光扫描装置和图像形成装置制造方法及图纸

本公开涉及光扫描装置和图像形成装置。根据本发明专利技术的光扫描装置包括：偏转单元，被配置为使光束偏转以在主扫描方向上扫描被扫描表面；以及成像光学系统，被配置为将由偏转单元偏转的光束引导至被扫描表面并且在轴上像高与最外侧离轴像高之间具有不同的在主扫描方向上的部分倍率。在偏转单元的偏转表面上相对于轴上偏转点在一侧的第一最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比，以及在偏转表面上相对于轴上偏转点在另一侧的第二最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比被各自适当地设定。处的反射率之比被各自适当地设定。处的反射率之比被各自适当地设定。

【技术实现步骤摘要】
光扫描装置和图像形成装置


[0001]本专利技术涉及光扫描装置和图像形成装置。

技术介绍

[0002]常规上，已知一种光扫描装置，其被配置为具有其中光束的扫描速度在轴上像高与离轴像高之间不同的不均匀扫描速度特点，以实现小型化。
[0003]在这种光扫描装置中，已知因为在被扫描表面上的各个像高处的每单位面积的曝光量由于扫描速度在轴上像高与离轴像高之间的差异而不同，因此发生光量不均匀。
[0004]日本专利申请公开No.2007
‑
292918公开了一种光扫描装置，其中使光源在发射用于扫描轴上像高的光束时的光发射时间与在发射用于扫描离轴像高的光束时的不同，以减少被扫描表面上的光量不均匀。
[0005]但是，在日本专利申请公开No.2007
‑
292918中公开的光扫描装置中，需要新提供用于控制光源的光发射时间的控制器，使得其结构变得复杂并且其尺寸变得增加。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种能够以小且简单的结构减少被扫描表面上的光量不均匀的光扫描装置以及包括该光扫描装置的图像形成装置。
[0007]根据本专利技术的光扫描装置包括：偏转单元，被配置为使光束偏转以在主扫描方向上扫描被扫描表面；以及成像光学系统，被配置为将由偏转单元偏转的光束引导至被扫描表面并且在轴上像高与最外侧离轴像高之间具有不同的在主扫描方向上的部分倍率，其中，当在偏转单元的偏转表面上相对于轴上偏转点在一侧的第一最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比用ΔR1表示，并且在偏转表面上相对于轴上偏转点在另一侧的第二最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比用ΔR2表示时，满足以下条件：
[0008]1.05≤|ΔR1|≤1.50；以及
[0009]1.05≤|ΔR2|≤1.50。
[0010]本专利技术的其它特征将从以下参考附图对示例性实施例的描述中变得清楚。
附图说明
[0011]图1A是根据本专利技术第一实施例的光扫描装置的示意性主扫描横截面视图。
[0012]图1B是根据第一实施例的光扫描装置的部分放大的示意性副扫描横截面视图。
[0013]图2是示出根据第一实施例的光扫描装置中部分倍率的偏差的像高依赖性的曲线图。
[0014]图3A是用于在偏转单元中的偏转表面上形成膜的真空气相沉积装置的示意性横截面视图。
[0015]图3B是用于在偏转单元中的偏转表面上形成膜的真空气相沉积装置的部分放大
的示意性横截面视图。
[0016]图4是示出根据第一实施例的光扫描装置中包括的偏转单元中的偏转表面的反射率的入射角依赖性的曲线图。
[0017]图5A是示出根据第一实施例的光扫描装置中的主扫描方向上的LSF深度的中心位置的像高依赖性的曲线图。
[0018]图5B是示出根据第一实施例的光扫描装置中的副扫描方向上的LSF深度的中心位置的像高依赖性的曲线图。
[0019]图6是示出根据第一实施例的光扫描装置的被扫描表面上的光量分布的曲线图。
[0020]图7A是根据本专利技术第二实施例的光扫描装置的示意性主扫描横截面视图。
[0021]图7B是根据第二实施例的光扫描装置的部分放大的示意性副扫描横截面视图。
[0022]图8是示出根据第二实施例的光扫描装置中部分倍率的偏差的像高依赖性的曲线图。
[0023]图9是示出根据第二实施例的光扫描装置中包括的偏转单元中的偏转表面的反射率的入射角依赖性的曲线图。
[0024]图10A是示出根据第二实施例的光扫描装置中的主扫描方向上的LSF深度的中心位置的像高依赖性的曲线图。
[0025]图10B是示出根据第二实施例的光扫描装置中的副扫描方向上的LSF深度的中心位置的像高依赖性的曲线图。
[0026]图11是示出根据第二实施例的光扫描装置的被扫描表面上的光量分布的曲线图。
[0027]图12A是根据本专利技术第三实施例的光扫描装置的示意性主扫描横截面视图。
[0028]图12B是根据第三实施例的光扫描装置的部分放大的示意性副扫描横截面视图。
[0029]图13是示出根据第三实施例的光扫描装置中部分倍率的偏差的像高依赖性的曲线图。
