集成电路及其形成方法技术

技术编号:36736647 阅读:19 留言:0更新日期:2023-03-04 10:08
本揭示文件揭露一种集成电路及其形成方法,集成电路包含第一、第二以及第三电源轨,与耦接至闸控电路的首部开关电路。闸控电路用于操作第一或第二电压。第一、第二电源轨位于晶圆的背面,且沿着第一方向延伸。首部开关电路用于透过第一电源轨提供第一电压至闸控电路。第二电源轨在第二方向上与第一电源轨分开。第二电源轨用于提供第二电压至闸控电路。第三电源轨位于晶圆的正面,且包含在第二方向延伸并在第一方向上分开的第一导体组。每个第一导体组用于提供第三电压至首部开关电路。组用于提供第三电压至首部开关电路。组用于提供第三电压至首部开关电路。

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其形成方法


[0001]本揭示文件是关于一种集成电路及其形成方法,特别是关于一种具有闸控电路的集成电路及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit,IC)产业已经提供多种模拟以及数字装置来解决不同领域的问题。当集成电路变小且更复杂时,模拟以及数字装置的运作电压将会减少,进而影响数字装置的电压以及整体集成电路的表现。此外,模拟以及数字装置的功耗会因为电阻而增加。电源闸控是用来减少电路功耗的技术,透过关断集成电路内的电源供应来实现。

