可配置校验电平制造技术

本申请涉及可配置校验电平。主机装置可确定存储在存储器装置中的数据集的目标可靠性水平。所述主机装置可向所述存储器装置传输指示所述目标可靠性水平的命令，及基于或响应于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求。所述存储器装置可基于或响应于所述命令而确定所述目标可靠性水平及所述对应错误管理操作。所述存储器装置可执行所述数据集的所述错误管理操作。所述存储器装置可基于或响应于所述命令及执行一组错误管理操作而向所述主机装置传输所述数据集的可靠性水平的指示。的可靠性水平的指示。的可靠性水平的指示。

【技术实现步骤摘要】
可配置校验电平
[0001]交叉引用
[0002]本专利申请要求卡列罗(CARIELLO)在2021年8月6日提交的标题为“可配置校验电平(CONFIGURABLE VERIFY LEVEL)”的第17/396,443号美国专利申请的优先权，所述专利申请转让给本受让人且明确地以引用方式并入本文中。


[0003]
涉及可配置校验电平。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可经编程为两个支持状态中的一个，常常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能状态，存储器单元可存储所述两个可能状态中的任一个。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、三维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)及与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可为易失性的或非易失性的。除非由外部电源周期性地更新，否则易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。

技术实现思路

[0006]描述一种设备。所述设备可包含存储器装置及与所述存储器装置耦合的控制器。所述控制器可经配置以使所述设备从主机装置接收指示与存储在所述存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；基于所述命令从多个目标可靠性水平确定所述目标可靠性水平，每个目标可靠性水平对应于相应的一或多个错误管理操作，其中所述目标可靠性水平对应于所述一或多个错误管理操作；基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的所述一或多个错误管理操作；及基于执行所述一或多个错误管理操作，响应于所述命令向所述主机装置传输与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。
[0007]描述一种设备。所述设备可包含经配置以与存储器系统耦合的控制器。所述控制器可经配置以使所述设备确定与存储在与所述存储器系统耦合的存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平；向所述存储器装置传输指示所述目标可靠性水平的命令，其中
所述命令指示基于所述目标可靠性水平执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；及基于所述一或多个错误管理操作，响应于所述命令从所述存储器装置接收与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。
[0008]描述一种非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体可存储包含指令的代码，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置从主机装置接收指示与存储在存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平，其中所述命令指示基于所述目标可靠性水平执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；基于所述命令从多个目标可靠性水平确定所述目标可靠性水平，每个目标可靠性水平对应于相应的一或多个错误管理操作，其中所述目标可靠性水平对应于所述一或多个错误管理操作；基于所述目标可靠性水平执行所述数据集的所述一或多个错误管理操作；及基于执行所述一或多个错误管理操作，响应于所述命令向所述主机装置传输与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。
[0009]描述一种非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体可存储包含指令的代码，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置确定与存储在与存储器系统耦合的存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平；向所述存储器装置传输指示所述目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示基于所述目标可靠性水平执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；及基于所述一或多个错误管理操作，响应于所述命令从所述存储器装置接收与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。
附图说明
[0010]图1说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的系统的实例。
[0011]图2说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的系统的实例。
[0012]图3说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的系统的实例。
[0013]图4说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的流程图的实例。
[0014]图5展示根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的存储器系统的框图。
[0015]图6展示根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的主机系统的框图。
[0016]图7及8展示说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
