一种三阶五魔方制造技术

本申请公开一种三阶五魔方，包括：中心体、中心块、棱块和角块。所述中心块连接于所述中心体，所述中心块上设置第一磁铁。所述棱块和角块围绕所述中心块设置，所述棱块上设置第二磁铁和第三磁铁，所述角块上设置第四磁铁。棱块上的第二磁铁和相邻中心块上的第一磁铁磁性相吸，所述棱块上的第三磁铁和相邻角块上的第四磁铁磁性相吸。本申请的三阶五魔方中棱块和角块有一处磁吸配合结构，棱块和中心块之间有一处磁吸配合结构，从而形成双磁力定位结构，使得三阶五魔方更加紧凑顺滑，魔方回位速度块，手感更加舒适，魔方整体稳定性更好。魔方整体稳定性更好。魔方整体稳定性更好。

【技术实现步骤摘要】
一种三阶五魔方


[0001]本技术涉及魔方
，具体涉及一种三阶五魔方。

技术介绍

[0002]先前，我们提出在普通三阶魔方的棱块和角块上设置可相互吸附的磁铁的技术方案，通过分别在棱块和角块上设置磁铁，使得棱块和角块之间磁性吸附，以达到使得魔方紧凑顺滑，提升手感的效果。然而，三阶五魔方在棱块和角块上设置磁铁后，整个魔方虽然相较之前性能得到了提升，但是仍有改进空间，大部分魔方增加磁铁的研发技术却止步于此，并没有进一步增加磁吸结构以再次提升魔方的性能。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种三阶五魔方。
[0004]本申请提供如下技术方案：
[0005]一种三阶五魔方，包括：
[0006]中心体；
[0007]中心块，所述中心块连接于所述中心体，所述中心块上设置第一磁铁；
[0008]棱块和角块，所述棱块和角块围绕所述中心块设置，所述棱块上设置第二磁铁和第三磁铁，所述角块上设置第四磁铁；
[0009]所述棱块上的第二磁铁和相邻中心块上的第一磁铁磁性相吸，所述棱块上的第三磁铁和相邻角块上的第四磁铁磁性相吸。
[0010]可选的，所述棱块具有棱块主壳和连接所述棱块主壳的棱块卡脚；
[0011]所述第二磁铁设置于所述棱块卡脚；
[0012]所述中心块具有底壁，所述第一磁铁设置于所述底壁上；
[0013]所述棱块卡脚能延伸至所述中心块的底壁的下方。
[0014]可选的，所述棱块具有棱块主体和连接所述棱块主体的棱块盖片，所述棱块主体具有所述棱块主壳和棱块卡脚；
[0015]所述棱块主体包括两个半壳体，两个所述半壳体可拆卸的连接；
[0016]两个所述半壳体连接后在所形成的棱块卡脚的内部形成了空腔，所述第二磁铁设置于所述空腔内。
[0017]可选的，两个所述半壳体背离所述棱块卡脚的一侧均设置有连接片；
[0018]所述棱块盖片具有下凸部，所述下凸部具有连接槽；
[0019]两个所述半壳体上的连接片均插接固定于相应的连接槽内。
[0020]可选的，两个所述半壳体上均设置有凸轴和轴套；
[0021]在两个所述半壳体相扣合的状态下，各凸轴分别与相应的轴套插接固定。
[0022]可选的，所述半壳体上设置第一透孔，所述半壳体的内壁上设置弧形卡片，所述弧形卡片沿所述第一透孔周向延伸设置；
[0023]第一磁力仓卡接于所述弧形卡片上，所述第三磁铁安装于所述第一磁力仓内。
[0024]可选的，所述角块具有角块主体和角块盖片，所述角块主体具有三个接触壁，各接触壁上均设置第二透孔；
[0025]第二磁力仓位于所述接触壁的内壁上正对所述第二透孔的位置；
[0026]角块盖片具有下凸壳；
[0027]在所述角块盖片连接于所述角块主体的状态下，所述下凸壳固定所述第二磁力仓；
[0028]所述第四磁铁安装于所述第二磁力仓。
[0029]可选的，所述中心块一周设置有第一飞翼；
[0030]所述棱块具有棱块主壳和连接所述棱块主壳的棱块卡脚，所述棱块主壳具有第二飞翼；
[0031]所述角块具有角块主体，所述角块主体具有角块主壳和角块卡脚；
[0032]所述第一飞翼能延伸至所述棱块主壳和棱块卡脚之间形成的滑道内；
[0033]所述第二飞翼能延伸至所述角块主壳和角块卡脚之间形成的滑道内。
[0034]可选的，所述三阶五魔方具有十二个外露面，每一所述外露面中，所述角块表面的中部位置凹陷，所述角块表面上靠近中心块和远离中心块的部位隆起；
[0035]所述棱块表面的中部位置凹陷，所述棱块表面上靠近中心块和远离中心块的部位隆起；
[0036]所述中心块的表面中部位置凹陷，周侧隆起。
