本发明专利技术公开了一种封装电镀金属精细线路的方法,包括以下操作步骤:一次倒梯形光刻图案制作:通过光刻技术,在基板上制作图形,Seed layer制作:通过溅射等工艺制作seed layer,电镀加厚:采用电镀的方式对线路进行加厚处理,光刻胶去除:去除一次光刻胶,二次光刻图形:对需要保留的线路进行二次光刻胶保护,蚀刻:通过湿法刻蚀技术,去除非精细线路间与不同unit间用于电镀导电的线路,再次去除光刻胶,形成封装电镀金属精细线路。本发明专利技术所述的一种封装电镀金属精细线路的方法,通过二次光刻技术,实现光刻CD和线路成品CD保持一致,无需进行额外CD补偿,降低光刻机技术需求和成本;精细线路无undercut,性能更优异;无需干刻技术,具有成本优势。成本优势。成本优势。
【技术实现步骤摘要】
一种封装电镀金属精细线路的方法
[0001]本专利技术涉及封装领域,特别涉及一种封装电镀金属精细线路的方法。
技术介绍
[0002]封装电镀金属精细线路的方法是一种提供电镀seed layer制作封装精细线路的方案,在进行封装线路制作的时候,采用刻蚀的方法,制备精细线路,随着科技的不断发展,人们对于封装电镀金属精细线路的方法的制造工艺要求也越来越高。
[0003]现有的封装电镀金属精细线路的方法在使用时存在一定的弊端,首先,已有技术在制作精细线路时,刻蚀后线宽要小于光刻后线宽,增加光刻机技术要求和制作成本,不利于人们的使用,还有,已有技术刻蚀后会有明显undercut,影响线路和基材结合力,无undercut技术需要使用干刻技术,成本高,给人们的使用过程带来了一定的不利影响,为此,我们提出一种封装电镀金属精细线路的方法。
技术实现思路
[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种封装电镀金属精细线路的方法,通过二次光刻技术,实现光刻CD和线路成品CD保持一致,无需进行额外CD补偿,降低光刻机技术需求和成本;精细线路无undercut,性能更优异;无需干刻技术,具有成本优势,可以有效解决
技术介绍
中的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述目的,本专利技术采取的技术方案为:一种封装电镀金属精细线路的方法,包括以下操作步骤:
[0008]S1:一次倒梯形光刻图案制作:通过光刻技术,在基板上制作图形,光刻的图形为倒梯形,光刻胶可以耐受seed layer制程;
[0009]S2:Seed layer制作:通过溅射等工艺制作seed layer,需要电镀线路位置将seed layer溅射到基板上成型;
[0010]S3:电镀加厚:采用电镀的方式对线路进行加厚处理,满足电性需求;
[0011]S4:光刻胶去除:去除一次光刻胶,保证基板表面位置光刻胶完全去除;
[0012]S5:二次光刻图形:对需要保留的线路进行二次光刻胶保护;
[0013]S6:蚀刻:通过湿法刻蚀等技术,去除非精细线路间与不同unit间用于电镀导电的线路;
[0014]S7:二次光刻胶去除:再次去除光刻胶,保证线路表面位置光刻胶完全去除,形成封装电镀金属精细线路。
[0015]作为本申请一种优选的技术方案,所述S1
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S7步骤中封装电镀金属精细线路制备流程为一次倒梯形光刻图案制作、Seed layer制作、电镀加厚、一次光刻胶去除、二次光刻图形、蚀刻、二次光刻胶去除。
[0016]作为本申请一种优选的技术方案,所述S1与S5步骤中采用二次光刻技术为制作精细线路工艺技术。
[0017]作为本申请一种优选的技术方案,所述二次光刻技术实现光刻CD和线路成品CD保持一致,无需进行额外CD补偿,且无需干刻技术。
[0018]作为本申请一种优选的技术方案,所述S4与S7步骤中采用二次去光刻胶工艺保证线路表面位置光刻胶完全去除。
[0019]作为本申请一种优选的技术方案,所述S7步骤中封装电镀金属精细线路无undercut、无CD loss。
[0020]作为本申请一种优选的技术方案,所述S2步骤中采用溅射与电镀的工艺技术对seed layer进行成型制备。
[0021]作为本申请一种优选的技术方案,所述S6步骤中采用湿法刻蚀工艺技术进行线路中的非精细线路去除。
[0022](三)有益效果