[0017]在一些存储器系统中，主机装置可将校验命令传输到存储器装置。校验命令可指示存储在存储器装置处的数据集，及检查数据集的可靠性或有效性的请求。存储器装置可基于或响应于校验命令而读取数据集，以确定数据集是否有效。在一些实例中，存储器装置可读取对应于数据的逻辑值，且将逻辑值与阈值相比较以确定数据集是否有效。存储器装置可将指示数据集是否有效的校验命令状态响应传输到主机装置。如果数据集无效，则主机装置可发布读取及写入命令以重写数据集。在一些实例中，主机装置可在对应于校验命令的校验错误恢复模式页中设定启用早期恢复(EER)位。存储器装置可根据基于或响应于EER位值的持续时间执行错误恢复过程。主机装置可基于或响应于数据集的目标可靠性水平而设定EER位。然而，在一些实例中，EER位可能无法为主机装置提供足够的粒度以准确地指示目标可靠性水平。此外，EER位可指示错误处理操作的持续时间，但EER位可能不对应于
数据集的目标可靠性水平。另外或替代地，设定EER位及执行错误处理操作可能导致时延增加且功耗相对高。
[0018]描述系统、装置及技术以使主机装置经由校验命令指示一或多个目标可靠性水平及一或多个对应错误管理操作，这可提供更精细的粒度及减少的时延及功耗。主机装置可基于或响应于要针对所述数据集执行的一或多个命令、对应于所述数据集的操作模式、所述数据集可能经历的物理应力源等而确定所述数据集的目标可靠性水平。在一些实例中，可从一组可能的目标可靠性水平中选择目标可靠性水平。与校验命令相关联的位、位字段或属性可经配置以指示目标可靠性水平。位、位字段或属性可指示与目标可靠性水平相关联的一或多个错误管理操作，或存储器装置可配置有对应于每个目标可靠性水平的一组错误管理操作。存储器装置可读取及校验数据集，并且基于或响应于校验命令及数据的当前可靠性水平而执行所指示的错误管理操作。根据目标可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：存储器装置；及控制器，其与所述存储器装置耦合且经配置以使所述设备：从主机装置接收指示与存储在所述存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示至少部分地基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；至少部分地基于所述命令从多个目标可靠性水平确定所述目标可靠性水平，每个目标可靠性水平对应于相应的一或多个错误管理操作，其中所述目标可靠性水平对应于所述一或多个错误管理操作；至少部分地基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的所述一或多个错误管理操作；及至少部分地基于执行所述一或多个错误管理操作而响应于所述命令向所述主机装置传输与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：在所述命令中识别经配置以指示所述目标可靠性水平的位、位字段或属性，其中从所述多个目标可靠性水平确定所述目标可靠性水平至少部分地基于所述位的值、所述位字段的值，或经由所述属性传送的一或多个参数。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述命令是包括命令描述符块内的保留位集的校验命令，并且从所述保留位集选择所述位、所述位字段或两者以传送对应于校验操作的所述目标可靠性水平。4.根据权利要求1所述的设备，其中根据所述目标可靠性水平，所述一或多个错误管理操作包括根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、启用早期恢复操作，或其任何组合。5.根据权利要求4所述的设备，其中：所述降低的错误校正能力对应于在所配置时间段中执行的所述错误校正操作；及执行所述读取裕度调整操作包括调整读取裕度以校验所述数据集。6.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：至少部分地基于所述命令而确定所述目标可靠性水平是所述多个目标可靠性水平中的第一目标可靠性水平，其中所述第一目标可靠性水平对应于所述读取裕度调整操作或根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作；及根据所述第一目标可靠性水平而执行所述读取裕度调整操作或所述错误校正操作中的一个。7.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：至少部分地基于所述命令而确定所述目标可靠性水平是所述多个目标可靠性水平中的第二目标可靠性水平，其中所述第二目标可靠性水平对应于所述读取裕度调整操作及根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作；及根据所述第二目标可靠性水平而执行所述读取裕度调整操作及所述错误校正操作。8.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：至少部分地基于所述命令而确定所述目标可靠性水平是所述多个目标可靠性水平中
的第三目标可靠性水平，其中所述第三目标可靠性水平对应于所述刷新操作及所述读取裕度调整操作或根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作中的一个，并且其中所述第三目标可靠性水平指示与所述刷新操作相关联的阈值读取裕度；根据所述第三目标可靠性水平而执行所述读取裕度调整操作或所述错误校正操作中的一个；及至少部分地基于所述第三目标可靠性水平且执行所述读取裕度调整操作或所述错误校正操作中的所述一个而确定与所述数据集相关联的读取裕度是否满足所述阈值读取裕度。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：至少部分地基于确定与所述数据集相关联的所述读取裕度未能满足所述阈值读取裕度而执行所述数据集的所述刷新操作。10.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：至少部分地基于所述命令而确定所述目标可靠性水平是所述多个目标可靠性水平中的第四目标可靠性水平，其中所述第四目标可靠性水平对应于所述读取裕度调整操作、根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作，及所述刷新操作，并且其中所述第四目标可靠性水平指示与所述刷新操作相关联的阈值读取裕度；根据所述第四目标可靠性水平而执行所述读取裕度调整操作及所述错误校正操作；及至少部分地基于所述第四目标可靠性水平且执行所述读取裕度调整操作及所述错误校正操作而确定与所述数据集相关联的读取裕度是否满足所述阈值读取裕度。11.根据权利要求10所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：至少部分地基于确定与所述数据集相关联的所述读取裕度未能满足所述阈值读取裕度而执行所述数据集的所述刷新操作。12.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：至少部分地基于所述数据集的所述可靠性水平的所述指示及所述一或多个错误管理操作而从所述主机装置接收指示与所述数据集相关联的第二目标可靠性水平的第二命令。13.一种设备，其包括：控制器，其经配置以与存储器系统耦合，其中所述控制器经配置以使所述设备：确定与存储在与所述存储器系统耦合的存储器装置中的数据集相...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：