显示面板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:36705862 阅读:13 留言:0更新日期:2023-03-01 09:27
本发明专利技术涉及一种显示面板和显示装置,显示面板包括第一显示区与第二显示区,第二显示区为圆形,宽度和长度均小于5毫米。显示面板包括:第一像素单元,位于基板上,且位于第一显示区;第一像素单元包括第一子像素;第二像素单元,位于基板上,且位于第二显示区;第二像素单元包括第二子像素与透光部;黑矩阵层,位于封装层上;滤光层,位于黑矩阵层上,滤光层包括第一滤光子层与第二滤光子层,第一滤光子层位于第一子像素上,第二滤光子层位于第二子像素上,第二滤光子层的厚度小于第一滤光子层的厚度,滤光层未覆盖透光部。根据本发明专利技术的实施例,有利于显示均匀,可减弱显示的mura感。可减弱显示的mura感。可减弱显示的mura感。

【技术实现步骤摘要】
显示面板和显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]相关技术中,对于手机等电子消费品的屏占比的要求越来越高,水滴屏、刘海屏美观度不高,因此可以实现全屏显示的屏下摄像头技术亟待开发。一般的做法是,在显示面板上设置一个可以同时用于显示和采集图像的显示区,但是,该显示区的亮度低于显示面板上其他显示区,导致显示不均,会有mura感。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种显示面板和显示装置,以解决相关技术中的不足。
[0004]根据本专利技术实施例的第一方面,提供一种显示面板,包括第一显示区与第二显示区,所述第一显示区与第二显示区相邻,其中,所述第二显示区为圆形,宽度和长度均小于5毫米;所述显示面板包括:
[0005]基板;
[0006]第一像素单元,位于所述基板上,且位于所述第一显示区;所述第一像素单元包括第一子像素;
[0007]第二像素单元,位于所述基板上,且位于所述第二显示区;所述第二像素单元包括第二子像素与透光部;所述第二显示区包括阵列排布的第二像素单元,每个所述第二像素单元包括发红光的第二子像素、发绿光的第二子像素、发蓝光的第二子像素以及透光部;
[0008]封装层,位于所述第一像素单元与所述第二像素单元上;
[0009]黑矩阵层,位于所述封装层上;
[0010]滤光层,位于所述黑矩阵层上,所述滤光层包括第一滤光子层与第二滤光子层,所述第一滤光子层位于所述第一子像素上,所述第二滤光子层位于所述第二子像素上,所述第二滤光子层的厚度小于所述第一滤光子层的厚度,所述滤光层未覆盖所述透光部。
[0011]在一个实施例中,红色的第一滤光子层的厚度、绿色的第一滤光子层的厚度以及蓝色的第一滤光子层的厚度不相同。
[0012]在一个实施例中,相邻的两个所述第二像素单元中,发射相同颜色光的所述第二子像素不相邻。
[0013]在一个实施例中,相邻的两个所述第二像素单元中,发红光的所述第二子像素不相邻,发绿光的所述第二子像素不相邻,发蓝光的所述第二子像素不相邻。
[0014]在一个实施例中,所述透光部不相邻,所述透光部的开口与发红光的所述第二子像素的开口、发绿光的所述第二子像素的开口以及发蓝光的所述第二子像素的开口相同。
[0015]在一个实施例中,所述第一滤光子层的厚度为2~4微米,所述第二滤光子层的厚度为1~3微米。
[0016]在一个实施例中,所述滤光层的材料为低温固化材料。
[0017]在一个实施例中,还包括像素限定层,所述像素限定层位于相邻的所述第一子像素之间,和/或,所述像素限定层位于相邻的所述第二子像素之间,和/或,所述像素限定层位于相邻的所述第一子像素与所述第二子像素之间。
[0018]在一个实施例中,所述黑矩阵层位于位于相邻的所述第一滤光子层之间,和/或,所述黑矩阵层位于相邻的所述第二滤光子层之间,和/或,所述黑矩阵层位于相邻的所述第一滤光子层与所述第二滤光子层之间;
[0019]所述黑矩阵层位于所述像素限定层的上方,且所述黑矩阵层在所述基板上的正投影落在所述像素限定层在所述基板上的正投影落内。
[0020]在一个实施例中,所述黑矩阵层的材料为低温固化材料。
[0021]在一个实施例中,所述显示面板还包括背板层,所述背板层位于所述基板上,所述背板层上设有驱动电路层,所述驱动电路层用于驱动所述第一像素单元以及所述第二像素单元发光;所述透光部的下方不设所述驱动电路层。
[0022]在一个实施例中,所述第二子像素包括第一阳极、第一有机发光层与第一阴极,所述第一有机发光层位于所述第一阳极上,所述第一阴极位于所述第一有机发光层上;
[0023]所述透光部包括第一膜层与第二膜层,所述第一膜层与所述第一阳极同层,所述第二膜层与所述第一阴极同层,所述第一膜层与所述第二膜层之间未填充有机发光层;或,
[0024]所述透光部仅包括第二膜层,所述第二膜层与所述第一阴极同层。
[0025]在一个实施例中,所述第一子像素包括第二阳极,所述第二子像素包括第一阳极,所述第二阳极与所述第一阳极同层设置,所述第二阳极是ITO/Ag/ITO夹层结构,所述第一阳极是单层ITO结构。
[0026]在一个实施例中,所述第一显示区至少部分包围所述第二显示区。
[0027]在一个实施例中,所述显示面板还可包括保护层,所述保护层覆盖所述黑矩阵层以及所述滤光层。
[0028]根据本专利技术实施例的第二方面,一种显示装置,包括感光器件与所述的显示面板;
