用于光学装置的多深度膜制造方法及图纸

本公开内容的实施方式涉及形成用于制造光学装置的多深度膜。一个实施方式包含在基板的表面上设置装置材料的基底层。装置材料的一个或多个心轴设置在基底层上。设置一个或多个心轴的步骤包含在基底层上方定位掩模。在掩模位于基底层上方的情况下沉积装置材料以形成光学装置，该光学装置具有具基底层深度的基底层及具有第一心轴深度与第二心轴深度的一个或多个心轴。或多个心轴。或多个心轴。

【技术实现步骤摘要】
用于光学装置的多深度膜
[0001]本申请是申请日为2020年4月8日、申请号为202080026802.3、名称为“用于光学装置的多深度膜”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开内容的实施方式一般涉及光学装置。更具体而言，本文描述的实施方式提供用于制造光学装置的多深度膜的形成。

技术介绍

[0003]光学装置可用于通过在基板上形成的光学装置的结构的空间变化的结构参数(例如，形状、尺寸、定向)来操纵光的传播。光学装置提供空间变化的光学响应，其根据需要塑形光学波前。光学装置的这些结构通过引起局部相位不连续(即，在小于光的波长的距离上的相位的突然改变)来改变光传播。这些结构可由基板上不同类型的材料、形状或配置构成，并且可基于不同的物理原理来操作。
[0004]制造光学装置需要由设置在基板上的装置材料层形成结构。然而，待制造的光学装置的期望性质可能需要具有各种深度的结构。因此，在本领域中需要用于形成用于制造光学装置的多深度膜的方法。

