一种基于微电阻率成像的高分辨率电阻率提取方法技术

本发明专利技术涉及非常规油气藏地层测井评价技术领域，是一种基于微电阻率成像的高分辨率电阻率提取方法，其包括对电成像资料按按深度进行直方图统计，电成像资料满足偏度系数和峰度系数均小于1；按电成像采样间距点对点刻度方法将电成像资料由电导率刻度成电阻率图像；求取P35、P50和P65；以P35、P50和P65三者的平均值作为高分辨率电阻率的值。本发明专利技术主要是充分的利用了电成像资料极高的纵向分辨率，采用数理统计的方法提取了一条高分辨率电阻率，本发明专利技术所述方法对储层薄层的分辨能力提高到与电成像资料本身具有相同的高分辨率，对于厚度大于0.5cm的薄层均能够准确的识别，从而对有效厚度做进一步的准确统计。度做进一步的准确统计。度做进一步的准确统计。

【技术实现步骤摘要】
一种基于微电阻率成像的高分辨率电阻率提取方法


[0001]本专利技术涉及非常规油气藏地层测井评价
，是一种基于微电阻率成像的高分辨率电阻率提取方法。

技术介绍

[0002]随着石油勘探程度的深入，勘探目标逐渐转向非常规油气藏，而致密油、页岩油等储层均具有非均值性强、薄互层发育的特点，这种具有薄互层特征的储层单层厚度普遍小于常规测井仪器的纵向分辨率，主流仪器的纵向分辨率在30cm至60cm，因此，在计算的含油饱和度与分析含油饱和度方面误差大，不能划分储层有效厚度，而储层有效厚度是进行储层评价一个关键参数，准确统计储层的有效厚度是测井评价和储量计算的重要任务之一。
[0003]目前利用电成像资料提取高分辨率电阻率的方法只有斯伦贝谢采用的分段线性刻度方法，该方法能够满足20cm以上的薄层识别，但是对于厚度在20cm以下的薄层分辨能力较差，这主要取决于该方法的两个缺陷，第一是在进行电成像资料刻度的时候，采用了分段线性的方法，从而人为的降低了纵向分辨率，使得合成的电阻率纵向分辨率低于电成像资料本身的分辨率；第二是该方法采用的是浅电阻率刻度，而浅电阻率在采集过程中容易受到井筒环境的影响，从而使得提取的高分辨率电阻率准确性受到影响。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种基于微电阻率成像的高分辨率电阻率提取方法，克服了上述现有技术之不足，其能有效解决现有测井评价技术对厚度在20cm以下的薄层分辨能力较差的问题。本专利技术可提取一条能够代表地层真实电阻率的高分辨率电阻率。
[0005]本专利技术的技术方案是通过以下措施来实现的：一种基于微电阻率成像的高分辨率电阻率提取方法，包括下述步骤：
[0006]步骤一：选取经过加速度校正、坏电极去除以及极板串联后的电成像资料，对电成像资料按深度进行直方图统计，电成像资料需要满足偏度系数和峰度系数均小于1，说明电阻率的分布近似服从正态分布，适用于本专利技术提供的方法进行高分辨率电阻率的提取，若偏度系数和峰度系数均大于1，则利用本专利技术提取的高分辨率电阻率准确性将存在不确定性；
[0007]步骤二：按电成像采样间距点对点刻度方法将电成像资料由电导率刻度成电阻率图像；
[0008]步骤三：根据各深度点上电阻率的正太分布特点，设某一深度的某个纽扣测量电阻率为x,则x是值大于0的连续型随机变量,F(x)为X的分布函数，
[0009]F(x)＝P{X≤x}
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(0＜x＜∞)
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(1)
[0010]设密度函数为f(x)，则
[0011][0012]根据二分法、割线法或切线法则可求得任意分布概率的电阻率值，这里求得P35、
P50和P65，P35、P50、P65分别为累计概率为35％、50％、65％时的电阻率值，即P35、P50、P65分别为对应的电阻率x值；
[0013]步骤四：采用高概率平均的思路求取最能代表该深度点电阻率的值，该值即为高分辨率电阻率的值，计算P35、P50和P65的平均值，合成高分辨率电阻率；
[0014]HIGH＝(P35+P50+P65)/3
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(3)
[0015]其中，HIGH为高分辨率电阻率。
[0016]下面是对上述专利技术技术方案的进一步优化或/和改进：
[0017]上述步骤二中，按深度电成像采样间距点对点刻度方法将电成像资料由电导率刻度成电阻率图像，刻度电阻率选取深电阻率，刻度公式为：
