触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法技术

本申请提供了一种触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法，涉及触控屏技术领域。解决了相关技术存在的工艺复杂、流程多且不利于环保的技术问题。该制造方法包括：步骤A：制备出未刻蚀线路的导电膜；步骤B：利用激光刻蚀工艺将第一纳米银导电油墨层刻蚀为第一导电线路，将第一纳米银浆层刻蚀为与第一导电线路连接的第一电极；步骤C：利用激光刻蚀工艺将第二纳米银导电油墨层刻蚀为第二导电线路，将第二纳米银浆层刻蚀为与第二导电线路连接的第二电极。本申请具有工艺步骤少，更为环保的优点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法


[0001]本申请涉及触控屏
，具体涉及一种触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法。

技术介绍

[0002]导电线路是触控屏纳米银透明导电膜上的重要组成部分，其通电后形成电容式触控屏的电容的一个极板，对触控作业的完成具有重要作用。
[0003]为了在导电油墨层上制造出导电线路，相关技术中采用了黄光工艺，黄光工艺主要采用黄光照在设计好的菲林上再投射到感光胶上，常用的感光胶是照到光的会固化并保护好ITO（氧化铟锡）图形，而没被照到光的部分再通过显影蚀刻掉，最终得到想要的ITO图形。
[0004]专利技术人发现相关技术至少存在以下技术问题：1、相关技术工艺复杂、流程多、设备投入高、占用车间面积大、能耗高；2、相关技术在黄光显影过程中需要使用到大量的强酸强碱，与耐酸工艺同属于湿蚀刻，所以对环境有一定的影响，不利于环保。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法，解决了相关技术存在的工艺复杂、流程多且不利于环保的技术问题。
[0006]为解决上述技术问题，本申请采用了如下的技术方案：本申请提供的触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法，包括以下步骤：步骤A：制备出未刻蚀线路的导电膜；所述未刻蚀线路的导电膜包括堆叠的第一纳米银导电油墨层、第一氧化物粘结层、偏光片、第二氧化物粘结层以及第二纳米银导电油墨层,所述第一纳米银导电油墨层的边沿丝网印刷有第一纳米银浆层，所述第二纳米银导电油墨层的边沿丝网印刷有第二纳米银浆层；步骤B：利用激光刻蚀工艺将所述第一纳米银导电油墨层刻蚀为第一导电线路，将所述第一纳米银浆层刻蚀为与所述第一导电线路连接的第一电极；步骤C：利用激光刻蚀工艺将所述第二纳米银导电油墨层刻蚀为第二导电线路，将所述第二纳米银浆层刻蚀为与所述第二导电线路连接的第二电极；所述激光刻蚀工艺使用的激光在刻蚀所述第一纳米银导电油墨层、所述第二纳米银导电油墨层、所述第一纳米银浆层以及所述第二纳米银浆层的过程中未刻蚀所述偏光片。
[0007]本申请使用激光刻蚀工艺可以较高效率的刻蚀出合格的导电线路和电极，不仅工艺简单、流程少、设备投入低、占用车间面积小、能耗低，而且无需使用强酸强碱，对环境的影响小，更有利于环保。
[0008]可选地，所述激光刻蚀工艺使用的激光的波段为300nm
‑
400nm之间。
[0009]以上波段的能量较低，在实现蚀刻工作的同时不会穿透偏光片造成偏光片损坏。
[0010]可选地，相邻的所述第一导电线路之间或相邻的所述第二导电线路之间被所述激光刻蚀掉的沟槽的宽度为40微米以下。
[0011]此沟槽的宽度越小则生产出来的触控屏显示效果更好。
[0012]可选地，相邻的所述第一导电线路之间或相邻的所述第二导电线路之间被所述激光刻蚀掉的沟槽的宽度为30微米，误差允许值为
±
5微米。
[0013]沟槽处于上述数值范围时，可以取得制造效率、经济性与显示效果的平衡。
[0014]可选地，所述激光刻蚀工艺使用的激光的光线的宽度与所述第一纳米银导电油墨层或所述第二纳米银导电油墨层上被所述激光刻蚀掉的沟槽的宽度一致。
[0015]此种设计导电线路之间的沟槽经过激光一次刻蚀即可得到合格宽度的沟槽，无需多次刻蚀。
[0016]可选地，所述的触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法还包括以下步骤D：步骤D：在所述第一导电线路与所述第一电极上或在所述第二导电线路以及所述第二电极上覆盖聚乙烯材质的制程中转膜，所述制程中转膜能利用静电吸附所述沟槽蚀刻过程中未被气化掉的残存物质。
[0017]制程中转膜可以利用静电对沟槽进行清洁，从而保证导电线路彼此不会互相粘连，进而保证产品整体的良品率。
[0018]可选地，所述激光刻蚀工艺实施过程中，所述未刻蚀线路的导电膜处于静止状态，所述激光的发生器处于水平移动状态。
