本公开涉及基于写入到写入延迟调整读取电平阈值。一种方法包含：执行将数据写入到存储器装置中的存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作与对所述存储器单元群组中的存储器单元的第二写入操作之间的时间差来确定写入到写入W2W延迟，其中所述第二写入操作发生在所述第一写入操作之前；标识所述W2W延迟所满足的阈值时间准则；标识与所述阈值时间准则相关联的第一读取电压电平；以及使所述第一读取电压电平与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联。所述第二存储器单元可与基于第二读取电压电平与所述第一读取电压电平的比较而满足选择准则的所述第二读取电压电平相关联。则的所述第二读取电压电平相关联。则的所述第二读取电压电平相关联。
【技术实现步骤摘要】
基于写入到写入延迟调整读取电平阈值
[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及在存储器子系统中基于写入到写入延迟调整读取电平阈值。
技术介绍
[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。所述存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据以及从存储器装置检索数据。
技术实现思路
[0003]在一个方面，本公开涉及一种系统，其包括：存储器装置，其包括存储器单元群组；以及处理装置，其以操作方式耦合到所述存储器装置以执行包括以下各项的操作：执行将数据写入到所述存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作与对所述存储器单元群组中的存储器单元的第二写入操作之间的时间差来确定写入到写入(W2W)延迟，其中所述第二写入操作发生在所述第一写入操作之前；标识所述W2W延迟所满足的阈值时间准则；标识与所述阈值时间准则相关联的第一读取电压电平；和使所述第一读取电压电平与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联。
[0004]在另一方面，本公开涉及一种方法，其包括：由处理装置执行将数据写入到存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作和在所述第一写入操作之前发生的第二写入操作来确定写入到写入(W2W)时间；在数据结构中标识W2W延迟所满足的阈值时间准则，其中所述数据结构包括所述阈值时间准则与第一读取电压电平之间的关联；标识与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联的第二读取电压电平；以及响应于确定所述第二读取电压电平小于所述第一读取电压电平，将与所述第二存储器单元相关联的所述第二读取电压电平设置为所述第一读取电压电平的值。
[0005]在另外的方面，本公开涉及一种包括指令的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置执行包括以下各项的操作：执行将数据写入到存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作和在所述第一写入操作之前发生的第二写入操作来确定写入到写入(W2W)时间；在数据结构中标识W2W延迟所满足的阈值时间准则，其中所述数据结构包括所述阈值时间准则与第一读取电压电平之间的关联；标识与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联的第二读取电压电平；以及响应于确定所述第二读取电压电平小于所述第一读取电压电平，将与所述第二存储器单元相关联的所述第二读取电压电平设置为所述第一读取电压电平的值。
附图说明
[0006]根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施方案的附图，将更充分地理解本公开。然而，图式不应视为将本公开限制于具体实施例，而是仅用于解释和理解。
[0007]图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2说明根据一些实施例的存储器装置中的实例时间电压移位。
[0009]图3说明根据一些实施例的实例存储器单元群组和包含写入时间戳和读取电平标签的相关联元数据。
[0010]图4A是根据一些实施例的用于基于W2W延迟使读取电压电平与存储器单元相关联的实例方法的流程图。
[0011]图4B是根据一些实施例的用于基于W2W延迟使读取电平标签与存储器单元相关联的实例方法的流程图。
[0012]图4C是根据一些实施例的用于使用与存储器单元相关联的读取电压电平从存储器单元读取数据的实例方法的流程图。
[0013]图4D是根据一些实施例的用于使用与存储器单元相关联的读取电平标签从存储器单元读取数据的实例方法的流程图。
[0014]图5A说明根据一些实施例的将阈值时间准则映射到读取电平标签的表。
[0015]图5B说明根据一些实施例的将读取电平标签映射到读取电压电平的表。
[0016]图5C说明根据一些实施例的将阈值时间准则映射到读取电压电平的表。
[0017]图6说明根据一些实施例的响应于写入操作而生成的实例读取电压电平。
[0018]图7是本公开的实施方案可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0019]本公开的各方面涉及基于写入到写入延迟在存储器子系统中对存储器单元的读取电压调整。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的组合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用存储器子系统，所述存储器子系统包含一或多个组件，例如存储数据的存储器装置。主机系统可提供待存储于存储器子系统处的数据，且可请求从存储器子系统检索数据。
