本发明专利技术涉及一种巨量转移方法及巨量转移装置，包括：提供衬底，多个微型发光二极管生长于衬底的表面。提供临时胶层，通过临时胶层，将临时基板粘接微型发光二极管。去除衬底，以暴露微型发光二极管。通过喷涂装置，将胶体点涂于待转移的微型发光二极管背离其电极的一侧。以及通过转移基板，将微型发光二极管转移至显示基板，其中转移基板设有多个凸台。本发明专利技术提出的巨量转移方法及巨量转移装置，可以提高转移效率与准确性。移效率与准确性。移效率与准确性。
【技术实现步骤摘要】
一种巨量转移方法及巨量转移装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种巨量转移方法及巨量转移装置。
技术介绍
[0002]Micro
‑
LED(Micro
‑
Light Emitting Diode，微型发光二极管)作为新一代显示技术，与传统的液晶显示技术相比，由于具有发光亮度更高，色彩还原力更好以及降低功耗等优势广受青睐。在微型发光二极管的转移过程中，一般通过连续喷胶方式来制作转移模块，将微型发光二极管从待转移基板转移至显示基板。上述微型发光二极管芯片转移方法工艺较为复杂，转移效率低，同时也无法进行选择性转移。
[0003]因此，如何实现微型发光二极管便捷、高效的转移是亟需解决的问题。
技术实现思路
[0004]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种巨量转移方法及巨量转移装置，旨在解决微型发光二极管的选择性转移问题，以提高微型发光二极管芯片的转移效率。
[0005]一种巨量转移方法，包括：
[0006]提供衬底，多个微型发光二极管生长于所述衬底的表面；
[0007]提供临时胶层；
[0008]通过所述临时胶层，将临时基板粘接所述微型发光二极管；
[0009]去除所述衬底，以暴露所述微型发光二极管；
[0010]通过喷涂装置，将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离其电极的一侧；以及
[0011]通过转移基板，将所述微型发光二极管转移至显示基板，其中所述转移基板设有多个凸台。
[0012]上述巨量转移方法通过将胶体点涂于待转移的微型发光二极管背离其电极的一侧实现对微型发光二极管进行选择性转移，提高了微型发光二极管芯片的转移效率。
[0013]可选地，在点涂胶体于待转移的所述微型发光二极管之前，所述方法还包括：对部分所述临时胶层进行刻蚀，以去除相邻所述微型发光二极管之间的所述临时胶层。
[0014]可选地，在点涂胶体于待转移的所述微型发光二极管之前，所述方法还包括：去除所述微型发光二极管正投影区域内的部分所述临时胶层。减少了微型发光二极管和临时胶层的粘接面积，进一步减弱了微型发光二极管和临时胶层之间的粘结力。
[0015]可选地，所述临时胶层刻蚀至所述临时基板，以暴露所述临时基板。去除了不必要的临时胶层。
[0016]可选地，将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离所述电极的一侧，包括：将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离其电极的一侧，并通过喷涂时间来控制点涂所述胶体的厚度，且所述胶体的厚度范围为5μm～20μm。
[0017]可选地，所述喷涂装置包括喷嘴，且所述喷嘴的孔径范围为5μm～80μm。
[0018]可选地，所述凸台在所述临时基板的投影面积大于所述微型发光二极管在所述临时基板的投影面积。提高了抓取待转移的微型发光二极管的准确率。
[0019]可选地，去除所述衬底后，所述转移基板与所述微型发光二极管之间的粘结力高于所述微型发光二极管与所述临时胶层之间的粘结力。
[0020]可选地，所述胶体在所述微型发光二极管表面形成凸起部，在转移过程中，所述凸台连接所述凸起部。
[0021]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种巨量转移装置，包括：
[0022]激光器，用于发射激光束，且所述激光束用于去除衬底；
[0023]喷涂装置，用于点涂胶体于待转移的微型发光二极管；以及
[0024]转移基板，多个凸台设置于所述转移基板一侧。
[0025]上述巨量转移装置，通过在微型发光二极管表面点涂胶体，利用凸台结构将微型发光二极管转移至显示基板上。解决了转移基板上的凸台沟道之间由于胶材填充量过多而干扰转移过程的问题。实现了对微型发光二极管芯片的选择性拾取，提高了巨量转移的准确性和转移效率。
附图说明
[0026]图1为本申请在一实施例中的巨量转移方法的流程示意图；
[0027]图2为本申请在一实施例中的巨量转移方法的衬底示意图；
[0028]图3为本申请在一实施例中的巨量转移方法的临时基板粘接芯片示意图；
[0029]图4为本申请在一实施例中的巨量转移方法的去除衬底过程示意图；
[0030]图5为本申请在一实施例中的巨量转移方法的去除衬底后的芯片示意图；
[0031]图6为本申请在一实施例中的巨量转移方法的临时胶层弱化结构示意图；
[0032]图7为本申请在一实施例中的巨量转移方法的胶体示意图；
[0033]图8为本申请在一实施例中的巨量转移方法的转移基板示意图；
[0034]图9为本申请在一实施例中的巨量转移方法的转移基板工作示意图；
[0035]图10为本申请在一实施例中的巨量转移方法的转移基板结构示意图；
[0036]图11为本申请在一实施例中的巨量转移方法的胶体状态示意图；
[0037]图12为本申请在一实施例中的巨量转移方法的点涂胶体后的芯片示意图；
[0038]图13为本申请在一实施例中的巨量转移装置的激光器示意图；
[0039]图14为本申请在一实施例中的巨量转移装置的转移接头结构示意图；
[0040]图15为本申请在一实施例中的巨量转移装置的喷涂装置结构示意图。
[0041]附图标记说明：
[0042]10
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衬底；
[0043]20
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微型发光二极管；
[0044]30
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临时胶层；
[0045]40
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临时基板；
[0046]50
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胶体；
[0047]60
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转移基板；
[0048]601
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凸台；
[0049]70
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激光器；
[0050]80
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转移接头；
[0051]90
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喷涂装置；
[0052]901
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主体；
[0053]902
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喷嘴。
具体实施方式
[0054]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0055]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
[0056]在微型发光二极管的转移过程中，一般通过连续喷胶方式来制作转移本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：提供衬底，多个微型发光二极管生长于所述衬底的表面；提供临时胶层；通过所述临时胶层，将临时基板粘接所述微型发光二极管；去除所述衬底，以暴露所述微型发光二极管；通过喷涂装置，将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离其电极的一侧；以及通过转移基板，将所述微型发光二极管转移至显示基板，其中所述转移基板设有多个凸台。2.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在点涂胶体于待转移的所述微型发光二极管之前，所述方法还包括：对部分所述临时胶层进行刻蚀，以去除相邻所述微型发光二极管之间的所述临时胶层。3.如权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，在点涂胶体于待转移的所述微型发光二极管之前，所述方法还包括：去除所述微型发光二极管正投影区域内的部分所述临时胶层。4.如权利要求3所述的巨量转移方法，其特征在于，所述临时胶层刻蚀至所述临时基板，以暴露所述临时基板。5.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员：翟峰，萧俊龙，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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