半导体装置的制造方法以及打线接合装置制造方法及图纸

半导体装置10的制造方法包括：第一步骤，在使用瓷嘴8将线20接合于电极31后，一边伸出线20一边使瓷嘴8移动至第三目标点P3，由此形成线部20b；第二步骤，一边伸出线20一边使瓷嘴8移动至第四目标点P4，由此形成折曲部20c；第三步骤，将瓷嘴8的下降及上升反复多次，由此将折曲部20c加工成切断预定部C；以及第四步骤，为了形成针脚线21，在闭合线夹9的状态下使瓷嘴8上升，由此将线20在切断预定部C切断。由此将线20在切断预定部C切断。由此将线20在切断预定部C切断。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法以及打线接合装置


[0001]本公开涉及一种半导体装置的制造方法以及打线接合(wire
‑
bonding)装置。

技术介绍

[0002]在制造半导体装置时，例如有时通过接合将半导体零件彼此上下连接。为了此种连接，针对半导体零件的电极的表面，形成自电极的表面沿立起方向延伸的线。此种线被称为针脚线。针脚线例如可通过专利文献1所记载的方法形成。专利文献1所记载的方法中，首先，使用瓷嘴(capillary)将线接合于电极的表面。继而，通过使瓷嘴移动，使用瓷嘴的内部边缘部在线形成损伤。继而，使线的自接合部至损伤为止的部分自电极的表面直立。继而，使瓷嘴下降。通过瓷嘴的下降，线在设置有损伤的部分弯折。然后，在闭合线夹(wire clamp)的状态下使瓷嘴上升。其结果为，将线在设置有损伤的部分切断。通过以上的步骤，形成自电极的表面立起的针脚线。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利特开2007
‑
220699号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]针对如上所述的针脚线，要求进一步提高自电极的表面至针脚线前端为止的长度(针脚线高度)。在使用专利文献1所记载的方法来形成高的针脚线的情形时，需要将自接合部至设置有损伤的部分为止的线部延长。然而，专利文献1所记载的方法中，在使线在设置有损伤的部分弯折时，在使线部自电极的表面直立的状态下使瓷嘴下降。其结果为，与瓷嘴的下降相应地，大的力作用于线部的轴向。因此，若延长线部，则容易因作用于轴方向的力而产生线部屈曲等不良状况。在所述情形时，在线部产生较设置有损伤的部分更易被切割的部分。其结果为，难以将线在设置有损伤的部分可靠地切断。因此，专利文献1所记载的方法难以形成所需高度的针脚线。
[0008]本公开说明一种半导体装置的制造方法以及打线接合装置，可容易地形成所需高度的针脚线。
[0009]解决问题的技术手段
[0010]作为本公开的一形态的半导体装置的制造方法包括：第一步骤，在使用瓷嘴将线接合于电极后，一边伸出线一边使瓷嘴移动至第一位置，由此将线拉出既定的长度，所述第一位置为较线的接合部更靠上方的位置，且为自穿过接合部的电极的表面的法线上偏离的位置；第二步骤，在使瓷嘴移动至第一位置后，一边伸出线一边使瓷嘴移动至第二位置，由此在线形成折曲部，所述第二位置为较第一位置更靠上方的位置，且为自法线延伸的法线方向观看而相对于第一位置向接合部侧偏离的位置；第三步骤，在形成折曲部之后，沿着法线方向使瓷嘴的下降及上升反复多次，由此将折曲部加工成切断预定部；以及第四步骤，使
瓷嘴的下降及上升反复多次后，为了形成针脚线，而在打开线夹的状态下使瓷嘴上升，由此将线在切断预定部切断。
[0011]根据所述制造方法，可将线在切断预定部可靠地切断。因此，可容易地形成所需高度的针脚线。
[0012]在使瓷嘴移动至第二位置时，折曲部也可位于自穿过接合部的法线上偏离的位置。在所述情形时，可更可靠地抑制在针脚线形成预定部产生屈曲等不良状况的事态。其结果为，可将线在切断预定部更可靠地切断。
[0013]在自法线方向观看的情形时，自第一位置至第二位置为止的瓷嘴的移动距离也可较瓷嘴的前端面的半径更长。在所述情形时，可在切断预定部将线更可靠地切断。
[0014]在自法线方向观看的情形时，自第一位置至第二位置为止的瓷嘴的移动距离也可与自接合部至第一位置为止的瓷嘴的移动距离相同。在所述情形时，可在切断预定部将线进一步更可靠地切断。
[0015]在使瓷嘴移动至第二位置时，瓷嘴的前端面也可位于接合部的正上方。在所述情形时，可容易地获得自电极的表面直立的状态的针脚线。
[0016]在基板上，多个半导体芯片可以各半导体芯片的主面作为露出面而露出的方式层叠为阶段状。电极设于各半导体芯片的露出面，也可通过针对每个半导体芯片进行第一步骤至第四步骤的一系列步骤，从而针对每个半导体芯片形成针脚线。也可按自上段的半导体芯片至下段的半导体芯片的顺序、或自下段的半导体芯片至上段的半导体芯片的顺序来进行第一步骤至第四步骤的一系列步骤。在所述情形时，即便在难以通过挤压动作来切断线的状况下，也可针对每个半导体芯片容易地形成针脚线。
