无电解镀用催化剂赋予液制造技术

本发明专利技术提供在金属材料上进行无电解镀时的前处理所使用的催化剂赋予液，其用于形成镀敷析出性、选择析出性、阻隔特性、接合性等更优异的无电解镀被膜时有用，并且浴稳定性更优异。无电解镀用催化剂赋予液含有钴化合物和还原剂。原剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无电解镀用催化剂赋予液


[0001]本专利技术涉及无电解镀用催化剂赋予液等。

技术介绍

[0002]在印刷布线电路板、半导体包装体、电子部件等电子相关领域中，在制造时的最终工序之一中，有时对导体电路、端子部分等实施无电解镀镍，进一步进行无电解镀金的处理。以该方法形成的无电解镀镍/金被膜为了防止铜电路表面的氧化并发挥良好的焊料连接性能、提高半导体包装体与安装于其上的电子部件的引线接合性等而使用。形成无电解镀镍被膜后形成置换镀金被膜时，根据基底的镀镍被膜的状态，存在镍局部溶解而发生镍的腐蚀、即所谓黑盘(black pad)、由于因热处理所引起的基底金属拡散而污染Au表面等的问题点。作为解决这样的问题点的方法，在无电解镀镍和镀金之间作为阻隔被膜进行无电解镀钯，增加无电解镀镍/钯/金处理。另外，为了对应伴随印刷布线电路板的高密度化的铜布线的微细化，开发了省略膜厚最高的无电解镀镍被膜的无电解镀钯/金处理(参照下述专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平5－327187号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的技术问题
[0007]在基板的金属材料上进行无电解镀时，为了提高镀敷析出性等，有时在金属材料上通过置换反应进行使成为催化剂核的钯金属析出的催化剂赋予处理。本专利技术的专利技术人在进行研究时发现，进行该催化剂赋予处理的情况下，镀敷析出性良好，但是阻隔特性和接合性不充分。对其原因进行研究的过程中发现，进行上述催化剂赋予处理时，有时发生金属材料的过量溶解，其后在进行无电解镀(镍、钯等)处理时，在所析出的镀敷被膜与金属材料之间到处产生微小的空隙(空孔)。
[0008]因此，本专利技术的专利技术人尝试了不通过置换反应而通过还原反应使钯金属析出的催化剂赋予处理。但是，镀敷析出性、选择析出性、浴稳定性、阻隔特性、接合性等的特性中的几个并不充分。
[0009]为此，本专利技术所要解决的技术问题在于：提供在金属材料上进行无电解镀时的前处理所使用的催化剂赋予液，其用于形成镀敷析出性、选择析出性、阻隔特性、接合性等更优异的无电解镀被膜时有用，并且浴稳定性更优异。
[0010]用于解决技术问题的技术方案
[0011]本专利技术的专利技术人鉴于上述技术问题进行了深入研究，结果发现如果是含有钴化合物和还原剂的无电解镀用催化剂赋予液，则能够解决上述技术问题。本专利技术的专利技术人基于该见解进一步进行研究，结果完成了本专利技术。即，本专利技术包含下述的方式。
[0012]项1.一种无电解镀用催化剂赋予液，其含有钴化合物和还原剂。
[0013]项2.如项1所述的无电解镀用催化剂赋予液，其中，上述还原剂包含胺化合物。
[0014]项3.如项2所述的无电解镀用催化剂赋予液，其中，上述胺化合物包含选自胺硼烷、肼和肼衍生物中的至少1种。
[0015]项4.如项1～3中任一项所述的无电解镀用催化剂赋予液，其含有络合剂。
[0016]项5.如项4所述的无电解镀用催化剂赋予液，其中，上述络合剂包含羧酸。
[0017]项6.如项5所述的无电解镀用催化剂赋予液，其中，上述羧酸包含羟基羧酸或二羧酸。
[0018]项7.如项1～6中任一项所述的无电解镀用催化剂赋予液，其中，上述还原剂包含选自含硼化合物和含磷化合物中的至少1种。
[0019]项8.如项1～7中任一项所述的无电解镀用催化剂赋予液，其还含有金属盐。
[0020]项9.如项1～8中任一项所述的无电解镀用催化剂赋予液，其中，钴含量相对于金属100质量％为50质量％以上。
[0021]项10.如项1～9中任一项所述的无电解镀用催化剂赋予液，其中，
[0022]上述还原剂包含选自含硼化合物和含磷化合物中的至少1种，并且，
