贴片式发光二极管载体及应用其的贴片式发光二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种贴片式发光二极管载体及包括该贴片式发光二极管载体的贴片式发光二极管。该贴片式发光二极管载体包括：基板，所述基板具有上表面，所述上表面包括封装区域，所述封装区域中包括第一焊线层、第二焊线层和相对于所述上表面向下凹进的凹进部，所述凹进部具有一深度，所述深度小于等于所述基板的厚度，所述凹进部中包括固晶区；所述封装区域中还包括围绕所述凹进部的光学挡墙，所述光学挡墙具有凸出于所述上表面的一高度。采用该贴片式发光二极管载体有利于缩小贴片式发光二极管的发光角度。二极管的发光角度。二极管的发光角度。

【技术实现步骤摘要】
贴片式发光二极管载体及应用其的贴片式发光二极管


[0001]本技术涉及发光二极管的
，具体地涉及一种贴片式发光二极管载体及应用其的贴片式发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种固态的半导体器件，能够直接将电能转化为光能并散发出去，具有体积小、耗电量低、使用寿命长及环保等优点，被广泛应用于照明领域。发光二极管产品的种类繁多，其中贴片式(Surface Mounted Device,SMD)发光二极管具有精密性好、质量轻、体积小等优点。目前的SMD发光二极管的PCB板均为平面型，晶片设置在PCB板上，具有较大的发光角度。
[0003]图1A是一种贴片式发光二极管载体的俯视示意图，图1B是图1A沿AA线的剖视侧视示意图。如图1A和图1B所示，该贴片式发光二极管载体包括基板110，基板110的上表面包括固晶区120。显然基板110的上表面是一平面。图1C是基于图1A所示贴片式发光二极管载体所形成的贴片式发光二极管101，其中，在固晶区120中设置有发光二极管晶片130。如图1C中的箭头所示，发光二极管晶片130的发光角度比较大，例如发光角度在120度左右。封装后的贴片式发光二极管101还包括覆盖晶片130的封装胶体140以及透镜(Lens)150，根据封装胶体140的材料和形状，以及透镜150的材料和形状，加上封装胶体140及透镜150的折射率的差异，晶片130的发光角度会有一定程度的缩小，例如缩小至40～50度。若发光二极管的发光角度过大会导致亮度不够的问题，不能满足一些用户对发光二极管的发光角度和亮度的要求。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是提供一种具有较小发光角度的贴片式发光二极管载体及包括该载体的贴片式发光二极管。
[0005]本技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种贴片式发光二极管载体，包括：基板，所述基板具有上表面，所述上表面包括封装区域，所述封装区域中包括第一焊线层、第二焊线层和相对于所述上表面向下凹进的凹进部，所述凹进部具有一深度，所述深度小于等于所述基板的厚度，所述凹进部中包括固晶区；所述封装区域中还包括围绕所述凹进部的光学挡墙，所述光学挡墙具有凸出于所述上表面的一高度。
[0006]在本申请的一实施例中，所述封装区域中还包括围绕所述凹进部的固晶导电层，所述光学挡墙位于所述固晶导电层的上方，所述固晶导电层与所述第一焊线层相连接。
[0007]在本申请的一实施例中，所述凹进部具有底部和侧壁，所述固晶区位于所述底部，所述侧壁上覆盖有侧壁导电层，所述侧壁导电层与所述固晶导电层相连接。
[0008]在本申请的一实施例中，所述封装区域具有相对的第一边界和第二边界，所述上表面还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一边界处，所述第二绝缘层位于所述第二边界处。
[0009]在本申请的一实施例中，所述光学挡墙与所述第一绝缘层、所述第二绝缘层都不接触。
[0010]在本申请的一实施例中，所述第一焊线层位于所述第一绝缘层和所述光学挡墙之间，所述第二焊线层位于所述第二绝缘层和所述光学挡墙之间。
[0011]在本申请的一实施例中，所述上表面上还包括相互分离的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层分别用于作为极性相反的引脚，所述固晶导电层、所述第一焊线层与所述第一导电层相连接，所述第二焊线层与所述第二导电层相连接。
[0012]在本申请的一实施例中，所述光学挡墙的高度的范围是10微米～1000微米。
[0013]在本申请的一实施例中，所述光学挡墙包括阻焊油墨。
