具有抗干扰功能的EAS与RFID双频标签制造技术

本实用新型专利技术公开了具有抗干扰功能的EAS与RFID双频标签，涉及RFID标签技术领域，包括基材、正面金属天线、导电胶、RFID芯片、EAS天线、内嵌Loop环路区、第一金属隔离线和第二金属隔离线。本实用新型专利技术可适应群读盘点、结算、防盗等应用环境，具有很强是市场应用性；通过内嵌Loop环路区设计，保证芯片端场强能量产生聚集效应，提升RFID标签性能，同时芯片端位于非边缘处，预留安全生产区域；辐射区采用L型折叠+直连线形结构设计，折叠结构可提升天线的辐射效率及读距性能；直连结构可提升标签的抗介质功能；EAS与RFID标签金属隔离线设计使得产品性能具有很好的抗干扰能力。性能具有很好的抗干扰能力。性能具有很好的抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】
具有抗干扰功能的EAS与RFID双频标签


[0001]本技术涉及RFID标签
，具体为具有抗干扰功能的EAS与RFID双频标签。

技术介绍

[0002]射频识别，RFID(Radio Frequency Identification)技术，又称无线射频识别，是一种通信技术，可通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据，而无需识别系统与特定目标之间建立机械或光学接触。
[0003]RFID行业的发展进程中，越来越多的需求应用给提出，包括针对不同的应用环境，在传统或者新兴行业中，都对RFID标签提出了更高的需求与应用效果，常规的服装管理标签无法满足资产盘点、结算及防盗的需求。同时由于疫情影响以及国内外贸易因素，使得RFID行业处于缺“芯”的困境中，大部分芯片均为国外进口，故国产芯片的及时导入是当下缓解芯片短缺的有效措施。现有超高频标签组成包括基材、正面金属天线、导电胶、芯片，正面金属天线附着于基材上方，导电胶位于金属天线上方，连接金属天线与芯片。常规RFID超高频标签通过接收电磁波获得能量以激活本身往外固定方向辐射电磁波，进行射频信息传输通讯。
[0004]现有的RFID服装管理标签仅有盘点、结算功能(如图1)，而EAS标签为常用的防盗标签(如图2)，为实现服装行业的高要求，若简单将RFID标签与EAS标签合并放在一起，由于两款标签相互干扰，相互耦合，使得整体标签性能差异大，产品生产一致性差，导致终端体验不佳；故现有RFID服装标签无法满足行业市场需求，产品竞争力不高。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供具有抗干扰功能的EAS与RFID双频标签，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术提供如下技术方案：具有抗干扰功能的EAS与RFID双频标签，包括基材、正面金属天线、导电胶、RFID芯片和EAS天线，所述RFID芯片和EAS天线均设于导电胶表面，所述导电胶表面设有内嵌Loop环路区，所述内嵌Loop环路区设有与RFID芯片相匹配的嵌入槽，所述导电胶表面于RFID芯片和EAS天线之间设有第一金属隔离线和第二金属隔离线，所述第一金属隔离线与内嵌Loop环路区连接，且第一金属隔离线位于辐射区内侧，所述第二金属隔离线设于第一金属隔离线和EAS天线之间。
[0007]进一步的，所述正面金属天线设于基材表面，所述导电胶设于正面金属天线顶部，所述RFID芯片通过导电胶与正面金属天线连接。
[0008]进一步的，所述正面金属天线的长度为5～100mm、高度为5～100mm、线宽为：0.2～5mm、线距为0.2～5mm。
[0009]进一步的，所述内嵌Loop环路区线宽度为0.2～5mm、长度为0.2～100mm。
[0010]进一步的，所述第一金属隔离线采用L型折叠+直连线形结构设计，所述第一金属
隔离线靠近RFID芯片的一边为折叠型结构，所述第一金属隔离线位于EAS天线两侧位置为直连型结构。
[0011]进一步的，所述第一金属隔离线和第二金属隔离线的线宽为0.5～5mm，所述第二金属隔离线线形为直线、曲线或不同间隔比例的虚线。
[0012]与现有技术相比，本技术所达到的有益效果是：