技术实现思路

[0005]在一个实施方式中，提供一种方法。该方法包含在基板的表面上设置装置材料的基底层。基底层具有基底层深度。装置材料的一个或多个心轴设置在基底层上。设置一个或多个心轴的步骤包含在基底层上方定位掩模。掩模具有具第一掩模深度的槽的图案的第一部分及具第二掩模深度的槽的该图案的第二部分。第一掩模深度对应于具有第一心轴深度的心轴，第二掩模深度对应于具有第二心轴深度的心轴。在掩模位于基底层上方的情况下沉积装置材料以形成光学装置，该光学装置具有具基底层深度的基底层及具有第一心轴深度与第二心轴深度的一个或多个心轴。
[0006]在另一个实施方式中，提供一种方法。该方法包含在基板的表面上设置装置材料的基底层。基底层具有基底层深度。装置材料的一个或多个心轴设置在基底层上。设置一个或多个心轴的步骤包含在基底层上方定位第一掩模，并且在第一掩模上方定位第二掩模。第一掩模具有具第一掩模深度的槽的第一图案。第一掩模深度对应于具有第一心轴深度的心轴。第二掩模具有具第二掩模深度的槽的第二图案。第二掩模深度对应于具有第二心轴深度的心轴。在第一掩模与第二掩模位于基底层上方的情况下沉积装置材料以形成光学装置，该光学装置具有具基底层深度的基底层及具有第一心轴深度与第二心轴深度的一个或多个心轴。
[0007]在又另一个实施方式中，提供一种方法。该方法包含在基板的表面上设置装置材料的基底层。基底层具有基底层深度。第一图案化光刻胶设置在基底层上方。第一图案化光刻胶具有第一开口及对应于第一心轴深度的第一厚度。装置材料沉积在第一图案化光刻胶
上方。移除第一图案化光刻胶以形成具有第一心轴深度的一个或多个心轴。第二图案化光刻胶设置在基底层及具有第一心轴深度的一个或多个心轴上方。第二图案化光刻胶具有第二开口及对应于第二心轴深度的第二厚度。装置材料沉积在第二图案化光刻胶上方。移除第二图案化光刻胶以形成具有第一心轴深度及第二心轴深度的一个或多个心轴。
[0008]在另一个实施方式中，一种处理系统包括：工厂接口(factory interface)；设置在工厂接口内的第一致动器；设置在工厂接口内的第二致动器；设置在工厂接口内的对准器站；及与工厂接口耦接的翻转装置(flipper device)。
[0009]在另一个实施方式中，一种组装载具组件的方法包括以下步骤：将载具插入对准站中，该载具上具有掩模；对准载具与掩模；将掩模与载具分离；从对准站移除载具；将基板插入对准站中；使基板与掩模接触；及使载具与基板及掩模接触以产生载具组件。
附图说明
[0010]为了可详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参照实施方式对以上简要总结的本公开内容进行更特定的描述，实施方式中的一些实施方式绘示于附图中。然而，应注意，附图仅绘示示例性实施方式，因此不应视为限制其范围，并且可允许其他等效实施方式。
[0011]图1为根据实施方式的用于形成多深度膜的方法的流程图。
[0012]图2A和图2B为根据实施方式的在用于形成多深度膜的方法期间的基板的示意截面图。
[0013]图3A和图3B为根据实施方式的在用于形成多深度膜的方法期间位于腔室内的基板的示意截面图。
[0014]图3C为根据实施方式的第一掩模的示意俯视图。
[0015]图3D为根据实施方式的第二掩模的示意俯视图。
[0016]图4为根据实施方式的用于形成多深度膜的方法的流程图。
[0017]图5A至图5C为根据实施方式的在用于形成多深度膜的方法期间的基板的示意截面图。
[0018]图6为根据实施方式的载具组件的截面图。
[0019]图7A和图7B为根据实施方式的处理系统及脱机建构工具的示意俯视图。
[0020]图8A和图8B为根据实施方式的装载的前开式标准舱(front opening unified pod)的示意截面图。
[0021]图9A至图9F为图7B中的建构工具在各种操作阶段的示意截面图。
[0022]为了促进理解，在可能的情况下使用了相同的附图标记来指称附图中共有的相同元件。预期一个实施方式的元件和特征可有益地并入其他实施方式中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
[0023]本公开内容的实施方式涉及形成用于制造光学装置的多深度膜。图1为用于形成多深度膜200的方法100的流程图。图2A和图2B为在用于形成多深度膜200的方法100期间的基板201的示意截面图。
[0024]于操作101，如图2A所示，装置材料的基底层202设置在基板201的表面203上。基板
201也可经选择以透射适当量的期望的波长或波长范围的光，如红外区域至UV区域(即，从约700纳米至约1500纳米)中的一个或多个波长。在不受限制下，在一些实施方式中，基板201经配置为使得对光谱的UV区域基板201透射大于或等于约50％、60％、70％、80％、90％、95％、99％。基板201可由任何适合的材料形成，只要基板201可适当地透射期望的波长或波长范围中的光并且可用作光学装置的适当支撑件即可。在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，与装置材料的折射率相比，基板201的材料具有相对较低的折射率。基板选择可包含任何适合的材料的基板，包含但不限于非晶电介质、结晶电介质、氧化硅、聚合物及它们的组合。在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，基板201包含透明材料。在可与本文所述的其他实施方式结合的一个实施方式中，基板201为透明的且吸收系数小于0.001。适合的实例可包含氧化物、硫化物、磷化物、碲化物或它们的组合。
[0025]在可与本文所述的其他实施方式结合的一个实施方式中，在基板201的表面203上方设置装置材料的基底层202的步骤包含但不限于以下中的一或多者：液体材料浇铸(liquid material pour casting)工艺、旋转涂布(spin
‑
on coating)工艺、液体喷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理系统，包括：工厂接口；第一致动器，设置在所述工厂接口内；第二致动器，设置在所述工厂接口内；对准器站，设置在所述工厂接口内；和翻转装置，与所述工厂接口耦接。2.如权利要求1所述的处理系统，其中所述工厂接口包括四个装载端口站。3.如权利要求2所述的处理系统，其中所述翻转装置在所述四个装载端口站中的第一装载端口站处耦接至所述工厂接口，或者所述对准器站设置在所述第一致动器与所述第二致动器之间。4.如权利要求1所述的处理系统，其中所述对准器站包括真空吸盘。5.如权利要求2所述的处理系统，其中所述真空吸盘包括用于吸附基板的内部区域及用于单独吸附掩模的外部区域。6.如权利要求1所述的处理系统，其中所述对准器站包括对准器。7.一种组装载具组件的方法，包括以下步骤：将载具插入对准站中，所述载具上具有掩模；对准...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：