[0018][0019]其中，R
i
为每个纽扣电极经过深电阻率刻度后的电阻率值，n为电成像仪器纽扣的数量，ri为每个纽扣的测量的电导率值，R
LLD
为常规测井的深电阻率值。
[0020]与常规的电成像刻度采用浅电阻刻度不同的是，本方法采用深电阻率进行刻度，目的是保证刻度后的电阻率能够最大程度的与地层真实电阻率接近，另外刻度方法采用按电成像采样间距点对点刻度法，优点在于该刻度方法可以保证提取的电阻率纵向分辨率与电成像原始资料的纵向分辨率保持一致。
[0021]本专利技术主要是充分的利用了电成像资料极高的纵向分辨率，采用数理统计的方法提取了一条高分辨率电阻率，本专利技术所述方法对储层薄层的分辨能力提高到与电成像资料本身具有相同的高分辨率，对于厚度大于0.5cm的薄层均能够准确的识别，从而对有效厚度做进一步的准确统计。
附图说明
[0022]附图1为本专利技术所述基于微电阻率的高分辨率电阻率的提取方法的流程图。
[0023]附图2为本专利技术提取高分辨率电阻率的原理图。
[0024]附图3为按照本专利技术所述方法对JI222井FMI电成像的直方图统计成果图。
[0025]附图4为JI222井采用本专利技术和斯伦贝谢两种方法提取的高分辨率曲线纵向分辨率对比图。
[0026]附图3中，第一道为深度道，第二道为电成像图，第三道为直方图，第四道为偏度系数，第五道为峰度系数。
[0027]附图4中，第一道为深度道，第二道为电成像图，第三道为本专利技术提供的方法提取的高分辨率电阻率曲线，第四道为采用斯伦贝谢线性刻度方法提取的高分辨率电阻率曲线。
具体实施方式
[0028]本专利技术不受下述实施例的限制，可根据本专利技术的技术方案与实际情况来确定具体的实施方式。
[0029]下面结合实施例对本专利技术作进一步描述：
[0030]实施例1：如附图1所示，该基于微电阻率成像的高分辨率电阻率提取方法，包括下述步骤：
[0031]步骤101：选取经过加速度校正、坏电极去除以及极板串联后的电成像资料，对电成像资料按按深度进行直方图统计，电成像资料需要满足偏度系数和峰度系数均小于1；
[0032]步骤102：按电成像采样间距点对点刻度方法将电成像资料由电导率刻度成电阻率图像；
[0033]步骤103：采用二分法、割线法或切线法求得P35、P50和P65；
[0034]步骤104：计算P35、P50和P65的平均值，合成高分辨率电阻率。
[0035]实施例2：该基于微电阻率成像的高分辨率电阻率提取方法，包括下述步骤：
[0036]1)选取JI222井经过加速度校正、坏电极去除以及极板串联后的FMI电成像资料，选取0.5m的窗长和0.2m的步长，对电成像资料按按深度进行直方图统计，从图3可以看出，本井电成像偏度系数和峰度系数均小于1，说明电阻率的分布可认为近似服从正态分布，适用于本专利技术提供的方法；
[0037]2)按深度电成像采样间距点对点刻度方法将电成像资料由电导率刻度成电阻率图像，刻度电阻率选取深电阻率，刻度公式为：
[0038][0039]3)求P35、P50和P65，P50、P65分别为累计概率为35％、50％、65％时的电阻率值，即P35、P50、P65分别为对应的电阻率x值，如图2；
[0040]4)采用高概率平均的思路求取最能代表该深度点电阻率的值，该值即为高分辨率电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于微电阻率成像的高分辨率电阻率提取方法，其特征在于包括下述步骤：步骤一：选取经过加速度校正、坏电极去除以及极板串联后的电成像资料，对电成像资料按深度进行直方图统计，电成像资料需要满足偏度系数和峰度系数均小于1；步骤二：按电成像采样间距点对点刻度方法将电成像资料由电导率刻度成电阻率图像；步骤三：设某一深度的某个纽扣测量电阻率为x,则x是值大于0的连续型随机变量,F(x)为X的分布函数，F(x)＝P{X≤x}(0＜x＜∞)
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(1)设密度函数为f(x)，则P35、P50、P65分别为累计概率为35％、50％、65％时的电阻率值，即P35、P50、P65分别为对应的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈斌，张凯，蔺敬旗，曹志锋，隆山，甘仁忠，王先虎，高衍武，王雪亮，陈敬，陈华勇，杨星星，陈火红，刘洁梨，王婷婷，
申请(专利权)人：中国石油集团测井有限公司，
类型：发明
国别省市：