[0019]此设计有利于保证产品的蚀刻精度。
[0020]可选地，所述激光刻蚀工艺使用的激光在刻蚀的过程中激光始终未穿透所述偏光片。
[0021]此设计一方面确保了偏光片不会在刻蚀过程中损坏，另一方面也避免了激光穿透偏光片之后对另一面的导电线路或导电油墨层造成损坏。
[0022]可选地，所述第一导电线路或所述第二导电线路的线宽为100
‑
200微米。
[0023]此线宽在保证导电效果合格的前提下，将制造难度控制在了较低的范围内。
[0024]可选地，刻蚀制造所述第一电极以及第二电极时，激光刻蚀所述第一纳米银浆层以及所述第二纳米银浆层的次数为2
‑
4次。
[0025]多次激光刻蚀可以确保第一电极与第二电极的精度，从而确保产品整体的良品率。
[0026]综上所述，本申请至少可以产生如下的技术效果：1、本申请使用激光刻蚀工艺可以较高效率的刻蚀出合格的导电线路和电极，不仅工艺简单、流程少、设备投入低、占用车间面积小、能耗低，而且无需使用强酸强碱，对环境的影响小，更有利于环保；2、制程中转膜可以利用静电对沟槽进行清洁，从而保证导电线路彼此不会互相粘连，进而保证产品整体的良品率；3、激光的光线宽度的选择确保了导电线路之间的沟槽经过激光一次刻蚀即可得到合格宽度的沟槽，无需多次刻蚀。
附图说明
[0027]图1为本申请提供的触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法中激光刻蚀出导电线路以及电极的平面示意图；图2为本申请提供的触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法中激光刻蚀出导电线路以及电极的层状结构截面示意图；图中标记： 1a、未刻蚀导电线路的导电膜；1b、蚀刻出导电线路的导电膜；11、沟槽；12、导电线路；13、电极；14、导电油墨层；15、纳米银浆层；16、刻蚀前纳米银浆内边沿所在位置的指示线；
具体实施方式
下面结合图1
‑
图2以及本申请实施例对本申请技术方案做出详细说明。
[0028]如图1所示，未刻蚀导电线路的导电膜1a经过激光刻蚀后得到了蚀刻出导电线路的导电膜1b，图1中刻蚀前纳米银浆内边沿所在位置的指示线16之外的纳米银浆层15被刻蚀为了电极13，刻蚀前纳米银浆内边沿所在位置的指示线16之内的导电油墨层14被刻蚀为了导电线路12，导电线路12之间的沟槽11为激光刻蚀而得到。导电线路12宽度宽于沟槽11的宽度。
[0029]图2示意出了激光刻蚀前后导电膜层状结构的截面变化过程，从图2可以看出第一纳米银浆层被刻蚀为了第一电极，第二纳米银浆层被刻蚀为了第二电极，第一纳米银导电油墨层被刻蚀为了第一导电线路，第二纳米银导电油墨层被刻蚀为了第二导电线路。
[0030]下面具体阐述本申请实施例具体的实现方式。
[0031]本申请实施例提供的触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法，包括以下步骤：步骤A：制备出未刻蚀线路的导电膜；未刻蚀线路的导电膜包括堆叠的第一纳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：制备出未刻蚀线路的导电膜；所述未刻蚀线路的导电膜包括堆叠的第一纳米银导电油墨层、第一氧化物粘结层、偏光片、第二氧化物粘结层以及第二纳米银导电油墨层,所述第一纳米银导电油墨层的边沿丝网印刷有第一纳米银浆层，所述第二纳米银导电油墨层的边沿丝网印刷有第二纳米银浆层；步骤B：利用激光刻蚀工艺将所述第一纳米银导电油墨层刻蚀为第一导电线路，将所述第一纳米银浆层刻蚀为与所述第一导电线路连接的第一电极；步骤C：利用激光刻蚀工艺将所述第二纳米银导电油墨层刻蚀为第二导电线路，将所述第二纳米银浆层刻蚀为与所述第二导电线路连接的第二电极；所述激光刻蚀工艺使用的激光在刻蚀所述第一纳米银导电油墨层、所述第二纳米银导电油墨层、所述第一纳米银浆层以及所述第二纳米银浆层的过程中未刻蚀所述偏光片。2.根据权利要求1所述的触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法，其特征在于，所述激光刻蚀工艺使用的激光的波段为300nm
‑
400nm之间。3.根据权利要求1所述的触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法，其特征在于，相邻的所述第一导电线路之间或相邻的所述第二导电线路之间被所述激光刻蚀掉的沟槽的宽度为40微米以下。4.根据权利要求3所述的触控屏纳米银透明导电膜导电线路的制造方法，其特征在于，相邻的所述第一导电线路之间或相邻的所述第二导电线路之间被所述激光刻蚀掉的沟槽的宽度为30微米，误差允...

【专利技术属性】
技术研发人员：司荣美，鲍彦广，
申请(专利权)人：天津宝兴威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：