[0013]1、本技术可适应群读盘点、结算、防盗等应用环境，具有很强是市场应用性；通过内嵌Loop环路区设计，芯片位于内嵌区域，保证芯片端场强能量产生聚集效应，提升RFID标签性能，同时芯片端位于非边缘处，预留安全生产区域；另外可兼容国内外芯片，无需更换线形设计，方便开发拓展，保证产品竞争力；辐射区采用L型折叠+直连线形结构设计，折叠结构可增大天线的有效长度，提升天线的辐射效率及读距性能；直连结构可提升标签的抗介质功能；
[0014]2、本技术中EAS与RFID标签金属隔离线设计，可降低EAS与RFID标签两两耦合所导致的性能差异，产生隔离场强信号作用，从而可减少EAS与RFID间距差异对产品整体性能的影响，标签场强越稳定，使得产品性能具有很好的抗干扰能力；具有抗干扰功能的EAS与RFID双频标签在常规环境下性能(读距)可达8
‑
10米，优于其他双频标签，提高了经济效益，具有很强的实用性。
附图说明
[0015]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0016]图1是现有的RFID服装管理标签示意图；
[0017]图2是现有的EAS标签示意图；
[0018]图3是本技术的主视图；
[0019]图4是本技术的俯视图；
[0020]图5是本技术内嵌Loop环路区的示意图；
[0021]图中：1、基材；2、正面金属天线；3、导电胶；4、RFID芯片；5、EAS天线；6、内嵌Loop环路区；7、第一金属隔离线；8、第二金属隔离线。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]如图1
‑
图5所示的具有抗干扰功能的EAS与RFID双频标签，包括基材1、正面金属天线2、导电胶3、RFID芯片4和EAS天线5，所述RFID芯片4和EAS天线5均设于导电胶3表面，所述导电胶3表面设有内嵌Loop环路区6，所述内嵌Loop环路区6设有与RFID芯片4相匹配的嵌入槽，所述导电胶3表面于RFID芯片4和EAS天线5之间设有第一金属隔离线7和第二金属隔离线8，所述第一金属隔离线7与内嵌Loop环路区6连接，且第一金属隔离线7位于辐射区内侧，所述第二金属隔离线8设于第一金属隔离线7和EAS天线5之间；采用EAS+RFID是双频标签组
合设计，其中两者间使用金属隔离线，辐射区间隔折叠设计以及直连线形设计，此法可实现标签具有很强的抗干扰性能以及较优读距，以适应特殊的应用需求；芯片位于内嵌区域，采用芯片+内嵌环路设计思路替代常规loop环路区，采用内嵌设计，保证芯片端场强能量产生聚集效应，提升RFID标签性能，同时芯片端位于非边缘处，预留安全生产区域，降低芯片失效比例，便于产品复合生产；另外该无loop设计可兼容大部分国外国内芯片，适用性很广(常规设计只能搭配指定一款芯片，若更换芯片，对应天线线形设计需要全部调整)；EAS与RFID标签金属隔离线设计，采用上述设计，可降低EAS与RFID标签两两耦合所导致的性能差异，产生隔离场强信号作用，从而可减少EAS与RFID间距差异对产品整体性能的影响；该法可解决由于生产复合精度导致EAS在产品里面定位所产生偏差(0.5
‑
2mm)导致产品性能频点发生偏差，保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.具有抗干扰功能的EAS与RFID双频标签，包括基材(1)、正面金属天线(2)、导电胶(3)、RFID芯片(4)和EAS天线(5)，其特征在于：所述RFID芯片(4)和EAS天线(5)均设于导电胶(3)表面，所述导电胶(3)表面设有内嵌Loop环路区(6)，所述内嵌Loop环路区(6)设有与RFID芯片(4)相匹配的嵌入槽，所述导电胶(3)表面于RFID芯片(4)和EAS天线(5)之间设有第一金属隔离线(7)和第二金属隔离线(8)，所述第一金属隔离线(7)与内嵌Loop环路区(6)连接，且第一金属隔离线(7)位于辐射区内侧，所述第二金属隔离线(8)设于第一金属隔离线(7)和EAS天线(5)之间。2.根据权利要求1所述的具有抗干扰功能的EAS与RFID双频标签，其特征在于：所述正面金属天线(2)设于基材(1)表面，所述导电胶(3)设于正面金属天线(2)顶部，所述RFID芯片(4)通过导电胶(3)与正面金属天线(2)连接。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙升琦，吴建宏，伯林，
申请(专利权)人：上扬无线射频科技扬州有限公司，
类型：新型
国别省市：