[0020]存储器子系统可包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力供应到存储器装置时需要保留数据。非易失性存储器装置的一个实例为包含非易失性存储器信元阵列的三维交叉点(“3D交叉点”)存储器装置。3D交叉点存储器装置可以结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列基于体电阻的变化来执行位存储。另一实例为与非(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置为一或多个裸片的封装。每个裸片可由一或多个平面组成。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每个平面由一组物理块组成。每个块由一组页组成。每个页由一组存储器信元(“信元”)组成。信元是存储信息的电子电路。取决于信元类型，信元可存储二进制信息的一或多个位，且具有与正存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由二进制值(例如，“0”和“1”)或此类值的组合表示。
[0021]存储器装置可以由布置在二维或三维网格中的位构成。存储器信元以列(下文也称为位线)和行(下文也称为字线)的阵列蚀刻到硅晶片上。字线可以指存储器装置的存储器信元的一或多个行，所述一或多个行与一或多个位线一起使用以生成存储器信元中的每一者的地址。位线和字线的相交点构成存储器信元的地址。下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单元，并且可以包含存储器信元群组、字线群组、字线或个别存储器信元。可
将一或多个块分组在一起以形成存储器装置的平面，以便允许在每个平面上进行并发操作。存储器装置可被称为“驱动器”，其具有分层在多个“叠组”中的多个裸片。
[0022]可使用具有读取电压电平的信号(例如，施加到存储器阵列的字线)来执行读取操作。读取阈值电压电平或值(在此为“读取电压电平”)可以是施加到存储器装置的存储器信元以读取存储在存储器信元处的数据的特定电压。例如，如果特定存储器信元的阈值电压被标识为低于施加到特定存储器信元的读取电压电平，则存储在特定存储器信元处的数据可以是特定值(例如，
‘1’
)，并且如果特定存储器信元的阈值电压被标识为高于读取电压电平，则存储在特定存储器信元处的数据可以是另一个值(例如，
‘0’
)。因此，可以将读取电压电平施加到存储器信元以确定存储在存储器信元处的值。
[0023]在一些存储器子系统中，当存储器信元的阈值电压编程分布改变时，使用读取操作的相同读取电压电平可能产生读取错误本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种系统，其包括：存储器装置，其包括存储器单元群组；以及处理装置，其以操作方式耦合到所述存储器装置以执行包括以下各项的操作：执行将数据写入到所述存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作与对所述存储器单元群组中的存储器单元的第二写入操作之间的时间差来确定写入到写入W2W延迟，其中所述第二写入操作发生在所述第一写入操作之前；标识所述W2W延迟所满足的阈值时间准则；标识与所述阈值时间准则相关联的第一读取电压电平；和使所述第一读取电压电平与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联。2.根据权利要求1所述的系统，所述操作进一步包括：标识所述第二存储器单元，其中所述第二存储器单元与满足选择准则的第二读取电压电平相关联，并且其中所述选择准则基于所述第二读取电压电平与所述第一读取电压电平的比较。3.根据权利要求2所述的系统，其中如果所述第二读取电压电平小于所述第一读取电压电平，则所述第二读取电压电平满足所述选择准则。4.根据权利要求1所述的系统，所述操作进一步包括：响应于执行所述写入操作，使所述存储器装置的基础读取电平与所述第一存储器单元相关联。5.根据权利要求1所述的系统，其中使用包括多个记录的数据结构来标识所述阈值时间准则，每个记录将阈值时间准则映射到对应读取电压电平。6.根据权利要求5所述的系统，其中标识所述W2W延迟所满足的所述阈值时间准则包括：在所述数据结构中标识包括所述W2W延迟所满足的特定阈值时间准则的记录，其中所标识阈值时间准则基于所述特定阈值时间准则。7.根据权利要求6所述的系统，其中在所述数据结构中标识包括所述W2W延迟所满足的所述特定阈值时间准则的所述记录包括：将所述W2W延迟与与所述特定阈值时间准则相关联的阈值进行比较。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述操作进一步包括：接收对从指定存储器单元读取的请求；响应于对从所述指定存储器单元读取的所述请求，标识与所述指定存储器单元相关联的读取电压电平；以及根据所述读取电压电平从所述指定存储器单元读取数据。9.根据权利要求8所述的系统，其中使用包括多个记录的数据结构来标识与所述指定存储器单元相关联的所述读取电压电平，每个记录将存储器单元映射到对应读取电压电平。10.根据权利要求9所述的系统，其中标识与所述指定存储器单元相关联的所述读取电压电平包括：在所述数据结构中标识包括对应于所述指定存储器单元的特定存储器单元标识符的
记录，其中所述记录将所述特定存储器单元标识符映射到特定读取电压电平，并且所标识读取电压电平基于所述特定读取电压电平。11.根据权利要求1所述的系统，其中基于执行所述第一写入操作的时间与对所述存储器单元群组的所述存储器单元执行所述第二写入操作的时间之间的时间差来确定所述W2W延迟。12.根据权利要求11所述的系...
【专利技术属性】
技术研发人员：许中广，谢廷俊，郎慕蓉，周振明，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。