[0014]本申请为解决上述技术问题还提出一种贴片式发光二极管，包括封装体、晶片、第一导线和如上所述的贴片式发光二极管载体，其中，所述封装体覆盖在所述封装区域上方；所述晶片设置在所述固晶区中，所述晶片的高度小于所述凹进部的深度；所述第一导线的一端与所述晶片耦接，所述第一导线的另一端与所述第二焊线层耦接。
[0015]在本申请的一实施例中，还包括第二导线，所述第二导线的一端与所述晶片耦接，所述第二导线的另一端与所述第一导电层耦接。
[0016]在本申请的一实施例中，所述晶片的发光角度的范围是10度～25度。
[0017]本申请的贴片式发光二极管载体在基板上设置了凹进部，固晶区位于该凹进部中，并且在凹进部的周围设置的光学挡墙。本申请的贴片式发光二极管，将晶片设置在凹进部中的固晶区中，晶片发出的光受到周围凸出的基板结构的阻挡而被反射回凹进部中，晶片发出的光还受到光学挡墙的反射或吸收，经基板和光学挡墙反射的光在凹进部中再被反射至基板和光学挡墙，经过多重反射之后，大部分的光从晶片的正上方发射出去，在缩小发光角度的同时提升了贴片式发光二极管的亮度。并且，通过设置凹进部的形状、深度，设置光学挡墙的高度、颜色和材料等，可以满足用户对贴片式发光二极管的聚光性能的多样化、个性化要求。
附图说明
[0018]为让本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实施方式作详细说明，其中：
[0019]图1A是一种贴片式发光二极管载体的俯视示意图；
[0020]图1B是图1A沿AA线的剖视侧视示意图；
[0021]图1C是基于图1A所示贴片式发光二极管载体所形成的贴片式发光二极管；
[0022]图2A是本申请一实施例的贴片式发光二极管载体的俯视示意图；
[0023]图2B是图2A沿BB线的剖视侧视示意图；
[0024]图3是包括图2A所示的贴片式发光二极管载体的贴片式发光二极管的示意图；
[0025]图4是图3所示实施例的俯视示意图；
[0026]图5是本申请另一实施例的贴片式发光二极管的示意图；
[0027]图6是图5所示实施例的俯视示意图；
[0028]图7是本申请又一实施例的贴片式发光二极管的示意图。
具体实施方式
[0029]为让本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实施方式作详细说明。
[0030]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0031]如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。
[0032]在本申请的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，在未作相反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种贴片式发光二极管载体，其特征在于，包括：基板，所述基板具有上表面，所述上表面包括封装区域，所述封装区域中包括第一焊线层、第二焊线层和相对于所述上表面向下凹进的凹进部，所述凹进部具有一深度，所述深度小于等于所述基板的厚度，所述凹进部中包括固晶区；所述封装区域中还包括围绕所述凹进部的光学挡墙，所述光学挡墙具有凸出于所述上表面的一高度。2.如权利要求1所述的贴片式发光二极管载体，其特征在于，所述封装区域中还包括围绕所述凹进部的固晶导电层，所述光学挡墙位于所述固晶导电层的上方，所述固晶导电层与所述第一焊线层相连接。3.如权利要求2所述的贴片式发光二极管载体，其特征在于，所述凹进部具有底部和侧壁，所述固晶区位于所述底部，所述侧壁上覆盖有侧壁导电层，所述侧壁导电层与所述固晶导电层相连接。4.如权利要求1所述的贴片式发光二极管载体，其特征在于，所述封装区域具有相对的第一边界和第二边界，所述上表面还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一边界处，所述第二绝缘层位于所述第二边界处。5.如权利要求4所述的贴片式发光二极管载体，其特征在于，所述光学挡墙与所述第一绝缘层、所述第二绝缘层都不接触。6.如权利要求4所述的贴片式发光二极管载体，其特征在于，所述第一焊线层位于所述第一绝缘层和所述光...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡宝松，蔡亮，
申请(专利权)人：亿光电子中国有限公司，
类型：新型
国别省市：