传感器件及其制备方法技术

一种传感器件制备方法，包括：在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层；通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构，或者，通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成导电层，并对导电层进行刻蚀，形成网格结构。其中，网格结构的线宽小于或等于1.5微米，网格结构的厚度大于或等于2微米。结构的厚度大于或等于2微米。结构的厚度大于或等于2微米。

【技术实现步骤摘要】
传感器件及其制备方法


[0001]本文涉及但不限于显示
，尤指一种传感器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着无线通信技术的发展，移动通信产品得到了快速的发展。移动通信产品可以实现数据传输功能，达到资源共享目的。在移动通信产品中，天线是必备的组件之一。其中，屏上天线(AoD，Antenna on Display)技术(即在显示屏上设置透明天线)是一个重要发展方向。

技术实现思路

[0003]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开实施例提供一种传感器件及其制备方法。
[0005]一方面，本公开实施例提供一种传感器件制备方法，包括：在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层；通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构，或者，通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成导电层，并对导电层进行刻蚀，形成网格结构。其中，网格结构的线宽小于或等于1.5微米，网格结构的厚度大于或等于2微米。
[0006]在一些示例性实施方式中，所述对所述导电层进行刻蚀，包括：采用湿刻工艺对所述导电层进行刻蚀。
[0007]在一些示例性实施方式中，所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层，包括：在所述透明衬底的表面涂覆光阻材料，对所述光阻材料进行曝光和显影，形成具有沟槽的第一辅助构图层；其中，所述沟槽的宽度大于所述网格结构的线宽。在形成导电层之后，对所述导电层进行刻蚀之前，所述方法还包括：去除所述第一辅助构图层。
[0008]在一些示例性实施方式中，所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之前，所述方法还包括：通过沉积工艺在所述透明衬底的表面形成种子层；在形成所述第一辅助构图层之后，所述第一辅助构图层的沟槽暴露出所述种子层的表面。在去除所述第一辅助构图层之后，对所述导电层进行刻蚀之前，所述方法还包括：对所述种子层进行刻蚀，去除未被所述导电层覆盖的种子层。
[0009]在一些示例性实施方式中，在所述透明衬底的表面通过沉积工艺形成种子层之前，所述方法还包括：在所述透明衬底的表面通过沉积工艺形成粘附层。在对所述导电层进行刻蚀之后，所述方法还包括：对所述粘附层进行刻蚀，保留被刻蚀后的导电层覆盖的粘附层。
[0010]在一些示例性实施方式中，在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之后，在通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层之前，所述方法还包括：通过沉积工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成种子层。
[0011]在一些示例性实施方式中，所述通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成
导电层，包括：通过电镀工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成第一电镀层和第二电镀层；去除所述第一辅助构图层远离所述透明衬底表面的第二电镀层、第一电镀层和种子层，在所述第一辅助构图层的沟槽内形成导电层。
[0012]在一些示例性实施方式中，所述通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层，包括：通过电镀工艺在所述第一辅助图形层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成第一电镀层；将所述第一辅助构图层远离所述透明衬底表面的种子层和第一电镀层去除，保留所述沟槽内的种子层和第一电镀层；通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽内形成第二电镀层。
[0013]在一些示例性实施方式中，在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之前，所述方法还包括：在所述透明衬底的表面依次形成第二辅助构图薄膜、硬掩模、以及图案化的第一光阻层；利用图案化的第一光阻层对所述第二辅助构图薄膜和硬掩模进行刻蚀，形成图案化的第二辅助构图层。所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层，包括：在所述第二辅助构图层远离所述透明衬底的表面形成第一辅助构图层，所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面与所述第二辅助构图层远离所述透明衬底的表面齐平；去除所述第二辅助构图层，形成所述第一辅助构图层的沟槽，其中，所述沟槽的宽度与所述网格结构的线宽大致相同。
[0014]在一些示例性实施方式中，所述第一辅助构图层采用光阻材料。在透明衬底的表面形成第二辅助构图薄膜之前，所述方法还包括：在所述透明衬底的表面形成种子层。通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成网格结构之后，所述方法还包括：去除所述第一辅助构图层，对所述种子层进行刻蚀，去除未被所述网格结构覆盖的种子层。
[0015]在一些示例性实施方式中，所述第一辅助构图层采用感光树脂材料。在透明衬底的表面形成第二辅助构图薄膜之前，所述方法还包括：在透明衬底的表面形成种子层。在利用图案化的第一光阻层对所述第二辅助构图薄膜和硬掩模进行刻蚀，形成图案化的第二辅助构图层之后，所述方法还包括：对所述种子层进行刻蚀，去除未被所述第二辅助构图层覆盖的种子层。