[0023]与现有技术相比,本专利技术提供了一种封装电镀金属精细线路的方法,具备以下有益效果:该一种封装电镀金属精细线路的方法,通过二次光刻技术,实现光刻CD和线路成品CD保持一致,无需进行额外CD补偿,降低光刻机技术需求和成本;精细线路无undercut,性能更优异;无需干刻技术,具有成本优势,提供电镀seed layer制作封装精细线路方案,解决已有方案的CD loss和线路undercut问题,精细线路无undercut、无CD loss,整个封装电镀金属精细线路的方法结构简单,操作方便,使用的效果相对于传统方式更好。
附图说明
[0024]图1为本专利技术一种封装电镀金属精细线路的方法中S1步骤的结构示意图。
[0025]图2为本专利技术一种封装电镀金属精细线路的方法中S2步骤的结构示意图。
[0026]图3为本专利技术一种封装电镀金属精细线路的方法中S3步骤的结构示意图。
[0027]图4为本专利技术一种封装电镀金属精细线路的方法中S4步骤的结构示意图。
[0028]图5为本专利技术一种封装电镀金属精细线路的方法中S5步骤的结构示意图。
[0029]图6为本专利技术一种封装电镀金属精细线路的方法中S6步骤的结构示意图。
[0030]图7为本专利技术一种封装电镀金属精细线路的方法中S7步骤的结构示意图。
具体实施方式
[0031]下面将结合附图和具体实施方式对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述,但是本领域技术人员将会理解,下列所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例,仅用于说明本专利技术,而不应视为限制本专利技术的范围。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0032]在本专利技术的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、
以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]在本专利技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0034]如图1
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7所示,一种封装电镀金属精细线路的方法,包括以下操作步骤:
[0035]S1:一次倒梯形光刻图案制作:通过光刻技术,在基板上制作图形,光刻的图形为倒梯形,光刻胶可以耐受seed layer制程;
[0036]S2:Seed layer制作:通过溅射等工艺制作seed layer,需要电镀线路位置将seed layer溅射到基板上成型;
[0037]S3:电镀加厚:采用电镀的方式对线路进行加厚处理,满足电性需求;
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种封装电镀金属精细线路的方法,其特征在于:包括以下操作步骤:S1:一次倒梯形光刻图案制作:通过光刻技术,在基板上制作图形,光刻的图形为倒梯形,光刻胶可以耐受seed layer制程;S2:Seed layer制作:通过溅射等工艺制作seed layer,需要电镀线路位置将seed layer溅射到基板上成型;S3:电镀加厚:采用电镀的方式对线路进行加厚处理,满足电性需求;S4:光刻胶去除:去除一次光刻胶,保证基板表面位置光刻胶完全去除;S5:二次光刻图形:对需要保留的线路进行二次光刻胶保护;S6:蚀刻:通过湿法刻蚀等技术,去除非精细线路间与不同unit间用于电镀导电的线路;S7:二次光刻胶去除:再次去除光刻胶,保证线路表面位置光刻胶完全去除,形成封装电镀金属精细线路。2.根据权利要求1所述的一种封装电镀金属精细线路的方法,其特征在于:所述S1
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S7步骤中封装电镀金属精细线路制备流程为一次倒梯形光刻图案制作、Seed layer制作、电镀加厚、一次光刻...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄真瑞,殷美庆,
申请(专利权)人:广东赛昉科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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