[0037]可选的，每一所述外露面上成型有五条切割线，相邻两条切割线相交，每条切割线均为平滑的弧线。
[0038]通过采用上述技术方案，使得本申请具有以下有益效果：
[0039]本申请的三阶五魔方中棱块和角块有一处磁吸配合结构，棱块和中心块之间有一处磁吸配合结构，从而形成双磁力定位结构，使得三阶五魔方更加紧凑顺滑，魔方回位速度块，手感更加舒适，魔方整体稳定性更好。
附图说明
[0040]附图作为本申请的一部分，用来提供对本技术的进一步的理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，但不构成对本技术的不当限定。显然，下面描述中的附图仅仅是一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
[0041]图1为本技术实施例提供的三阶五魔方的立体结构示意图；
[0042]图2为本技术实施例提供的三阶五魔方中中心块、棱块和角块的配合结构的内部结构示意图；
[0043]图3为本技术实施例提供的三阶五魔方中中心块、棱块和角块的配合结构的外观示意图；
[0044]图4为图3的另一视角图；
[0045]图5为本技术实施例提供的三阶五魔方的中心块、棱块和角块的局部结构配合示意图；
[0046]图6为本技术实施例提供的三阶五魔方中棱块和角块的配合结构的内部结构图；
[0047]图7为本技术实施例提供的三阶五魔方中棱块盖片的立体结构示意图；
[0048]图8为本技术实施例提供的三阶五魔方中棱块和角块的配合结构的内部结构另一视角图；
[0049]图9为本技术实施例提供的三阶五魔方中棱块的半壳体的结构示意图。
[0050]图中：1、中心块；11、第一磁铁；12、第一飞翼；2、棱块；21、第二磁铁；22、第三磁铁；23、棱块卡脚；24、棱块主壳；241、连接片；242、第一透孔；243、弧形卡片；25、棱块盖片；251、下凸部；26、第一磁力仓；27、第二飞翼；3、角块；31、第四磁铁；32、角块主体；321、第二透孔；33、角块盖片；331、下凸壳；34、第二磁力仓；a、切割线。
具体实施方式
[0051]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。
[0052]在本技术的描述中，需要说明的是，术语
ꢀ“
上”、“下”、
ꢀ“
内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0053]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三阶五魔方，其特征在于，包括：中心体；中心块，所述中心块连接于所述中心体，所述中心块上设置第一磁铁；棱块和角块，所述棱块和角块围绕所述中心块设置，所述棱块上设置第二磁铁和第三磁铁，所述角块上设置第四磁铁；所述棱块上的第二磁铁和相邻中心块上的第一磁铁磁性相吸，所述棱块上的第三磁铁和相邻角块上的第四磁铁磁性相吸。2.根据权利要求1所述的三阶五魔方，其特征在于，所述棱块具有棱块主壳和连接所述棱块主壳的棱块卡脚；所述第二磁铁设置于所述棱块卡脚；所述中心块具有底壁，所述第一磁铁设置于所述底壁上；所述棱块卡脚能延伸至所述中心块的底壁的下方。3.根据权利要求2所述的三阶五魔方，其特征在于，所述棱块具有棱块主体和连接所述棱块主体的棱块盖片，所述棱块主体具有所述棱块主壳和棱块卡脚；所述棱块主体包括两个半壳体，两个所述半壳体可拆卸的连接；两个所述半壳体连接后在所形成的棱块卡脚的内部形成了空腔，所述第二磁铁设置于所述空腔内。4.根据权利要求3所述的三阶五魔方，其特征在于，两个所述半壳体背离所述棱块卡脚的一侧均设置有连接片；所述棱块盖片具有下凸部，所述下凸部具有连接槽；两个所述半壳体上的连接片均插接固定于相应的连接槽内。5.根据权利要求3所述的三阶五魔方，其特征在于，两个所述半壳体上均设置有凸轴和轴套；在两个所述半壳体相扣合的状态下，各凸轴分别与相应的轴套插接固定。6.根据权利要求3所述的三阶五魔方，其特征在于，所述半壳体上设置第一透...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡喆凯，
申请(专利权)人：蔡喆凯，
类型：新型
国别省市：