一种射频电源双频滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种射频电源双频滤波器，属于射频电源技术领域，包括两个带通滤波通路和机壳；两个带通滤波通路分别为：对第一高频电源进行带通滤波的第一通路；第一通路包括与第一高频电源连接的CL1电容、与所述CL1电容连接的CL2电容、与CL2电容并联的LL1电感；第一高频电源依次通过CL1电容、CL3电容接地；对第二高频电源进行带通滤波的第二通路；第二通路包括与第二高频电源连接的CH1电容、与CH1电容连接的CH2电容、与所述CH2电容并联的LH1电感；第一高频电源依次通过CL1电容、CL2电容与功率输出公共端连接；第二高频电源依次通过CH1电容、CH2电容与功率输出公共端连接。CH2电容与功率输出公共端连接。CH2电容与功率输出公共端连接。

【技术实现步骤摘要】
一种射频电源双频滤波器


[0001]本技术属于射频电源
，尤其是涉及一种射频电源双频滤波器。

技术介绍

[0002]众所周知，射频电源是可以产生固定频率的正弦波电压，频率在射频范围(约3KHz～ 300GHz)内、具有一定功率的电源。目前，射频电源已广泛应用于半导体工艺设备，比如射频电源广泛应用于等离子体清洗、溅射镀膜、PECVD、刻蚀等；以等离子体应用为例，如图 1所示，为减少不必要频率信号对等离子体设备的干扰，通常会在等离子体前端匹配器后端串入一适当滤波器，滤除干扰信号，保证进入等离子体射频能量不携带干扰频率，减少干扰信号对生产工艺的不良影响。
[0003]在某些特定场合下，为满足某些特定工艺要求，等离子体设备工作时需要两个或多个不同频率的射频电源共同工作，这就不可避免的会在不同的能量传输通路上串入非本频段的干扰信号。为抑制非必要频率干扰，需要在等离子体输入前端接入多路滤波器，以确保射频能量准确传输，这就提高了安装难度和设备成本。通常的做法是把双频滤波电路集成到同一台滤波器中，如图2，双频滤波器应用，在滤波器前端有两条滤波路径，射频电源A、匹配器A 在路径A上传输的是A频率能量；射频电源B、匹配器B在路径B上传输的是B频率能量。同时，滤波路径A在射频电源B工作时，能够阻隔频率B的能量通过，保证功率经过公共输出端有效传输到负载中，反之亦然。专利《双频滤波装置机器处理方法和半导体设备》(专利申请号201110070838.4)充分阐述了双频滤波器功能，但此专利只对高频(13.56MHz)和低频(几百KHz)有效。随着等离子体设备的不断升级，工艺手段不断提升，越来越多的高频电源应用于等离子体设备，频率都是MHz以上的高频。显然，高频MHz、低频KHz的双频滤波器很难满足这种变化带来的需求。