[0023]上述无电解镀是对表面露出有铜和/或铜合金的材料的选自无电解镀钯、无电解镀镍和无电解镀金中的至少1种的无电解镀。
[0024]项11.一种制造包含催化剂核的无电解镀对象材料的方法，其包括：
[0025](1)使无电解镀对象材料与项1～10中任一项所述的无电解镀用催化剂赋予液接触的工序。
[0026]项12.一种制造包含无电解镀被膜的材料的方法，其包括：
[0027](1)使无电解镀对象材料与项1～10中任一项所述的无电解镀用催化剂赋予液接触的工序；和
[0028](2)在工序(1)后，进行无电解镀处理的工序。
[0029]项13.一种材料，其包含表面露出有金属的材料、上述金属上的催化剂核1和上述催化剂核1上的被膜2，并且，
[0030]上述催化剂核1含有钴，
[0031]上述被膜2为无电解镀被膜。
[0032]专利技术的效果
[0033]根据本专利技术，能够提供在金属材料上进行无电解镀时的前处理所使用的催化剂赋予液，其用于形成镀敷析出性、选择析出性、阻隔特性、接合性等更优异的无电解镀被膜时有用，并且浴稳定性更优异。
具体实施方式
[0034]在本说明书中，关于“含有”和“包含”的表达，包括“含有”、“包含”、“实质上由
……
构成”和“仅由
……
构成”这些概念。
[0035]1.催化剂赋予液
[0036]本专利技术在其一个方式中，涉及含有钴化合物和还原剂的无电解镀用催化剂赋予液(在本说明书中，有时也表示为“本专利技术的催化剂赋予液。)。以下，对其进行说明。
[0037]钴化合物只要是可溶于镀液的物质即可，没有特别限制。作为钴化合物，例如可以列举有机或无机的钴盐，更具体而言，例如可以列举硫酸钴、氯化钴、硝酸钴、溴化钴、碘化钴、次磷酸钴、磷酸钴、硫酸钴铵、氯化钴铵、硫酸钴钾、氨基磺酸钴、乙酸钴、碳酸钴、乙酰丙酮钴、甲酸钴、草酸钴、硬脂酸钴、柠檬酸钴、酒石酸钴、乳酸钴等。这些之中，从本专利技术的效果的观点考虑，优选列举无机钴盐，更优选列举硫酸钴、氯化钴、硝酸钴、磷酸钴、次磷酸钴等，进一步优选列举硫酸钴、氯化钴。
[0038]钴化合物可以单独使用1种或者组合2种以上使用。
[0039]本专利技术的催化剂赋予液中的钴浓度例如为0.05g/L以上。从本专利技术的效果的观点考虑，该钴浓度优选为0.05～50g/L、更优选为0.1～30g/L、进一步优选为0.2～20g/L、更进一步优选为0.4～15g/L、尤其优选为0.6～10g/L、特别优选为0.7～6g/L。
[0040]本专利技术的催化剂赋予液中的钴含量相对于含有钴的过渡金属元素的含量100质量％，例如为50质量％以上、优选为60质量％以上、更优选为70质量％、或者为80质量％以上、或为90质量％以上。
[0041]作为还原剂，只要是能够使钴金属析出的还原剂即可，没有特别限制，能够使用可以用于还原镀敷的还原剂。作为还原剂，例如可以列举胺化合物、含硼化合物、含磷化合物等。还原剂也存在属于这些的多种的物质。例如，也存在为胺化合物且为含硼化合物的还原剂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种无电解镀用催化剂赋予液，其特征在于：含有钴化合物和还原剂。2.如权利要求1所述的无电解镀用催化剂赋予液，其特征在于：所述还原剂包含胺化合物。3.如权利要求2所述的无电解镀用催化剂赋予液，其特征在于：所述胺化合物包含选自胺硼烷、肼和肼衍生物中的至少1种。4.如权利要求1～3中任一项所述的无电解镀用催化剂赋予液，其特征在于：含有络合剂。5.如权利要求4所述的无电解镀用催化剂赋予液，其特征在于：所述络合剂包含羧酸。6.如权利要求5所述的无电解镀用催化剂赋予液，其特征在于：所述羧酸包含羟基羧酸或二羧酸。7.如权利要求1～6中任一项所述的无电解镀用催化剂赋予液，其特征在于：所述还原剂包含选自含硼化合物和含磷化合物中的至少1种。8.如权利要求1～7中任一项所述的无电解镀用催化剂赋予液，其特征在于：还含有金属盐。9.如权利要求1～8中任一项所述的无电解镀用催化剂赋予液，其特征在于：钴含量相对于金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：瀬户宽生，桥爪佳，田中克幸，河崎佳奈，长尾敏光，
申请(专利权)人：奥野制药工业株式会社，
类型：发明
国别省市：