修复像素和显示设备制造技术

本公开涉及一种修复像素和一种显示设备，其中，包括在所述显示设备中的显示面板包括用于一个像素行的修复像素或用于一个像素行的多个修复像素，使得当在相应的像素行中出现坏像素时可以使用所述修复像素执行修复。使用所述修复像素修复所述坏像素，使得可以提高所述显示面板的良率。显示面板的良率。显示面板的良率。

【技术实现步骤摘要】
修复像素和显示设备


[0001]本专利技术的实施例总体上涉及一种修复像素和一种包括所述修复像素的显示设备。更具体地，本专利技术构思的实施例涉及用于提高显示面板的良率的修复像素和包括所述修复像素的显示设备。

技术介绍

[0002]通常，显示设备包括显示面板和显示面板驱动器。显示面板包括多条栅极线、多条数据线、多条发射线和多个像素。显示面板驱动器包括栅极驱动器、数据驱动器、发射驱动器和驱动控制器。栅极驱动器将栅极信号输出到栅极线。数据驱动器将数据电压输出到数据线。发射驱动器将发射信号输出到发射线。驱动控制器控制栅极驱动器、数据驱动器和发射驱动器。
[0003]如果当像素的电路的一部分中出现缺陷时整个显示面板废弃，则显示面板的良率可能降低。
[0004]本背景部分中公开的上述信息仅用于理解本专利技术构思的背景，并且因此，它可能包含不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的实施例提供一种用于提高显示面板的良率的修复像素。
[0006]本专利技术构思的实施例还提供一种包括所述修复像素的显示设备。
[0007]本专利技术构思的附加特征将在随后的描述中阐明，并且部分地从描述中显而易见，或者可以通过本专利技术构思的实践而获知。
[0008]本专利技术的实施例提供一种修复像素，所述修复像素包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管。所述第一晶体管包括连接到第一节点的控制电极、连接到第二节点的输入电极和连接到第三节点的输出电极。所述第二晶体管包括配置为接收写入栅极信号的控制电极、配置为接收数据电压的输入电极和连接到所述第一节点的输出电极。所述第三晶体管包括配置为接收参考栅极信号的控制电极、配置为接收参考电压的输入电极和连接到所述第一节点的输出电极。所述第四晶体管包括配置为接收初始化栅极信号的控制电极、配置为接收初始化电压的输入电极和连接到所述第三节点的输出电极。所述第五晶体管包括配置为接收发射信号的控制电极、配置为接收第一电源电压的输入电极和连接到所述第二节点的输出电极。所述第六晶体管包括配置为接收所述发射信号的控制电极、连接到所述第三节点的输入电极和连接到修复线的输出电极。
[0009]所述修复像素，可以进一步包括：存储电容器，包括连接到所述第一节点的第一电极和连接到所述第三节点的第二电极。
[0010]所述修复像素，可以进一步包括：保持电容器，包括配置为接收所述第一电源电压的第一电极和连接到所述第三节点的第二电极。
[0011]在第一持续时间中，所述发射信号可以具有无效电平，所述参考栅极信号可以具
有有效电平，所述初始化栅极信号可以具有有效电平，并且所述写入栅极信号可以具有无效电平。
[0012]在所述第一持续时间之后的第二持续时间中，所述发射信号可以具有有效电平，所述参考栅极信号可以具有所述有效电平，所述初始化栅极信号可以具有无效电平，并且所述写入栅极信号可以具有所述无效电平。
[0013]在所述第二持续时间之后的第三持续时间中，所述发射信号可以具有所述无效电平，所述参考栅极信号可以具有无效电平，所述初始化栅极信号可以具有所述无效电平并且所述写入栅极信号可以具有有效电平。
[0014]所述修复像素还可以包括：初始化电容器，包括连接到所述第三节点的第一电极和配置为接收所述初始化电压的第二电极。当所述参考电压为VREF，所述第一晶体管的阈值电压为VTH，所述数据电压为VDATA，所述存储电容器的电容为CST，所述保持电容器的电容为CHOLD，所述初始化电容器的电容为CINT，并且在所述第三持续时间中所述第三节点的电压为VS时，可以满足
