发光器件及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例公开了一种发光器件及其制作方法、显示面板；该发光器件包括发光材料层及位于该发光材料层上的电子传输层；其中，该发光材料层包含第一金属元素，该电子传输层包括含硫ZnO层，该含硫ZnO层中的硫元素与该第一金属元素之间连接有配位键；本发明专利技术实施例通过含硫ZnO层上的硫元素与发光材料层表面的第一金属元素结合形成配位键，形成了新的电子传输路径，减小了界面势垒，加快了电子传输层到发光材料层的电子传输速率，有利于提升发光器件的光电性能和稳定性。的光电性能和稳定性。的光电性能和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制作方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种发光器件及其制作方法、显示面板。

技术介绍

[0002]近些年，无机纳米颗粒氧化锌薄膜作为量子点发光二极管器件的电子传输层可以提供较好的显示色域及较高的发光寿命，有着传统有机材料无法比拟的优势，然而氧化锌薄膜与量子点发光二极管器件之间的界面势垒较高，电子传输层到发光材料层的电子传输速率较低，量子点工作效率较低。
[0003]因此，亟需一种发光器件及其制作方法、显示面板以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种发光器件及其制作方法、显示面板，可以缓解目前氧化锌薄膜与量子点发光二极管器件之间的界面势垒较高，量子点工作效率较低的技术问题。
[0005]本专利技术实施例提供了一种发光器件，包括发光材料层及位于所述发光材料层上的电子传输层；
[0006]其中，所述发光材料层包含第一金属元素，所述电子传输层包括含硫ZnO层，所述含硫ZnO层中的至少部分硫元素与所述第一金属元素之间连接有配位键。
[0007]在一实施例中，所述含硫ZnO层中的硫元素与所述含硫ZnO层中的锌元素之间连接有共价键。
[0008]在一实施例中，所述电子传输层还包括位于所述含硫ZnO层与所述发光材料层之间的ZnS层。
[0009]在一实施例中，在远离所述发光材料层的方向上，所述含硫ZnO层中的硫元素含量逐渐降低。
[0010]在一实施例中，在所述含硫ZnO层中，硫元素与氧元素之间的摩尔比为1:5至1:20。
[0011]在一实施例中，所述发光器件还包括位于所述电子传输层上远离所述发光材料层一侧的阴极层、位于所述发光材料层远离所述电子传输层一侧的空穴功能层及位于所述空穴功能层上的阳极层；和/或所述发光材料层的材料为量子点，所述量子点包括元素周期表II
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VI族、III
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V族、IV
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VI族、
Ⅷ‑Ⅵ
族、I
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III
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VI族、II
‑
IV
‑
VI族、II
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IV
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V族中单一结构量子点或者核壳结构量子点，所述单一结构量子点选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、CuInS、CdSeTe中任一种，所述核壳结构量子点的核包括CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP、InGaN中的至少一种，所述核壳结构量子点的壳选自ZnSe、ZnS、ZnSeS中的至少一种，所述第一金属元素为量子点中任一金属元素。
[0012]本专利技术实施例还提供了一种发光器件的制作方法，包括：
[0013]在衬底上形成ZnO膜层、发光材料膜层及位于所述发光材料膜层与所述ZnO膜层之间的单前躯体源膜层，以构成第一基板，所述单前躯体源膜层包括单前躯体源；
[0014]对所述第一基板进行退火处理，以形成含硫ZnO层；
[0015]其中，所述单前躯体源包括单硫前躯体或/和锌硫前躯体。
[0016]在一实施例中，所述单前躯体源选自N,N
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二乙基二硫代氨基甲酸锌、乙基黄原酸锌、异丙基黄原酸锌、丁基黄原酸锌中的至少一种。
[0017]在一实施例中，所述对所述第一基板进行退火处理包括：
[0018]将所述第一基板升温至第一温度并保温第一时间；
[0019]将所述第一基板降温至室温；
[0020]其中，所述第一温度为60℃至150℃，所述第一时间为10分钟至60分钟。
[0021]在一实施例中，所述将所述第一基板降温至室温的步骤包括：
[0022]依次经历第二降温速率及第三降温速率，将所述第一基板降温至室温；
[0023]其中，所述第二降温速率大于所述第三降温速率。
[0024]本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括如任一上述的发光器件及阵列基板。
[0025]在一实施例中，所述发光材料层包括红色发光单元、绿色发光单元及蓝色发光单元，所述含硫ZnO层包括与所述红色发光单元对应的红色含硫ZnO单元、与所述绿色发光单元对应的绿色含硫ZnO单元及与所述蓝色发光单元对应的蓝色含硫ZnO单元；其中，所述红色含硫ZnO单元的厚度大于所述绿色含硫ZnO单元的厚度，所述绿色含硫ZnO单元的厚度大于所述蓝色含硫ZnO单元的厚度。
[0026]本专利技术实施例通过含硫ZnO层上的硫元素与发光材料层表面的第一金属元素结合形成配位键，形成了新的电子传输路径，减小了界面势垒，加快了电子传输层到发光材料层的电子传输速率，有利于提升发光器件的光电性能和稳定性。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1是本专利技术实施例提供的发光器件的第一种结构的结构示意图；
[0029]图2是本专利技术实施例提供的发光器件的第二种结构的结构示意图；
[0030]图3是本专利技术实施例提供的发光器件的制作方法的步骤流程图；
[0031]图4是本专利技术实施例提供的发光器件的制作方法的第一种流程示意图；
[0032]图5是本专利技术实施例提供的发光器件的制作方法的第二种流程示意图；
[0033]图6是本专利技术实施例提供的显示面板的第一种结构的结构示意图；
[0034]图7是本专利技术实施例提供的显示面板的第二种结构的结构示意图。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方
位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0036]近些年，无机纳米颗粒氧化锌薄膜作为量子点发光二极管器件的电子传输层可以提供较好的显示色域及较高的发光寿命，有着传统有机材料无法比拟的优势，然而氧化锌薄膜与量子点发光二极管器件之间的界面势垒较高，电子传输层到发光材料层的电子传输速率较低，量子点工作效率较低。
[0037]请参阅图1、图2，本专利技术实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括发光材料层及位于所述发光材料层上的电子传输层；其中，所述发光材料层包含第一金属元素，所述电子传输层包括含硫ZnO层，所述含硫ZnO层中的至少部分硫元素与所述第一金属元素之间连接有配位键。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述含硫ZnO层中的硫元素与所述含硫ZnO层中的锌元素之间连接有共价键。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层还包括位于所述含硫ZnO层与所述发光材料层之间的ZnS层。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在远离所述发光材料层的方向上，所述含硫ZnO层中的硫元素含量逐渐降低。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在所述含硫ZnO层中，硫元素与氧元素之间的摩尔比为1:5至1:20。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括位于所述电子传输层上远离所述发光材料层一侧的阴极层、位于所述发光材料层远离所述电子传输层一侧的空穴功能层及位于所述空穴功能层上的阳极层；和/或所述发光材料层的材料为量子点，所述量子点包括元素周期表II
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VI族、III
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族、I
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VI族、II
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VI族、II
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V族中单一结构量子点或者核壳结构量子点，所述单一结构量子点选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、CuInS、CdSeTe中任一种，所述核壳结构量子点的核包括CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、P...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：