半导体结构及其制备方法技术

本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括：衬底、导电图案层、支撑层以及重布线层。导电图案层设置于衬底上。支撑层覆盖导电图案层，且具有过孔。重布线层设置于支撑层上，重布线层包括：至少位于过孔内的测试焊盘。测试焊盘包括相间设置且互连的多个测试接触部和多个凹部，其中，所述凹部与导电图案层的位于过孔内的部分对应接触。本公开提供的半导体结构及其制备方法，不仅可以避免半导体结构的良率因晶圆验收测试受损，还有利于实现半导体结构尺寸的进一步微缩。实现半导体结构尺寸的进一步微缩。实现半导体结构尺寸的进一步微缩。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体集成电路制造
，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的迅速发展，重布线层(Re
‑
Distribution Layer，简称RDL)已被广泛应用于芯片封装领域。然而，在动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)领域中，由于与重布线层连接的顶层金属层容易在晶圆验收测试(Wafer Acceptance Testing，简称WAT)中遭到破坏，导致DRAM的良率降低。并且，随着DRAM中集成电路尺寸的进一步微缩，DRAM中也难以有较大的空间用于布局重布线层。因此重布线层在DRAM相关领域中的应用一直有限。

技术实现思路

[0003]基于此，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，不仅可以避免半导体结构的良率因晶圆验收测试受损，还有利于实现半导体结构尺寸的进一步微缩。
[0004]为了实现上述目的，一方面，本公开一些实施例提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：衬底、导电图案层、支撑层以及重布线层。导电图案层设置于衬底上。支撑层覆盖导电图案层，且具有过孔。重布线层设置于支撑层上，重布线层包括：至少位于过孔内的测试焊盘。测试焊盘包括相间设置且互连的多个测试接触部和多个凹部，其中，所述凹部与导电图案层的位于过孔内的部分对应接触。
[0005]在一些实施例中，相邻两个测试接触部顶部之间的间隙小于相邻两个测试接触部底部之间的间隙。
[0006]在一些实施例中，相邻两个测试接触部的顶部相接触。
[0007]在一些实施例中，半导体结构还包括：位于过孔内的多个隔垫物；其中，任相邻的两个隔垫物之间具有间隔。测试焊盘覆盖隔垫物和前述间隔，其测试接触部对应位于隔垫物的背离衬底的表面上，其凹部对应位于前述间隔内。
[0008]示例的，隔垫物包括长条状隔垫物。多个长条状隔垫物平行间隔排布，且长条状隔垫物沿长度方向的两端分别与过孔的侧壁相连。
[0009]示例的，隔垫物包括块状隔垫物。多个块状隔垫物呈阵列状分布。
[0010]可选的，上述隔垫物在衬底上的正投影的宽度的取值范围包括：6μm～10μm。
[0011]在另一些实施例中，半导体结构还包括：位于过孔内且镂空成网格状的隔垫物。测试焊盘覆盖隔垫物，测试接触部对应位于隔垫物的背离衬底的表面上，凹部对应位于隔垫物的镂空区域内。
[0012]在一些实施例中，隔垫物的背离衬底的表面和支撑层的背离衬底的表面平齐。
[0013]可选的，隔垫物或支撑层的材料包括氧化硅、氮化硅或有机绝缘材料中的至少一种。
[0014]在一些实施例中，过孔在衬底上的正投影的形状包括：矩形、方形、圆形或椭圆形。过孔在衬底上的正投影的最小尺寸大于或等于10μm。
[0015]在一些实施例中，测试焊盘在衬底上的正投影的最大尺寸大于或等于50μm。
[0016]在一些实施例中，测试接触部的背离导电图案层的表面至导电图案层的距离大于或等于5μm。
[0017]在一些实施例中，重布线层还包括与测试焊盘耦接的键合焊盘。键合焊盘在衬底上的正投影位于测试焊盘在衬底上的正投影外。
[0018]另一方面，本公开一些实施例提供了一种半导体结构的制备方法，用于制备上述一些实施例中的半导体结构。所述半导体结构的制备方法，包括如下步骤。
[0019]提供衬底，在衬底上形成导电图案层。
[0020]在导电图案层上形成支撑层，并在支撑层中形成过孔。
[0021]在支撑层上形成重布线层，重布线层包括至少位于过孔内的测试焊盘；测试焊盘包括相间设置且互连的多个测试接触部和多个凹部，其中，凹部与导电图案层的位于过孔内的部分对应接触。
[0022]在一些实施例中，在支撑层上形成重布线层之前，所述制备方法还包括：在过孔内形成多个隔垫物；其中，任相邻的两个隔垫物之间具有间隔。在支撑层上形成重布线层，包括：至少在隔垫物的背离衬底的表面上形成测试接触部，并在前述间隔内形成凹部。
[0023]示例的，在过孔内形成多个隔垫物，包括：在过孔内形成平行间隔排布的多个长条状隔垫物，长条状隔垫物沿长度方向的两端分别与过孔的侧壁相连。
