行缓冲，并使得混合气体在混合缓冲单元进一步融合，提升混合气体的混合浓度均匀性；
[0042](3)通过驱动单元带动进气单元旋转，进而使得掺杂气体和携带气体初步混合的气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体混合缓冲装置，其特征在于，包括：混合缓冲单元，用于混合气体，所述混合缓冲单元包括：混合缓冲元件；第一连接元件，所述第一连接元件设置于所述混合缓冲元件的一侧，并与所述混合缓冲元件连通，用于供气体流入；第二连接元件，所述第二连接元件设置于所述混合缓冲元件的一侧，并与所述混合缓冲元件连通，用于供气体流出。2.根据权利要求1所述的气体混合缓冲装置，其特征在于，还包括：进气单元，所述进气单元设置于所述混合缓冲单元的内部，并与所述第一连接元件连通，用于将经所述第一连接元件流入的气体输送至所述混合缓冲元件的深处。3.根据权利要求2所述的气体混合缓冲装置，其特征在于，所述进气单元包括：至少一第一进气元件，所述第一进气元件与所述第一连接元件连通。4.根据权利要求3所述的气体混合缓冲装置，其特征在于，所述进气单元还包括：至少一第二进气元件，所述第二进气元件倾斜于所述第一进气元件设置，所述第二进气元件与对应的所述第一进气元件连通；和/或至少一第三进气元件，所述第三进气元件为盘状结构，所述第三进气元件与对应的所述第一进气元件连通。5.根据权利要求2所述的气体混合缓冲装置，其特征在于，所述进气单元还包括：若干排气元件，若干所述排气元件分布设置于所述进气单元。6.根据权利要求2所述的气体混合缓冲装置，其特征在于，还包括：驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：范威威，纪雪峰，陈亮，
申请(专利权)人：上海良薇机电工程有限公司，
类型：发明
国别省市：