技术实现思路

[0003]本揭示文件提供一种集成电路,集成电路包含闸控电路、首部开关电路、第一电源轨、第二电源轨以及第三电源轨。闸控电路用于在至少第一电压或第二电压下操作。首部开关电路耦接至闸控电路。第一电源轨位于晶圆的背面,第一电源轨沿着第一方向延伸,首部开关电路用于透过第一电源轨提供第一电压至闸控电路。第二电源轨位于晶圆的背面,第二电源轨沿着第一方向延伸,且在不同于第一方向的第二方向上与第一电源轨分开,第二电源轨用于提供第二电压至闸控电路,第二电压不同于第一电压。第三电源轨位于晶圆的正面,也就是与晶圆的背面相反的另一面,第三电源轨包含在第二方向延伸并在第一方向上分开的第一导体组,第一导体组中的每一个导体用于提供第三电压至首部开关电路。
[0004]本揭示文件还提供一种集成电路,集成电路包含第一电源轨、电源闸控电路、第二电源轨、第三电源轨以及第四电源轨。在一些实施例中,第一电源轨位于晶圆的背面,第一电源轨沿着第一方向延伸且用于提供第一电压。在一些实施例中,电源闸控电路耦接至第一电源轨,且用于提供第一电压至第一电源轨。在一些实施例中,第二电源轨位于晶圆的背面,第二电源轨沿着第一方向延伸,且在第一方向上以及不同于第一方向的第二方向上与第一电源轨分离,第二电源轨用于提供第二电压。在一些实施例中,第三电源轨位于晶圆的正面,即晶圆的背面的相反面,第三电源轨包含第一导体组,第一导体组沿着第二方向延伸,且第一导体组中的每一个导体在第一方向上彼此分离。在一些实施例中,第四电源轨位于晶圆的背面,第四电源轨沿着第一方向延伸,在第二方向上与第一电源轨分离,且在第一方向上与第二电源轨分离。在一些实施例中,第三电源轨与第四电源轨用于提供第三电压至电源闸控电路。
[0005]本揭示文件提供一种集成电路的形成方法,形成方法包含在晶圆的正面制造晶体管组,在与正面相对的晶圆背面制造第一通路组,在晶圆背面设置第一导电材料,进而形成透过第一通路组电性连接至晶体管组的第一电源轨组,在晶圆的正面制造第二通路组,并在晶圆正面设置第二导电材料,进而形成至少透过第二通路组电性连接至晶体管组的第二电源轨组。
附图说明
[0006]当结合随附附图阅读时,将自下文的详细描述最佳地理解本案的态样。应注意,根据工业中的标准实务,并未按比例绘制各特征。事实上,为了论述清楚,可任意增加或减小各特征的尺寸。
[0007]图1A~1B为根据一些实施例所绘示的集成电路的方块图;
[0008]图2A~2G为根据一些实施例所绘示的集成电路的布局设计的附图;
[0009]图3A~3I为根据一些实施例所绘示的集成电路的附图;
[0010]图4A~4B为根据一些实施例所绘示的集成电路的附图;
[0011]图5A~5B为根据一些实施例所绘示的对应的集成电路的附图;
[0012]图6A~6D为根据一些实施例所绘示的集成电路的附图;
[0013]图7A~7B为根据一些实施例所绘示的集成电路的附图;
[0014]图8A~8B为根据一些实施例所绘示的集成电路的附图;
[0015]图9A~9B为根据一些实施例所绘示的集成电路的附图;
[0016]图10为根据一些实施例所绘示的集成电路的形成或形成方法的流程图;
[0017]图11为根据一些实施例所绘示的集成电路布局设计图的产生方法的流程图;
[0018]图12为根据一些实施例所绘示的集成电路装置的形成方法的功能流程图;
[0019]图13为根据一些实施例所绘示的设计集成电路布局以及制造集成电路的系统的示意图;以及
[0020]图14为根据本揭示文件的至少一实施例所绘示的集成电路制造系统以及与的相关的集成电路制造流程的方块图。
[0021]【符号说明】
[0022]100A,100B:集成电路
[0023]102A:首部开关电路
[0024]102B:尾部开关电路
[0025]104A,104B:闸控电源电路
[0026]106A,106B:非闸控电源电路
[0027]200:布局设计
[0028]200A~200G:部位
[0029]201a:单元边界
[0030]201a1:中心部位
[0031]201a2,201a3:部位
[0032]201b:高度
[0033]202:电源轨图案组
[0034]202a,202b,202c:电源轨图案
[0035]204:主动区图案组
[0036]204a~204f:主动区图案
[0037]206:接点图案组
[0038]206a~206d:接点图案
[0039]208:通路图案组
[0040]208a,208b:通路图案
[0041]210:通路上覆扩散(VD)图案组
[0042]210a:通路上覆扩散(VD)图案
[0043]212:导电特征图案组
[0044]212a~212j:导电特征图案
[0045]214:电源轨图案组
[0046]214a~214k:电源轨图案
[0047]216:栅极图案组
[0048]218:通路上覆栅极(VG)图案组
[0049]220:通路图案
[0050]250a,250b,250c:区域
[0051]252a,252b:区域
[0052]260:切割特征图案组
[0053]260a~260h:切割特征图案
[0054]300:集成电路
[0055]300A~300F:部位
[0056]301a:电源轨
[0057]302:电源轨组
[0058]302a,302b,302c:电源轨
[0059]304:主动区组
[0060]304a~304f:主动区
[0061]306:接点组
[0062]306a~306d:接点
[0063]308:通路组
[0064]308a,308b:通路
[0065]310:通路组
[0066]310a:通路
[0067]311:基板
[0068]312:导电特征组
[0069]312a~312j:导电特征
[0070]314:电源轨组
[00本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路,其特征在于,包含:一闸控电路,用于在至少一第一电压或一第二电压下操作;一首部开关电路,耦接至该闸控电路;一第一电源轨,位于一晶圆的一背面,该第一电源轨沿着一第一方向延伸,该首部开关电路用于透过该第一电源轨提供该第一电压至该闸控电路;一第二电源轨,位于该晶圆的该背面,该第二电源轨沿着该第一方向延伸,且在不同于该第一方向的一第二方向上与该第一电源轨分离,该第二电源轨用于提供该第二电压至该闸控电路,该第二电压不同于该第一电压;以及一第三电源轨,位于该晶圆的该背面的相反面的一正面,该第三电源轨包含在该第二方向延伸并在该第一方向上分离的一第一导体组,该第一导体组中的每一个导体用于提供一第三电压至该首部开关电路。2.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,该首部开关电路包含:一第一主动区,属于一第一掺杂类型,该第一主动区沿着该第一方向延伸,且位于该晶圆的该正面;以及一第二主动区,属于该第一掺杂类型,该第二主动区沿着该第一方向延伸,位于该晶圆的该正面,且在该第二方向上与该第一主动区分离。3.如权利要求2所述的集成电路,其特征在于,其中该第一主动区包含一第一晶体管组,该第一晶体管组在该第一电源轨与该第三电源轨之间以并联的方式电性连接;以及该第二主动区包含一第二晶体管组,该第二晶体管组在该第一电源轨与该第三电源轨之间以并联的方式电性连接。4.如权利要求2所述的集成电路,其特征在于,进一步包含:一第一接点组,重叠于至少该第一主动区或该第二主动区之上,该第一接点组沿着该第二方向延伸,且位于该第三电源轨之下的一第一层,该第一接点组中的每个接点在该第一方向上彼此分离。5.如权利要求4所述的集成电路,其特征在于,进一步包含:一第二导体组,沿着该第一方向延伸,与该第一接点组重叠,且位于与该第一层不同的一第二层;以及一第一通路组,位于该第一接点组与该第二导体组之间,该第一通路组将该第一接点组与该第二导体组电性连接,其中该第二导体组中的每一个导体与该第一接点组中的两个以上接点以并联的方式电性连接。6.一种集成电路,其特征在于,包含:一第一电源轨,位于一晶圆的一背面,该第一电源轨沿着一第一方向延伸且用于提供一第一电压;一电源闸控电路,耦接至该第一电源轨,且用于提供该第一电压至该第一电源轨;一第二电源轨,位于该晶圆的该背面,该第二电源轨沿着该第一方向延伸,且在该第一方向上以及不同于该第一方向的一第二方向上与该第一电源轨分离,该第二电源轨用于提供一第二电压;
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【专利技术属性】
技术研发人员:张光庆杨荣展庄惠中陈志良杨国男
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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