本申请涉及一种等离子体发热结构及等离子体雾化装置，等离子体发热结构包括至少一电极对及引弧件，引弧件设于电极对的两个电极之间，以使电极对的两个电极之间具有击穿导通距离及工作导通距离，击穿导通距离小于工作导通距离。由于设置了引弧件在电极对的两个电极之间，其可以传输电场，从而使加载在电极对上的高电压会全部加载到每一电极与引弧件之间，而非直接加载到电极对的两个电极之间，从而减小了电极对的两个电极之间具有的击穿导通距离，而使其小于工作导通距离，故能够大幅降低起始击穿电压，从而减小电源体积，并降低能耗，进而提高等离子体发热结构的发热效率。提高等离子体发热结构的发热效率。提高等离子体发热结构的发热效率。
【技术实现步骤摘要】
等离子体发热结构及等离子体雾化装置
[0001]本申请涉及电子雾化
，特别是涉及一种等离子体发热结构及等离子体雾化装置。
技术介绍
[0002]等离子体发热雾化装置通常是利用工作气体电离形成等离子体，等离子体中的自由电子与离子在电场的作用下将电场能转化为自身动能，并最终转化为等离子体内能进行电发热的雾化装置。
[0003]根据气体放电伏安特性，在放电间隙内的气体被电离形成等离子体之前，需要在放电间隙上加上强电场以使中性气体转变为等离子体。而一旦产生了等离子体，维持加热所需要的电场强度则会显著下降。前者需要电源输出端必须提供高的开路电压，而后者需要电源维持加热的时候的输出电压显著低于开路电压（相差可达10倍以上）。这两种差异很大的工况会导致电源体积较大，发热效率较低。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要针对现有等离子体发热雾化装置，提供一种能减小电源体积，以提升发热效率的等离子体发热结构及等离子体雾化装置。
[0005]第一方面，本申请提供一种等离子体发热结构，包括至少一电极对及引弧件，引弧件设于电极对的两个电极之间，以使电极对的两个电极之间具有击穿导通距离及工作导通距离，击穿导通距离小于工作导通距离。
[0006]在其中一个实施例中，电极对的两个电极中的至少一者与引弧件之间形成引弧间隙。
[0007]在其中一个实施例中，引弧件为半导体引弧件。
[0008]在其中一个实施例中，半导体引弧件为锗化合物引弧件、硅化合物引弧件、砷化镓类化合物引弧件、磷化镓类化合物引弧件、硫化镉类化合物引弧件、硫化锌类化合物引弧件、氧化锰引弧件、氧化铁引弧件、氧化铬引弧件、氧化铜引弧件、镓铝砷类化合物引弧件以及镓砷磷类化合物中的一种。
[0009]在其中一个实施例中，引弧件为正温度系数的热敏电阻引弧件。
[0010]在其中一个实施例中，等离子体发热结构还包括发热件，电极对及引弧件均设于发热件。
[0011]在其中一个实施例中，电极对的两个电极中的至少一者呈环状套设于发热件；和/或
[0012]引弧件呈环状套设于发热件。
[0013]在其中一个实施例中，等离子体发热结构还包括磁性件，磁性件套设于一呈环状的电极。
[0014]在其中一个实施例中，电极对的两个电极中的至少一者呈环状套设于发热件的外
侧，引弧件呈环状套设于发热件的外侧，磁性件呈环状套设于一呈环状的电极的外侧。
[0015]在其中一个实施例中，发热件包括底壁及沿底壁的周向连接于底壁一侧的侧壁，底壁与侧壁围合形成容纳气溶胶生成基质的发热腔体，电极对及引弧件均设于与底壁背向发热腔体的一侧。
[0016]在其中一个实施例中，引弧件包括引弧涂覆膜层。
[0017]在其中一个实施例中，等离子体发热结构还包括发热件，引弧件被构造为发热件的至少部分。
[0018]第二方面，本申请还提供一种等离子体雾化装置，包括以上任意实施例中的等离子体发热结构。
[0019]上述等离子体发热结构及等离子体雾化装置，由于设置了引弧件在电极对的两个电极之间，其可以传输电场，从而使加载在电极对上的高电压会全部加载到每一电极与引弧件之间，而非直接加载到电极对的两个电极之间，从而减小了电极对的两个电极之间具有的击穿导通距离，而使其小于工作导通距离，故能够大幅降低起始击穿电压，从而减小电源体积，并降低能耗，进而提高等离子体发热结构的发热效率。
[0020]且由于大幅降低起始击穿电压，故能够降低等离子体发热结构的放电绝缘要求，可简化或小型化绝缘结构。
附图说明
[0021]图1示出了本申请一实施例中的等离子体发热结构的结构示意图；
[0022]图2示出了本申请另一实施例中的等离子体发热结构的结构示意图。
[0023]附图标记：
[0024]等离子体发热结构100；
[0025]电极对10；
[0026]电极11；
[0027]引弧体20；
[0028]引弧间隙30；
[0029]发热件40；
[0030]发热腔体41；
[0031]底壁42、侧壁43；
[0032]磁性件50。
具体实施方式
[0033]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0034]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相
关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0035]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0036]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0037]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0038]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0039]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体发热结构，其特征在于，包括至少一电极对及引弧件，所述引弧件设于所述电极对的两个电极之间，以使所述电极对的两个所述电极之间具有击穿导通距离及工作导通距离，所述击穿导通距离小于所述工作导通距离。2.根据权利要求1所述的等离子体发热结构，其特征在于，所述电极对的两个所述电极中的至少一者与所述引弧件之间形成引弧间隙。3.根据权利要求1或2所述的等离子体发热结构，其特征在于，所述引弧件为半导体引弧件。4.根据权利要求3所述的等离子体发热结构，其特征在于，所述半导体引弧件为锗化合物引弧件、硅化合物引弧件、砷化镓类化合物引弧件、磷化镓类化合物引弧件、硫化镉类化合物引弧件、硫化锌类化合物引弧件、氧化锰引弧件、氧化铁引弧件、氧化铬引弧件、氧化铜引弧件、镓铝砷类化合物引弧件以及镓砷磷类化合物中的一种。5.根据权利要求1或2所述的等离子体发热结构，其特征在于，所述引弧件为正温度系数的热敏电阻引弧件。6.根据权利要求1所述的等离子体发热结构，其特征在于，所述等离子体发热结构还包括发热件，所述电极对及所述引弧件均设于所述发热件。7.根据权利要求6所述的等离子体发热结构，其特征在于，所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲜于斌，李欢喜，周宏明，
申请(专利权)人：海南摩尔兄弟科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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