[0029]所述感光器件位于所述基板远离所述滤光层的一侧,且所述感光器件在所述基板上的正投影落在所述第二显示区内。
[0030]根据上述实施例可知,由于位于第二显示区中的第二子像素上的第二滤光子层的厚度小于位于第一显示区中的第一子像素上的第一滤光子层的厚度,这样,第二滤光子层的透光率大于第一滤光子层的透光率,进而可以提高第二显示区的显示亮度,因此,可以缩小因第二显示区中存在的透光部导致的第二显示区的显示亮度与第一显示区的显示亮度的差异,使第二显示区的显示亮度与第一显示区的显示亮度更接近,有利于显示均匀,可以减弱显示的mura感。
[0031]应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本专利技术。
附图说明
[0032]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本专利技术的实施例,并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0033]图1是根据本专利技术实施例示出的一种显示面板的结构示意图;
[0034]图2是根据本专利技术实施例示出的另一种显示面板的结构示意图;
[0035]图3是根据本专利技术实施例示出的另一种显示面板的结构示意图;
[0036]图4是根据本专利技术实施例示出的另一种显示面板的结构示意图;
[0037]图5是根据本专利技术实施例示出的一种色度图;
[0038]图6是根据本专利技术实施例示出的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0039]这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本专利技术相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本专利技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0040]相关技术中,有机发光显示装置由于阴极金属对外界环境光的反射,导致屏幕的对比度和室外可视度较低。一般的解决方法是贴附圆偏光片用于降低反射率,但是由于偏光片成本高,且穿透率偏低,造成屏幕功耗高、寿命低。解决上述问题的方法是在显示装置的封装层上制备色阻结构(滤光片)来取代圆偏光片,根据仿真其穿透率可以达到60%左右,相比圆偏光片有极大的提升。
[0041]另一方面,由于市场上对于手机等消费品的屏占比的要本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括第一显示区与第二显示区,所述第一显示区与第二显示区相邻,其中,所述第二显示区为圆形,宽度和长度均小于5毫米;所述显示面板包括:基板;第一像素单元,位于所述基板上,且位于所述第一显示区;所述第一像素单元包括第一子像素;第二像素单元,位于所述基板上,且位于所述第二显示区;所述第二像素单元包括第二子像素与透光部;所述第二显示区包括阵列排布的第二像素单元,每个所述第二像素单元包括发红光的第二子像素、发绿光的第二子像素、发蓝光的第二子像素以及透光部;封装层,位于所述第一像素单元与所述第二像素单元上;黑矩阵层,位于所述封装层上;滤光层,位于所述黑矩阵层上,所述滤光层包括第一滤光子层与第二滤光子层,所述第一滤光子层位于所述第一子像素上,所述第二滤光子层位于所述第二子像素上,所述第二滤光子层的厚度小于所述第一滤光子层的厚度,所述滤光层未覆盖所述透光部。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,红色的第一滤光子层的厚度、绿色的第一滤光子层的厚度以及蓝色的第一滤光子层的厚度不相同。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,相邻的两个所述第二像素单元中,发射相同颜色光的所述第二子像素不相邻。4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,相邻的两个所述第二像素单元中,发红光的所述第二子像素不相邻,发绿光的所述第二子像素不相邻,发蓝光的所述第二子像素不相邻。5.根据权利要求1或4所述的显示面板,其特征在于,所述透光部不相邻,所述透光部的开口与发红光的所述第二子像素的开口、发绿光的所述第二子像素的开口以及发蓝光的所述第二子像素的开口相同。6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一滤光子层的厚度为2~4微米,所述第二滤光子层的厚度为1~3微米。7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述滤光层的材料为低温固化材料。8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括像素限定层,所述像素限定层位于相邻的所述第一子像素之间,和/或,所述像素限定层位于相邻的所述第二子像素之间,...

【专利技术属性】
技术研发人员:齐璞玉
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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