[0016]在一些示例性实施方式中，所述对所述导电层进行刻蚀，形成网格结构，包括：在所述第一辅助构图层和导电层远离所述透明衬底的表面形成图案化的第二光阻层，所述第二光阻层暴露出目标位置的导电层；通过刻蚀工艺去除目标位置的导电层，形成网格结构。
[0017]在一些示例性实施方式中，所述第一辅助构图层采用感光树脂材料。在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之后，在通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构之前，所述方法还包括：通过沉积工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成种子层。所述通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成网格结构，包括：通过电镀工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成第一电镀层和第二电镀层；去除所述第一辅助构图层远离所述透明衬底表面的第二电镀层、第一电镀层和种子层，在所述第一辅助构图层的沟槽内形成天线结构。
[0018]在一些示例性实施方式中，所述透明衬底具有有效区域、围绕所述有效区域的无效区域。所述网格结构位于所述有效区域，所述无效区域设置有无效网格；所述无效网格的线宽大于或等于所述有效区域的网格结构的线宽。
[0019]在一些示例性实施方式中，所述透明衬底还具有围绕所述无效区域的加电区域，
所述加电区域配置为在所述电镀工艺中提供电镀电流。
[0020]在一些示例性实施方式中，所述有效区域包括：天线区和位于天线区至少一侧的视觉补偿区；所述天线区的网格结构的图案不同于所述视觉补偿区的网格结构的图案。
[0021]在一些示例性实施方式中，所述无效网格的线宽沿着远离所述有效区域的方向逐渐连续递增，或者，阶梯递增。
[0022]在一些示例性实施方式中，所述网格结构的厚度约为2微米至5微米。
[0023]另一方面，本公开实施例提供一种传感器件，采用如上所述的方法制备而成。
[0024]在一些示例性实施方式中，所述传感器件为透明天线。
[0025]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0026]附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种传感器件制备方法，其特征在于，包括：在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层；通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成网格结构；或者，通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层，对所述导电层进行刻蚀，形成网格结构；其中，所述网格结构的线宽小于或等于1.5微米，所述网格结构的厚度大于或等于2微米。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述导电层进行刻蚀，包括：采用湿刻工艺对所述导电层进行刻蚀。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层，包括：在所述透明衬底的表面涂覆光阻材料，对所述光阻材料进行曝光和显影，形成具有沟槽的第一辅助构图层；其中，所述沟槽的宽度大于所述网格结构的线宽；在形成导电层之后，对所述导电层进行刻蚀之前，所述方法还包括：去除所述第一辅助构图层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之前，所述方法还包括：通过沉积工艺在所述透明衬底的表面形成种子层；在形成所述第一辅助构图层之后，所述第一辅助构图层的沟槽暴露出所述种子层的表面；在去除所述第一辅助构图层之后，对所述导电层进行刻蚀之前，所述方法还包括：对所述种子层进行刻蚀，去除未被所述导电层覆盖的种子层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述透明衬底的表面通过沉积工艺形成种子层之前，所述方法还包括：在所述透明衬底的表面通过沉积工艺形成粘附层；在对所述导电层进行刻蚀之后，所述方法还包括：对所述粘附层进行刻蚀，保留被刻蚀后的导电层覆盖的粘附层。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之后，在通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层之前，所述方法还包括：通过沉积工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成种子层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层，包括：通过电镀工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成第一电镀层和第二电镀层；去除所述第一辅助构图层远离所述透明衬底表面的第二电镀层、第一电镀层和种子层，在所述第一辅助构图层的沟槽内形成导电层。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层，包括：通过电镀工艺在所述第一辅助图形层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成第一电镀层；将所述第一辅助构图层远离所述透明衬底表面的种子层和第一电镀层去除，保留所述沟槽内的种子层和第一电镀层；
通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽内形成第二电镀层。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之前，所述方法还包括：在所述透明衬底的表面依次形成第二辅助构图薄膜、硬掩模、以及图案化的第一光阻层；利用图案化的第一光阻层对所述第二辅助构图薄膜和硬掩模进行刻蚀，形成图案化的第二辅助构图层；所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层，包括：在所述第二辅助构图...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟凡理，张硕，李泽源，孙拓，于海，李延钊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：