[0030]图14是示出在根据第三实施例的光扫描装置中包括的偏转单元中的偏转表面的反射率的入射角依赖性的曲线图。
[0031]图15A是示出根据第三实施例的光扫描装置中的主扫描方向上的LSF深度的中心位置的像高依赖性的曲线图。
[0032]图15B是示出根据第三实施例的光扫描装置中的副扫描方向上的LSF深度的中心位置的像高依赖性的曲线图。
[0033]图16是示出根据第三实施例的光扫描装置的被扫描表面上的光量分布的曲线图。
[0034]图17是根据本专利技术的图像形成装置的主要部分的副扫描横截面视图。
[0035]图18A是示出在常规光扫描装置中包括的偏转单元中的偏转表面的反射率的入射角依赖性的曲线图。
[0036]图18B是示出常规光扫描装置的被扫描表面上的光量分布的曲线图。
具体实施方式
[0037]在下文中，将参考附图详细描述根据本专利技术的光扫描装置。为了促进对本专利技术的理解，以下所示的附图可以按照与实际比例不同的比例绘制。
[0038]在下面的描述中，主扫描方向是与偏转单元的旋转轴和光学系统的光轴垂直的方
向(由偏转单元偏转光束以进行扫描的方向)。副扫描方向是与偏转单元的旋转轴平行的方向。主扫描横截面是垂直于副扫描方向的横截面。副扫描截面是垂直于主扫描方向的截面。
[0039][第一实施例][0040]常规上，已知一种光扫描装置，其被设计为具有以不均匀速度扫描被扫描表面的特点，以实现小型化。
[0041]在这种光扫描装置中，已知在被扫描表面上出现光量不均匀，因为每单位面积的曝光量根据在各个像高处的扫描速度的差异而不同。
[0042]另外，提出了用于减少在这种光扫描装置中生成的光量不均匀的各种方法。例如，提出了一种通过改变光源在各个像高处的光发射时间来减少被扫描表面上的光量不均匀的方法。
[0043]但是，在上述方法中为了改变光源的光发射时间，需要新提供用于电控制光源的控制器。
[0044]此外，在包括这种光扫描装置的图像形成装置中，提出了一种通过在被扫描表面的位置处布置在各个像高处具有不同感光度(light sensitivity)的感光鼓来减少在形成的图像中的光量不均匀的方法。
[0045]但是，在上述方法中，需要提供在各个像高处具有不同感光度的特殊鼓构件。
[0046]即，需要提供新的组件和软件，使得结构变得复杂，并且在任何上面提到的方法中，尺寸和成本变得增加。
[0047]因而，本专利技术的一个目的是提供一种光扫描装置，该装置能够在被扫描表面上实现均匀的光量分布，而不要求具有以不均匀速度扫描被扫描表面的特点的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光扫描装置，包括：偏转单元，被配置为使光束偏转以在主扫描方向上扫描被扫描表面；以及成像光学系统，被配置为将由偏转单元偏转的光束引导至被扫描表面并且在轴上像高与最外侧离轴像高之间具有不同的在主扫描方向上的部分倍率，其中，当在偏转单元的偏转表面上相对于轴上偏转点在一侧的第一最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比用ΔR1表示，并且在偏转表面上相对于轴上偏转点在另一侧的第二最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比用ΔR2表示时，满足以下条件：1.05≤|ΔR1|≤1.50；以及1.05≤|ΔR2|≤1.50。2.根据权利要求1所述的光扫描装置，其中偏转表面上的反射率在主扫描方向上从轴上偏转点朝着第一最外侧离轴偏转点增加，并且在主扫描方向上从轴上偏转点朝着第二最外侧离轴偏转点增加。3.根据权利要求1所述的光扫描装置，其中，当与第一最外侧离轴偏转点对应的第一最外侧离轴像高处的部分倍率与轴上像高处的部分倍率之比用ΔY1表示，以及与第二最外侧离轴偏转点对应的第二最外侧离轴像高处的部分倍率与轴上像高处的部分倍率之比用ΔY2表示时，满足以下条件：1.05≤|ΔY1|≤1.50；以及1.05≤|ΔY2|≤1.50。4.根据权利要求3所述的光扫描装置，其中各个像高处的部分倍率在主扫描方向上从轴上像高朝着第一最外侧离轴像高增加，并且在主扫描方向上从轴上像高朝着第二最外侧离轴像高增加。5.根据权利要求1所述的光扫描装置，其中，当与第一最外侧离轴偏转点对应的第一最外侧离轴像高处的部分倍率与轴上像高处的部分倍率之比用ΔY1表示，以及与第二最外侧离轴偏转点对应的第二最外侧离轴像高处的部分倍率与轴上像高处的部分倍率之比用ΔY2表示时，满足以下条件：0.80≤|ΔY1/ΔR1|≤1.20；以及0.80≤|ΔY2/ΔR2|≤1.20。6.根据权利要求1所述的光扫描装置，包括：入射光学系统，被配置为使光束入射在...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤凉太，桑原世治，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：