多频段5G天线制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多频段5G天线，包括基板、以及设于基板的同一侧面上的低频辐射体、中频辐射体和高频辐射体；低频辐射体和中频辐射体沿第一方向逐一设置，低频辐射体和中频辐射体两者连接并在两者之间形成第一耦合缝隙；中频辐射体背离低频辐射体的一侧设有沿第一方向延伸的第一开槽，以拓宽中频辐射体的带宽；高频辐射体和中频辐射体连接并和中频辐射体之间设有第二耦合缝隙，高频辐射体位于第一开槽中。其既可拓宽带宽，又充分的利用了有限空间，结构更紧凑，体积更小，因而更便于本多频段5G天线的安装及在小型化电子设备上的应用。用。用。

【技术实现步骤摘要】
多频段5G天线


[0001]本技术涉及5G天线
，尤其涉及一种多频段5G天线。

技术介绍

[0002]5G天线是随着同心频段需求新提出来的，业界相关天线设计较少，大部分还是4G天线，工作频段仅能覆盖低频段和中频段，而高频段并不能被覆盖。
[0003]现有的5G天线虽然能覆盖高频段，但结构尺寸较大，占用过多空间，不便于安装，也难以应用于小型化的电子设备上。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种结构尺寸更小的多频段5G天线。
[0005]本技术的目的采用如下技术方案实现：
[0006]多频段5G天线，包括基板、以及设于所述基板的同一侧面上的低频辐射体、中频辐射体和高频辐射体；
[0007]所述低频辐射体和所述中频辐射体沿第一方向逐一设置，所述低频辐射体和所述中频辐射体两者连接并在两者之间形成第一耦合缝隙；
[0008]所述中频辐射体背离所述低频辐射体的一侧设有沿所述第一方向延伸的第一开槽；
[0009]所述高频辐射体和所述中频辐射体连接并和所述中频辐射体之间设有第二耦合缝隙，所述高频辐射体位于所述第一开槽中。
[0010]进一步地，所述低频辐射体沿垂直于所述第一方向的第二方向的相对两侧分别设有第一侧面和第二侧面，所述中频辐射体沿所述第二方向的相对两侧分别设有第三侧面和第四侧面，所述第三侧面和所述第一侧面处于同一水平面，所述第四侧面和所述第二侧面处于同一水平面。
[0011]进一步地，所述中频辐射体和所述低频辐射体相对的一侧设有第二开槽；
[0012]所述低频辐射体包括沿所述第一方向逐一设置又相连接的第一低频辐射部和第二低频辐射部，所述第二低频辐射部和所述中频辐射体连接并位于所述第二开槽中，所述第一低频辐射部、所述第二低频辐射部和所述中频辐射体三者之间围成所述第一耦合缝隙。
[0013]进一步地，所述第一低频辐射部包括首尾依序相接并围成第三开槽的第一低频辐射段、第二低频辐射段、第三低频辐射段以及第四低频辐射段，所述第一低频辐射段和所述中频辐射体相对设置，所述第一低频辐射段的首端和所述第四低频辐射段的尾端之间通过所述第三开槽的开口相隔开。
[0014]进一步地，所述第四低频辐射段上设有位于所述第三开槽中的第五低频辐射段。
[0015]进一步地，所述中频辐射体包括设有所述第一开槽的第一中频辐射段、设有所述
第二开槽的第二中频辐射段以及位于所述第二开槽中的第三中频辐射段，所述第一中频辐射段和所述第二中频辐射段沿垂直于所述第一方向的第二方向逐一设置又相连接，所述第三中频辐射段和所述第二低频辐射部连接。
[0016]进一步地，所述第三中频辐射段上设有位于所述第三开槽中的第四中频辐射段，所述第一低频辐射段以及所述第二低频辐射部两者均和所述第四中频辐射段连接。
[0017]进一步地，所述第一低频辐射段和所述第一中频辐射段相对设置并在两者之间围成第一耦合段，所述第二低频辐射部和所述第二中频辐射段之间围成第二耦合段，所述第三中频辐射段和所述第二中频辐射段之间围成第三耦合段，所述第一耦合段、第二耦合段和所述第三耦合段三者依次连通并形成所述第一耦合缝隙。
[0018]进一步地，所述第二低频辐射部和所述第三中频辐射段之间设有第一馈电部，所述第一馈电部位于所述第二耦合段和所述第三耦合段两者的交汇处，所述第二中频辐射段上设有第二馈电部，所述第二馈电部靠近所述第二耦合段和所述第三耦合段两者的交汇处，所述第一馈电部和所述第二馈电部两者均用于与馈线连接。
[0019]进一步地，所述高频辐射体包括第一高频辐射段和第二高频辐射段，所述第一高频辐射段的第一端和所述第一中频辐射段靠近所述第二中频辐射段的一侧连接，所述第二高频辐射段的第一端和所述第一高频辐射段的第二端连接，所述第二高频辐射段的第二端沿所述第一开槽的底壁延伸。
[0020]相比现有技术，本技术的有益效果在于：
[0021]本技术的多频段5G天线，设有的低频辐射体、中频辐射体和高频辐射体通过自身辐射和相互之间的耦合缝隙实现了天线宽带匹配，以及多频带宽工作，使低频辐射体可覆盖低频段：824Mhz
‑
960Mhz，中频辐射体可覆盖中频段：1710Mhz