技术实现思路

[0004]针对以上的技术缺陷，本技术提供了一种射频电源双频滤波器，。
[0005]为实现上述技术目的，本技术通过以下技术方案实现：
[0006]一种射频电源双频滤波器，包括：两个带通滤波通路和机壳；两个带通滤波通路分别为：
[0007]对第一高频电源进行带通滤波的第一通路；所述第一通路包括与第一高频电源连接的 CL1电容、与所述CL1电容连接的CL2电容、与所述CL2电容并联的LL1电感；所述第一高频电源依次通过CL1电容、CL3电容接地；
[0008]对第二高频电源进行带通滤波的第二通路；所述第二通路包括与第二高频电源连接的 CH1电容、与所述CH1电容连接的CH2电容、与所述CH2电容并联的LH1电感；其中：
[0009]所述第一高频电源依次通过CL1电容、CL2电容与功率输出公共端连接；所述第二高频电源依次通过CH1电容、CH2电容与功率输出公共端连接。
[0010]优选地：所述第一高频电源的频率为13.56MHz，所述第二高频电源的频率为
40MHz。
[0011]优选地：所述功率输出公共端位于机壳内腔的底部，所述功率输出公共端上连接有PCB 板，所述PCB板为水平方向设置，所述CH2电容和CL2电容连接在PCB板的下表面，且功率输出公共端位于CH2电容和CL2电容的对称中心位置；所述CH1电容、LH1电感、CL1 电容、LL1电感连接在PCB板的上表面；所述第一高频电源的输入端子和第二高频电源的输入端子安装在机壳的顶盖上。
[0012]优选地：CH1电容、CH2电容、CL1电容、CL3电容、CL2电容均为高耐压真空电容。
[0013]优选地：LH1电感和LL1电感为由镀银铜管绕制成空心电感。
[0014]本技术具有的优点和技术效果是：
[0015]本申请的优点在于：双高频(MHz)滤波通路设计，通带频率较近，双路频差比较小。众所周知，在双频滤波回路上，频差越小，对相对频率抑制难度越大。本申请利用PCB板作为支撑，采用镜像的方式以降低壳体内电磁干扰，经过适当的滤波网络实现双高频滤波功能，提高阻带抑制能力，并保证隔离度在30dB以上。
[0016]本申请设计为13M、40MHz双频滤波器，双频通路隔离度30dB以上。双路之间保持足够的间距9cm以上，通过镜像安装以减少彼此之间的电磁干扰。在一定程度上缩减系统尺寸，降低整套设备成本。同时，结构设计考虑了接地最短的方案，有利于射频回路可靠接地。
附图说明
[0017]图1是现有技术采用单路滤波器的电路结构图；
[0018]图2是现有技术采用双路滤波器的电路结构图；
[0019]图3是本申请优选实施例的电路图；
[0020]图4是本申请优选实施例的内部安装示意图；
[0021]图5是本申请优选实施例的外观图；
[0022]图中：1、40MHz功率输入端；2、CH1电容；3、LH1电感；4、PCB板；5、CH2电容； 6、功率输出公共端；7、13.56MHz功率输入端；8、CL1电容；9、LL1电感；10、CL3电容； 11、CL2电容；12、机壳。
具体实施方式
[0023]为了使本技术的上述目的、设计的控制系及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0024]请参阅图1至图5，一种射频电源双频滤波器，包括两个带通滤波通路和机壳12；两个带通滤波通路分别为：
[0025]对第一高频电源进行带通滤波的第一通路；所述第一通路包括与第一高频电源连接的 CL1电容8、与所述CL1电容8连接的CL2电容11、与所述CL2电容11并联的LL1电感9；所述第一高频电源依次通过CL1电容、CL3电容10接地；
[0026]对第二高频电源进行带通滤波的第二通路；所述第二通路包括与第二高频电源连接的 CH1电容2、与所述CH1电容2连接的CH2电容5、与所述CH2电容5并联的LH1电感3；其中：
[0027]所述第一高频电源依次通过CL1电容、CL2电容与功率输出公共端连接；所述第二
高频电源依次通过CH1电容、CH2电容与功率输出公共端连接。
[0028]本优选实施例以13.56MHz和40MHz两路射频电源为例：
[0029]所述第一高频电源的频率为13.56MHz，所述第二高频电源的频率为40MHz。
[0030]接线时，40MHz功率输入端1与CH1电容连接，13.56MHz功率输入端7与CL1电容连接。
[0031]请参阅图4，所述功率输出公共端位于机壳内腔的底部，所述功率输出公共端上连接有 PCB板，所述PCB板为水平方向设置，所述CH2电容和CL2电容连接在PCB板的下表面，且功率输出公共端位于CH2电容和CL2电容的对称中心位置；所述CH1电容、LH1电感、 CL1电容、LL1电感连接在PCB板的上表面；所述第一高频电源的输入端子和第二高频电源的输入端子安装在机壳的顶盖上。
[0032]CH1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频电源双频滤波器，包括两个带通滤波通路；其特征在于，还包括机壳；两个带通滤波通路分别为：对第一高频电源进行带通滤波的第一通路；所述第一通路包括与第一高频电源连接的CL1电容、与所述CL1电容连接的CL2电容、与所述CL2电容并联的LL1电感；所述第一高频电源依次通过CL1电容、CL3电容接地；对第二高频电源进行带通滤波的第二通路；所述第二通路包括与第二高频电源连接的CH1电容、与所述CH1电容连接的CH2电容、与所述CH2电容并联的LH1电感；其中：所述第一高频电源依次通过CL1电容、CL2电容与功率输出公共端连接；所述第二高频电源依次通过CH1电容、CH2电容与功率输出公共端连接。2.根据权利要求1所述的射频电源双频滤波器，其特征在于：所述第一高频电源的频率为13.56MHz，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李树瑜，李晓静，张光勋，
申请(专利权)人：天津吉兆源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：