一种发光二极管晶片与发光二极管晶片装置，发光二极管晶片包含半导体层、绝缘层、第一电极及第二电极。半导体层具有侧壁与相对的顶侧与底侧，侧壁连接顶侧及底侧，且半导体层的顶侧上具有凹凸结构。绝缘层覆盖半导体层的侧壁与底侧，其中绝缘层具有突出部，突出部沿平行侧壁的方向延伸突出于凹凸结构，凹凸结构的最高点与突出部的最高点之间的垂直距离大于0.5微米且小于4倍的半导体层的厚度。第一电极在半导体层的底侧上且贯穿绝缘层。第二电极与第一电极相邻，在半导体层的底侧上且贯穿绝缘层。层。层。
【技术实现步骤摘要】
发光二极管晶片与发光二极管晶片装置
[0001]本揭露的一些实施方式是关于发光二极管晶片与发光二极管晶片装置，尤其是关于发光二极管晶片与发光二极管晶片装置的绝缘层。
技术介绍
[0002]近年来，各种新型态的显示器逐渐兴起。这些显示器大多朝向解析度增加以及节能的方向发展，微型发光二极管(micro light
‑
emitting diode，μLED)即为其中一重要发展型态。
[0003]微型发光二极管将传统发光二极管尺寸微缩至约100微米以下甚至数十微米的数量级。在此数量级下，相同面积内的发光二极管数量遽增，因此发光二极管自生长基板转移至显示板的良率需达99％以上。以现今的制程技术，此巨量转移(mass transfer)尚有许多技术难题待解决。
技术实现思路
[0004]本揭露的一些实施方式为一种发光二极管晶片，包含半导体层、绝缘层、第一电极及第二电极。半导体层具有侧壁与相对的顶侧与底侧，侧壁连接顶侧及底侧，且半导体层的顶侧上具有凹凸结构。绝缘层覆盖半导体层的侧壁与底侧，其中绝缘层具有突出部，突出部沿平行侧壁的方向延伸突出于凹凸结构，凹凸结构的最高点与突出部的最高点之间的垂直距离大于0.5微米且小于4倍的半导体层的厚度。第一电极在半导体层的底侧上且贯穿绝缘层。第二电极与第一电极相邻，在半导体层的底侧上且贯穿绝缘层。
[0005]在一些实施方式中，绝缘层的突出部于垂直侧壁的方向上的厚度在0.4微米至3.5微米之间。
[0006]在一些实施方式中，突出部的最高点与凹凸结构的中心点形成连线，连线与半导体层的水平截面形成第一角度，第一角度在1度至10度的范围之间。
[0007]在一些实施方式中，绝缘层的突出部的上表面为平面。
[0008]在一些实施方式中，绝缘层的突出部的上表面向半导体层倾斜。
[0009]在一些实施方式中，上表面与半导体层的水平截面形成第二角度，凹凸结构的表面与半导体层的水平截面形成第三角度，第二角度小于第三角度。
[0010]在一些实施方式中，突出部为封闭环状，且沿半导体层周缘设置以环绕半导体层。
[0011]在一些实施方式中，突出部为包含至少一个开口的非封闭环状，且沿半导体层周缘设置以环绕半导体层。
[0012]在一些实施方式中，突出部包含至少一对子突出部，至少一对子突出部以半导体层的几何中心点对称地设置于半导体层周缘上。
[0013]在一些实施方式中，绝缘层能够反射半导体层发出的光。
[0014]在一些实施方式中，绝缘层包含分布式布拉格反射器。
[0015]在一些实施方式中，绝缘层的材料包含氧化物、氮化物或其组合。
[0016]本揭露的一些实施方式为一种发光二极管晶片装置，包含载板及多个发光二极管晶片。多个发光二极管晶片排列在载板上。
[0017]本揭露中的绝缘层的突出部可以减少发光二极管晶片与胶材的接触面积，进而减少两者之间的粘着力。因此，在转移发光二极管晶片时，发光二极管晶片不会因为发光二极管晶片与胶材之间过大的粘着力而无法完全分离，使得转移发光二极管晶片的成功率可提升。
附图说明
[0018]附图揭示出了本揭露的一个或多个实施方式，并配合说明书中的说明一起用于解释本揭露的原理。只要有可能，与整个附图中使用相同的标记来表示实施方式中的相同或相似的元件。其中这些附图包含：
[0019]图1A至图14绘示根据本揭露的一些实施方式的制造包含发光二极管晶片的发光二极管装置的制程；
[0020]图15绘示图14的发光二极管晶片的放大图；
[0021]图16绘示根据本揭露的一些实施方式的发光二极管晶片的剖面图；
[0022]图17A至图18B绘示根据本揭露的一些实施方式的发光二极管晶片的上视图；
[0023]图19绘示根据本揭露的一些实施方式的发光二极管晶片的剖面图。
