数据读写方法、装置、计算机设备及可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种数据读写方法、装置、计算机设备及可读存储介质，用于通过SRAM在DRAM中读写数据，所述方法包括：向所述DRAM写数据时，将第一目标数据写入SRAM的第一缓存区域，并生成写数据控制信息；根据所述写数据控制信息将所述第一目标数据写入所述DRAM；从所述DRAM读数据时，生成读数据控制信息；根据所述读数据控制信息从所述DRAM读取第二目标数据，并将所述第二目标数据写入所述SRAM的第二缓存区域；从所述第二缓存区域读取所述第二目标数据。本发明专利技术使用SRAM作为中间介质，使得CPU能够对DRAM中的大量数据进行读写，有效增加了CPU读写DRAM中数据的读写效率。加了CPU读写DRAM中数据的读写效率。加了CPU读写DRAM中数据的读写效率。

【技术实现步骤摘要】
数据读写方法、装置、计算机设备及可读存储介质


[0001]本专利技术涉及固态硬盘
，尤其涉及一种数据读写方法、装置、计算机设备及可读存储介质。

技术介绍

[0002]随着云计算，人工智能和物联网等产品的高速发展，终端产品和服务器对固态硬盘SSD的存储容量的需求越来越大，对数据读写速率的要求也越来越快，而固态硬盘SSD在没有动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)的方案中，很难做到全盘读写数据不降速的要求。
[0003]按照现有读写方案，CPU在读取DRAM中的数据时，往往会长时间占用CPU的工作资源，造成CPU工作效率低的问题，进而影响数据读写的效率。
[0004]因此，亟需一种读写效率更高的数据读写方案。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种数据读写方法、装置、计算机设备及可读存储介质，具体方案如下：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种数据读写方法，用于通过SRAM在DRAM中读写数据，所述方法包括：
[0007]向所述DRAM写数据时，将第一目标数据写入所述SRAM的第一缓存区域，并生成写数据控制信息，所述写数据控制信息包括所述第一目标数据在所述DRAM的预设存储地址；
[0008]根据所述写数据控制信息将所述第一目标数据写入所述DRAM；
[0009]从所述DRAM读数据时，生成读数据控制信息，所述读数据控制信息包括第二目标数据在所述DRAM的预设存储地址；
[0010]根据所述读数据控制信息从所述DRAM读取所述第二目标数据，并将所述第二目标数据写入所述SRAM的第二缓存区域；
[0011]从所述第二缓存区域读取所述第二目标数据。
[0012]根据本申请实施例的一种具体实施方式，向所述DRAM写数据时，若所述第一目标数据在所述DRAM中的预设存储地址是连续的，所述方法还包括：
[0013]连续将所述第一目标数据写入所述第一缓存区域，直至所述第一缓存区域被存满；
[0014]当所述第一缓存区域被存满时，判断所述第一目标数据是否已被完全写入所述第一缓存区域；
[0015]若所述第一目标数据已被完全写入所述第一缓存区域，跳转执行所述根据所述写数据控制信息将所述第一目标数据写入所述DRAM的步骤；
[0016]若所述第一目标数据未被完全写入所述第一缓存区域，在所述第一缓存区域中的数据被清空时，将剩余的所述第一目标数据连续写入所述第一缓存区域。
[0017]根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述方法还包括：
[0018]从SRAM的预设指针存储区域读取硬件已读取SRAM数据指针，从预设寄存器读取固件已写入SRAM数据指针；
[0019]判断固件已写入SRAM数据指针是否等于硬件已读取SRAM数据指针；
[0020]若所述固件已写入SRAM数据指针等于硬件已读取SRAM数据指针，确定所述第一缓存区域被清空。
[0021]根据本申请实施例的一种具体实施方式，向所述DRAM写数据时，若所述第一目标数据在所述DRAM中的预设存储地址是非连续的，所述方法还包括：
[0022]将所述第一目标数据及其对应的DRAM地址分为多帧写数据指令，分别写入所述SRAM的第三缓存区域，并生成写数据配置信息；
[0023]根据所述写数据配置信息依次将所述第三缓存区域中的第一目标数据写入其对应的DRAM地址中。
[0024]根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述根据所述写数据配置信息依次将所述第三缓存区域中的第一目标数据写入其对应的DRAM地址中，包括：
[0025]根据所述写数据配置信息将一帧写数据指令中包括的第一目标数据写入其对应的DRAM地址后，从所述第三缓存区域读取下一帧写数据指令，直至写入所述DRAM中的第一目标数据的数据量等于所述写数据配置信息的预设写入数据量。
[0026]根据本申请实施例的一种具体实施方式，从所述DRAM读数据时，若所述第二目标数据在所述DRAM中的存储地址是连续的，所述方法还包括：
[0027]根据所述读数据控制信息连续从所述DRAM读取所述第二目标数据，直至所述第二目标数据的数据量等于所述读数据控制信息中的预设读取数据量；