[0015][0016]当所述参考电压为VREF，所述第一晶体管的阈值电压为VTH，所述数据电压为VDATA，所述存储电容器的电容为CST，所述保持电容器的电容为CHOLD，并且在所述第三持续时间中所述第三节点的电压为VS时，可以满足
[0017][0018]在所述第三持续时间之后的第四持续时间中，所述发射信号可以具有所述无效电平，所述参考栅极信号可以具有所述无效电平，所述初始化栅极信号可以具有所述有效电平，并且所述写入栅极信号可以具有所述无效电平。
[0019]在所述第三持续时间之后的第五持续时间中，所述发射信号可以具有所述有效电平，所述参考栅极信号可以具有所述无效电平，所述初始化栅极信号可以具有所述无效电平，并且所述写入栅极信号可以具有所述无效电平。
[0020]所述修复像素还可以包括：初始化电容器，包括连接到所述第三节点的第一电极和配置为接收所述初始化电压的第二电极。当所述参考电压为VREF，所述数据电压为VDATA，所述存储电容器的电容为CST，所述保持电容器的电容为CHOLD，所述初始化电容器的电容为CINT，所述第一晶体管的迁移率为μ，所述第一晶体管每单位面积的电容为Cox，所述第一晶体管的宽长比为W/L，并且在所述第五持续时间中的所述第一晶体管的源漏电流为IDS时，可以满足
[0021][0022]当所述参考电压为VREF，所述数据电压为VDATA，所述存储电容器的电容为CST，所述保持电容器的电容为CHOLD，所述第一晶体管的迁移率为μ，所述第一晶体管每单位面积的电容为Cox，所述第一晶体管的宽长比为W/L，并且在所述第五持续时间中的所述第一晶体管的源漏电流为IDS时，可以满足
[0023][0024]本专利技术的另一实施例提供一种包括显示面板、栅极驱动器、数据驱动器和发射驱动器的显示设备。所述显示面板包括正常像素和修复像素。所述栅极驱动器配置为将栅极信号施加到所述正常像素和所述修复像素。所述数据驱动器配置为将数据电压施加到所述正常像素和所述修复像素。所述发射驱动器配置为将发射信号施加到所述正常像素和所述修复像素。所述修复像素包括：第一晶体管，包括连接到第一节点的控制电极、连接到第二节点的输入电极和连接到第三节点的输出电极；第二晶体管，包括配置为接收写入栅极信号的控制电极、配置为接收所述数据电压的输入电极和连接到所述第一节点的输出电极；第三晶体管，包括配置为接收参考栅极信号的控制电极、配置为接收参考电压的输入电极和连接到所述第一节点的输出电极；第四晶体管，包括配置为接收初始化栅极信号的控制电极、配置为接收初始化电压的输入电极和连接到所述第三节点的输出电极；第五晶体管，包括配置为接收所述发射信号的控制电极、配置为接收第一电源电压的输入电极和连接到所述第二节点的输出电极；以及第六晶体管，包括配置为接收所述发射信号的控制电极、连接到所述第三节点的输入电极和连接到修复线的输出电极。
[0025]所述修复像素还可以包括：存储电容器，包括连接到所述第一节点的第一电极和连接到所述第三节点的第二电极。
[0026]所述修复像素还可以包括：保持电容器，包括配置为接收所述第一电源电压的第一电极和连接到所述第三节点的第二电极。
[0027]所述修复像素还可以包括：初始化电容器，包括连接到所述第三节点的第一电极和配置为接收所述初始化电压的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种修复像素，其中，所述修复像素包括：第一晶体管，包括连接到第一节点的控制电极、连接到第二节点的输入电极和连接到第三节点的输出电极；第二晶体管，包括配置为接收写入栅极信号的控制电极、配置为接收数据电压的输入电极和连接到所述第一节点的输出电极；第三晶体管，包括配置为接收参考栅极信号的控制电极、配置为接收参考电压的输入电极和连接到所述第一节点的输出电极；第四晶体管，包括配置为接收初始化栅极信号的控制电极、配置为接收初始化电压的输入电极和连接到所述第三节点的输出电极；第五晶体管，包括配置为接收发射信号的控制电极、配置为接收第一电源电压的输入电极和连接到所述第二节点的输出电极；以及第六晶体管，包括配置为接收所述发射信号的控制电极、连接到所述第三节点的输入电极和连接到修复线的输出电极。