[0017]作为本公开的另一形态的打线接合装置包括：接合单元，包含相对于电极能够相对移动地构成的瓷嘴；以及控制单元，控制接合单元的运行。控制单元将下述控制信号提供给接合单元：第一控制信号，在使用瓷嘴将线接合于电极之后，一边伸出线一边使瓷嘴移动至第一位置，由此将线拉出既定的长度，所述第一位置为较线的接合部更靠上方的位置，且为自穿过接合部的电极的表面的法线上偏离的位置；第二控制信号，在使瓷嘴移动至第一位置后，一边伸出线一边使瓷嘴移动至第二位置，由此在线形成折曲部，所述第二位置为较第一位置更靠上方的位置，且为自法线延伸的法线方向观看而相对于第一位置向接合部侧偏离的位置；第三控制信号，在形成折曲部之后，沿着法线方向使瓷嘴的下降及上升反复多次，由此将折曲部加工成切断预定部；以及第四控制信号，在使瓷嘴的下降及上升反复多次后，为了形成针脚线，在闭合线夹的状态下使瓷嘴上升，由此将线在切断预定部处切断。
[0018]根据所述打线接合装置，可将线在切断预定部可靠地切断。因此，可容易地形成所需高度的针脚线。
[0019]专利技术的效果
[0020]根据本公开，提供一种可容易地形成所需高度的针脚线的半导体装置的制造方法及打线接合装置。
附图说明
[0021][图1]图1为表示本公开的打线接合装置的结构的图。
[0022][图2]图2为表示使用图1所示的打线接合装置所制造的半导体装置的结构的图。
[0023][图3]图3为表示图2所示的针脚线的形状及瓷嘴的目标点的图。
[0024][图4]图4为表示本公开的半导体装置的制造方法所具有的步骤的流程图。
[0025][图5]图5的(a)、(b)及(c)为表示本公开的半导体装置的制造方法的步骤的图。
[0026][图6]图6的(a)、(b)及(c)为表示继图5之后的步骤的图。
[0027][图7]图7的(a)、(b)及(c)为表示继图6之后的步骤的图。
[0028][图8]图8为表示图6的(a)的步骤中的线的形状的图。
[0029][图9]图9的(a)及(b)为表示第一比较例的半导体装置的制造方法所具有的步骤的图。
[0030][图10]图10的(a)、(b)及(c)为表示第二比较例的半导体装置的制造方法所具有的步骤的图。
[0031][图11]图11的(a)、(b)及(c)为表示继图10之后的步骤的图。
具体实施方式
[0032]以下，一方面参照附图一方面对本专利技术的实施方式加以详细说明。附图的说明中对相同元件标注相同符号，适当省略重复的说明。
[0033]〔打线接合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，包括：第一步骤，使用瓷嘴将线接合于电极后，一边伸出所述线一边使所述瓷嘴移动至第一位置，由此将所述线拉出既定的长度，所述第一位置为较所述线的接合部更靠上方的位置，且为自穿过所述接合部的所述电极的表面的法线上偏离的位置；第二步骤，使所述瓷嘴移动至所述第一位置后，一边伸出所述线一边使所述瓷嘴移动至第二位置，由此在所述线形成折曲部，所述第二位置为较所述第一位置更靠上方的位置，且为自所述法线延伸的法线方向观看而相对于所述第一位置向所述接合部侧偏离的位置；第三步骤，形成所述折曲部后，将沿着所述法线方向的所述瓷嘴的下降及上升反复多次，由此将所述折曲部加工成切断预定部；以及第四步骤，在将所述瓷嘴的下降及上升反复多次后，为了形成针脚线，在闭合线夹的状态下使所述瓷嘴上升，由此将所述线在所述切断预定部切断。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在使所述瓷嘴移动至所述第二位置时，所述折曲部位于自穿过所述接合部的所述法线上偏离的位置。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中在自所述法线方向观看的情形时，自所述第一位置至所述第二位置为止的所述瓷嘴的移动距离较所述瓷嘴的前端面的半径更长。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中在自所述法线方向观看的情形时，自所述第一位置至所述第二位置为止的所述瓷嘴的移动距离与自所述接合部至所述第一位置为止的所述瓷嘴的移动距离相同。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中在使所述瓷嘴移动至所述第二位置时，所述瓷嘴的前端面位于所述接合部的正上方。6.根据权利要求1至5中...

【专利技术属性】
技术研发人员：富山俊彦，手井森介，
申请(专利权)人：株式会社新川，
类型：发明
国别省市：