[0028]将所述第二目标数据写入所述SRAM的第二缓存区域，直至所述第二缓存区域被存满；
[0029]当所述第二缓存区域被存满时，判断所述第二目标数据是否已被完全写入所述第二缓存区域；
[0030]若所述第二目标数据已被完全写入所述第二缓存区域，跳转从所述第二缓存区域读取所述第二目标数据的步骤；
[0031]若所述第二目标数据未被完全写入所述第二缓存区域，在所述第二缓存区域中的数据被清空时，将剩余的所述第二目标数据连续写入所述第二缓存区域。
[0032]根据本申请实施例的一种具体实施方式，从所述DRAM读数据时，若所述第二目标数据在所述DRAM中的存储地址是非连续的，所述方法还包括：
[0033]生成读数据配置信息；
[0034]将所述读数据配置信息写入所述SRAM的第三缓存区域；
[0035]从所述第三缓存区域依次调用所述读数据配置信息，根据所述读数据配置信息将所述第二目标数据写入所述SRAM的第二缓存区域；
[0036]从所述第二缓存区域读取所述第二目标数据。
[0037]第二方面，本申请实施例提供了一种数据读写装置，用于通过SRAM在DRAM中读写数据，所述数据读写装置包括：
[0038]写数据模块，用于向所述DRAM写数据时，将第一目标数据写入所述SRAM的第一缓
存区域，并生成写数据控制信息，所述写数据控制信息包括所述第一目标数据在所述DRAM的预设存储地址；根据所述写数据控制信息将所述第一目标数据写入所述DRAM；
[0039]读数据模块，用于生成读数据控制信息，所述读数据控制信息包括第二目标数据在所述DRAM的预设存储地址；根据所述读数据控制信息从所述DRAM读取所述第二目标数据，并将所述第二目标数据写入所述SRAM的第二缓存区域；从所述第二缓存区域读取所述第二目标数据。
[0040]第三方面，本申请实施例提供了一种计算机设备，所述计算机设备包括处理器和存储器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序在所述处理器上运行时执行第一方面及第一方面任一实施方式所述的数据读写方法。
[0041]第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序在处理器上运行时执行第一方面及第一方面任一实施方式所述的数据读写方法。
[0042]本申请实施例提供了一种数据读写方法、装置、计算机设备及可读存储介质，用于通过SRAM在DRAM中读写数据，所述方法包括：向所述DRAM写数据时，将第一目标数据写入所述SRAM的第一缓存区域，并生成写数据控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据读写方法，其特征在于，用于通过SRAM在DRAM中读写数据，所述方法包括：向所述DRAM写数据时，将第一目标数据写入所述SRAM的第一缓存区域，并生成写数据控制信息，所述写数据控制信息包括所述第一目标数据在所述DRAM的预设存储地址；根据所述写数据控制信息将所述第一目标数据写入所述DRAM；从所述DRAM读数据时，生成读数据控制信息，所述读数据控制信息包括第二目标数据在所述DRAM的预设存储地址；根据所述读数据控制信息从所述DRAM读取所述第二目标数据，并将所述第二目标数据写入所述SRAM的第二缓存区域；从所述第二缓存区域读取所述第二目标数据。2.根据权利要求1所述的数据读写方法，其特征在于，向所述DRAM写数据时，若所述第一目标数据在所述DRAM中的预设存储地址是连续的，所述方法还包括：连续将所述第一目标数据写入所述第一缓存区域，直至所述第一缓存区域被存满；当所述第一缓存区域被存满时，判断所述第一目标数据是否已被完全写入所述第一缓存区域；若所述第一目标数据已被完全写入所述第一缓存区域，跳转执行所述根据所述写数据控制信息将所述第一目标数据写入所述DRAM的步骤；若所述第一目标数据未被完全写入所述第一缓存区域，在所述第一缓存区域中的数据被清空时，将剩余的所述第一目标数据连续写入所述第一缓存区域。3.根据权利要求2所述的数据读写方法，其特征在于，所述方法还包括：从SRAM的预设指针存储区域读取硬件已读取SRAM数据指针，从预设寄存器读取固件已写入SRAM数据指针；判断固件已写入SRAM数据指针是否等于硬件已读取SRAM数据指针；若所述固件已写入SRAM数据指针等于硬件已读取SRAM数据指针，确定所述第一缓存区域被清空。4.根据权利要求1所述的数据读写方法，其特征在于，向所述DRAM写数据时，若所述第一目标数据在所述DRAM中的预设存储地址是非连续的，所述方法还包括：将所述第一目标数据及其对应的DRAM地址分为多帧写数据指令，分别写入所述SRAM的第三缓存区域，并生成写数据配置信息；根据所述写数据配置信息依次将所述第三缓存区域中的第一目标数据写入其对应的DRAM地址中。5.根据权利要求4所述的数据读写方法，其特征在于，所述根据所述写数据配置信息依次将所述第三缓存区域中的第一目标数据写入其对应的DRAM地址中，包括：根据所述写数据配置信息将一帧写数据指令中包括的第一目标数据写入其对应的DRAM地址后，从所述第三缓存区域读取下一帧写数...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金先，刘海亮，
申请(专利权)人：江苏芯盛智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：