2.根据权利要求1所述的修复像素，其中，所述修复像素进一步包括：存储电容器，包括连接到所述第一节点的第一电极和连接到所述第三节点的第二电极。3.根据权利要求2所述的修复像素，其中，所述修复像素进一步包括：保持电容器，包括配置为接收所述第一电源电压的第一电极和连接到所述第三节点的第二电极。4.根据权利要求3所述的修复像素，其中，在第一持续时间中，所述发射信号具有无效电平，所述参考栅极信号具有有效电平，所述初始化栅极信号具有有效电平，并且所述写入栅极信号具有无效电平。5.根据权利要求4所述的修复像素，其中，在所述第一持续时间之后的第二持续时间中，所述发射信号具有有效电平，所述参考栅极信号具有所述有效电平，所述初始化栅极信号具有无效电平并且所述写入栅极信号具有所述无效电平。6.根据权利要求5所述的修复像素，其中，在所述第二持续时间之后的第三持续时间中，所述发射信号具有所述无效电平，所述参考栅极信号具有无效电平，所述初始化栅极信号具有所述无效电平并且所述写入栅极信号具有有效电平。7.根据权利要求6所述的修复像素，其中，所述修复像素进一步包括：初始化电容器，包括连接到所述第三节点的第一电极和配置为接收所述初始化电压的第二电极，并且其中，当所述参考电压为VREF，所述第一晶体管的阈值电压为VTH，所述数据电压为VDATA，所述存储电容器的电容为CST，所述保持电容器的电容为CHOLD，所述初始化电容器的电容为CINT，并且在所述第三持续时间中所述第三节点的电压为VS时，满足8.根据权利要求6所述的修复像素，其中，当所述参考电压为VREF，所述第一晶体管的阈值电压为VTH，所述数据电压为VDATA，所述存储电容器的电容为CST，所述保持电容器的电容为CHOLD，并且在所述第三持续时间中所述第三节点的电压为VS时，满足9.根据权利要求6所述的修复像素，其中，在所述第三持续时间之后的第四持续时间
中，所述发射信号具有所述无效电平，所述参考栅极信号具有所述无效电平，所述初始化栅极信号具有所述有效电平，并且所述写入栅极信号具有所述无效电平。10.根据权利要求6所述的修复像素，其中，在所述第三持续时间之后的第五持续时间中，所述发射信号具有所述有效电平，所述参考栅极信号具有所述无效电平，所述初始化栅极信号具有所述无效电平，并且所述写入栅极信号具有所述无效电平。11.根据权利要求10所述的修复像素，其中，所述修复像素进一步包括：初始化电容器，包括连接到所述第三节点的第一电极和配置为接收所述初始化电压的第二电极，并且其中，当所述参考电压为VREF，所述数据电压为VDATA，所述存储电容器的电容为CST，所述保持电容器的电容为CHOLD，所述初始化电容器的电容为CINT，所述第一晶体管的迁移率为μ，所述第一晶体管每单位面积的电容为Cox，所述第一晶体管的宽长比为W/L，并且在所述第五持续时间中的所述第一晶体管的源
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漏电流为IDS时，满足12.根据权利要求10所述的修复像素，其中，当所述参考电压为VREF，所述数据电压为...

【专利技术属性】
技术研发人员：印海静，孙成旼，宋在晋，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
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