[0024]【符号说明】
[0025]100：发光二极管晶片
[0026]102：晶圆
[0027]102a：上表面
[0028]104：聚合物层
[0029]110：半导体层
[0030]110
’
：图案化半导体层
[0031]111a：侧壁
[0032]111b：顶侧
[0033]111c：底侧
[0034]112：凹槽
[0035]113：凹凸结构
[0036]114：第一半导体层
[0037]116：主动层
[0038]118：第二半导体层
[0039]120：绝缘层
[0040]121：第一电极孔
[0041]122：第二电极孔
[0042]123：开口
[0043]124：突出部
[0044]126：子突出部
[0045]131：第一电极
[0046]132：第二电极
[0047]142：牺牲层
[0048]144：第一载板
[0049]152：第二载板
[0050]154：胶材
[0051]162：第三载板
[0052]164：接触垫
[0053]166：接触垫
[0054]α1：第一角度
[0055]α2：第二角度
[0056]α3：第三角度
[0057]C：中心点
[0058]D1：垂直距离
[0059]HL：水平截面
[0060]L1：连线
[0061]L2：延伸线
[0062]L3：延伸线
[0063]P：几何中心
[0064]T：沟槽
[0065]T1：厚度
[0066]T2：厚度
具体实施方式
[0067]为了使本揭露内容的叙述更加详尽与完备，下文针对了本揭露的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本揭露具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。
[0068]能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本专利技术的教示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。
[0069]在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而，可在无这些特定细节的情况下实践本揭露的实施例。在其他情况下，为简化附图，熟知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。
[0070]本揭露的一些实施方式可改善转移发光二极管晶片的良率。具体而言，本揭露的一些实施方式的发光二极管晶片的绝缘层具有本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管晶片，其特征在于，包含：一半导体层，具有一侧壁与相对的一顶侧与一底侧，该侧壁连接该顶侧及该底侧，且该半导体层的该顶侧上具有一凹凸结构；一绝缘层，覆盖该半导体层的该侧壁与该底侧，其中该绝缘层具有一突出部，该突出部沿平行该侧壁的方向延伸突出于该凹凸结构，该凹凸结构的最高点与该突出部的最高点之间的一垂直距离大于0.5微米且小于4倍的该半导体层的一厚度；一第一电极，在该半导体层的该底侧上且贯穿该绝缘层；及一第二电极，与该第一电极相邻，在该半导体层的该底侧上且贯穿该绝缘层。2.根据权利要求1所述的发光二极管晶片，其特征在于，该绝缘层的该突出部于垂直该侧壁的方向上的厚度在0.4微米至3.5微米之间。3.根据权利要求1所述的发光二极管晶片，其特征在于，该突出部的最高点与该凹凸结构的一中心点形成一连线，该连线与该半导体层的一水平截面形成一第一角度，该第一角度在1度至10度的一范围之间。4.根据权利要求1所述的发光二极管晶片，其特征在于，该绝缘层的该突出部的一上表面为一平面。5.根据权利要求1所述的发光二极管晶片，其特征在于，该绝缘层的该突出部的一上表面向该半导体层倾斜。6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈日康，郭修邑，许国翊，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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