[0024]示例的，在过孔内形成多个隔垫物，包括：在过孔内形成呈阵列状分布的多个块状隔垫物。
[0025]在另一些实施例中，在支撑层上形成重布线层之前，所述制备方法还包括：在过孔内形成镂空成网格状的隔垫物。所述在支撑层上形成重布线层，包括：至少在隔垫物的背离衬底的表面上形成测试接触部，并在隔垫物的镂空区域内形成凹部。
[0026]在一些实施例中，过孔与隔垫物通过一次构图工艺形成。
[0027]在一些实施例中，在支撑层上形成重布线层，还包括：在支撑层上形成键合焊盘，键合焊盘在衬底上的正投影位于测试焊盘在衬底上的正投影外。
[0028]在本公开实施例提供的半导体结构及其制备方法中，测试焊盘由多个测试接触部和多个凹部相间设置且互连构成，使得测试焊盘中的测试接触部呈架空的网格状布置。这样可以将重布线层中的测试焊盘直接设置于过孔RDV所在区域，而无需额外预留空间以容置测试焊盘，以利于实现半导体结构尺寸的进一步微缩。
[0029]此外，在使用探笔接触测试焊盘以执行晶圆验收测试的过程中，探笔与测试接触部接触，测试接触部与凹部互连，凹部与导电图案层接触，可以良好实现探笔对导电图案层电性能的测试。由于探笔通常以一定角度倾斜扎到测试焊盘中，因此，本公开实施例中，测试焊盘中的测试接触部呈架空的网格状布置，可以确保探笔的尖端仅插入至测试接触部、或者插入至相邻测试接触部之间的气隙内，从而避免探笔的压力作用于导电图案层而导致导电图案层出现变形、短路或断口等不良，进而避免半导体结构的良率因晶圆验收测试受损，以提升半导体结构的良率。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1为一实施例中提供的一种半导体结构的剖面示意图；
[0032]图2为一实施例中提供的另一种半导体结构的剖面示意图；
[0033]图3为一实施例中提供的又一种半导体结构的剖面示意图；
[0034]图4为一实施例中提供的一种隔垫物在过孔内的分布示意图；
[0035]图5为一实施例中提供的另一种隔垫物在过孔内的分布示意图；
[0036]图6为一实施例中提供的另一种隔垫物在过孔内的分布示意图；
[0037]图7为一实施例中提供的一种半导体结构的制备方法的流程示意图；
[0038]图8为一实施例中提供的一种导电图案层的制备示意图；
[0039本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；导电图案层，设置于所述衬底上；支撑层，覆盖所述导电图案层，且具有过孔；以及，重布线层，设置于所述支撑层上；所述重布线层包括：至少位于所述过孔内的测试焊盘；所述测试焊盘包括相间设置且互连的多个测试接触部和多个凹部，其中，所述凹部与所述导电图案层的位于所述过孔内的部分对应接触。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻两个所述测试接触部顶部之间的间隙小于相邻两个所述测试接触部底部之间的间隙；或，相邻两个所述测试接触部的顶部相接触。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述过孔内的多个隔垫物；其中，任相邻的两个所述隔垫物之间具有间隔；所述测试焊盘覆盖所述隔垫物和所述间隔，所述测试接触部对应位于所述隔垫物的背离所述衬底的表面上，所述凹部对应位于所述间隔内。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述隔垫物包括长条状隔垫物；多个所述长条状隔垫物平行间隔排布，且所述长条状隔垫物沿长度方向的两端分别与所述过孔的侧壁相连；或者，所述隔垫物包括块状隔垫物；多个所述块状隔垫物呈阵列状分布。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述隔垫物在所述衬底上的正投影的宽度的取值范围包括：6μm～10μm。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述过孔内且镂空成网格状的隔垫物；所述测试焊盘覆盖所述隔垫物，所述测试接触部对应位于所述隔垫物的背离所述衬底的表面上，所述凹部对应位于所述隔垫物的镂空区域内。7.根据权利要求3或6所述的半导体结构，其特征在于，所述隔垫物的背离所述衬底的表面和所述支撑层的背离所述衬底的表面平齐。8.根据权利要求3或6所述的半导体结构，其特征在于，所述隔垫物或所述支撑层的材料包括氧化硅、氮化硅或有机绝缘材料中的至少一种。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述过孔在所述衬底上的正投影的形状包括：矩形、方形、圆形或椭圆形；所述过孔在所述衬底上的正投影的最小尺寸大于或等于10μm。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述测试焊盘在所述衬底上的正投影的最大尺寸大于或...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：