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2710Mhz，高频辐射体可覆盖高频段：3300MHZ
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3600MHZ和4600MHZ
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5000MHZ，同时，由于低频辐射体和中频辐射体两者沿第一方向逐一设置，而且高频辐射体设于中频辐射体内，既可拓宽带宽，又充分的利用了有限空间，结构更紧凑，体积更小，因而更便于本多频段5G天线的安装及在小型化电子设备上的应用。
附图说明
[0022]图1为本技术的多频段5G天线的结构示意图；
[0023]图2为图1所示的多频段5G天线中的A处局部放大图；
[0024]图3为本技术的多频段5G天线中的低频辐射体的结构示意图；
[0025]图4为本技术的多频段5G天线中的中频辐射体的结构示意图；
[0026]图5为本技术的多频段5G天线中的高频辐射体的结构示意图。
[0027]图中：10、基板；20、低频辐射体；21、第一低频辐射部；211、第一低频辐射段；212、第二低频辐射段；213、第三低频辐射段；214、第四低频辐射段；215、第五低频辐射段；22、第二低频辐射部；23、第三开槽；30、中频辐射体；31、第一中频辐射段；32、第二中频辐射段；33、第三中频辐射段；34、第四中频辐射段；35、第一开槽；36、第二开槽；40、高频辐射体；41、第一高频辐射段；42、第二高频辐射段；50、第一耦合缝隙；51、第一耦合段；52、第二耦合段；53、第三耦合段；60、第二耦合缝隙；70、第一馈电部；80、第二馈电部；90、馈线。
具体实施方式
[0028]下面，结合附图以及具体实施方式，对本技术做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
[0029]参见图1，示出了本技术一较佳实施例的一种多频段5G天线，包括基板10、以及设于基板10的同一侧面上的低频辐射体20、中频辐射体30和高频辐射体40；低频辐射体20和中频辐射体30沿第一方向逐一设置，低频辐射体20和中频辐射体30两者连接并在两者之间形成第一耦合缝隙50；中频辐射体30背离低频辐射体20的一侧设有沿第一方向延伸的第一开槽35，以拓宽中频辐射体30的带宽；高频辐射体40和中频辐射体30连接并和中频辐射体30之间设有第二耦合缝隙60，高频辐射体40位于第一开槽35中。
[0030]本技术的多频段5G天线，设有的低频辐射体20、中频辐射体30和高频辐射体40通过自身辐射和相互之间的耦合缝隙实现了天线宽带匹配，以及多频带宽工作，使低频辐射体20可覆盖低频段：824Mhz本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.多频段5G天线，其特征在于，包括基板、以及设于所述基板的同一侧面上的低频辐射体、中频辐射体和高频辐射体；所述低频辐射体和所述中频辐射体沿第一方向逐一设置，所述低频辐射体和所述中频辐射体两者连接并在两者之间形成第一耦合缝隙；所述中频辐射体背离所述低频辐射体的一侧设有沿所述第一方向延伸的第一开槽；所述高频辐射体和所述中频辐射体连接并和所述中频辐射体之间设有第二耦合缝隙，所述高频辐射体位于所述第一开槽中。2.如权利要求1所述的多频段5G天线，其特征在于，所述低频辐射体沿垂直于所述第一方向的第二方向的相对两侧分别设有第一侧面和第二侧面，所述中频辐射体沿所述第二方向的相对两侧分别设有第三侧面和第四侧面，所述第三侧面和所述第一侧面处于同一水平面，所述第四侧面和所述第二侧面处于同一水平面。3.如权利要求1所述的多频段5G天线，其特征在于，所述中频辐射体和所述低频辐射体相对的一侧设有第二开槽；所述低频辐射体包括沿所述第一方向逐一设置又相连接的第一低频辐射部和第二低频辐射部，所述第二低频辐射部和所述中频辐射体连接并位于所述第二开槽中，所述第一低频辐射部、所述第二低频辐射部和所述中频辐射体三者之间围成所述第一耦合缝隙。4.如权利要求3所述的多频段5G天线，其特征在于，所述第一低频辐射部包括首尾依序相接并围成第三开槽的第一低频辐射段、第二低频辐射段、第三低频辐射段以及第四低频辐射段，所述第一低频辐射段和所述中频辐射体相对设置，所述第一低频辐射段的首端和所述第四低频辐射段的尾端之间通过所述第三开槽的开口相隔开。5.如权利要求4所述的多频段5G天线，其特征在于，所述第四低频辐射段上设有位于所述第三开槽中的第五低频辐射段。6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪碧成，张昌辉，
申请(专利权)人：深圳市奋达科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：