本实用新型专利技术涉及一种双管反激拓扑电路，其连接于进电端和变压器的初级侧之间，包括MOS管、PNP三极管、NPN三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管和第二二极管。此外，本实用新型专利技术还涉及一种反激电源，包括进电端、出电端、PWM模块、上述的反激拓扑模块、变压器和输出整流滤波模块。通过PNP三极管和NPN三级管组成双开关管，加上第一二极管、第二二级管及变压器可以构成双管反激拓扑结构，反激噪声小、可靠性高。通过MOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻可以组成驱动电路，并有效解决双开关管反激拓扑天然带有的浮地驱动问题。本实用新型专利技术结构简单，相比于现有的双管反激电路，降低了驱动的复杂性，可以进一步缩小产品的尺寸，降低产品成本。低产品成本。低产品成本。
【技术实现步骤摘要】
一种双管反激拓扑电路及应用其的反激电源
[0001]本技术涉及电源
，尤其涉及一种双管反激拓扑电路及应用其的反激电源。
技术介绍
[0002]传统用于低压小功率电器的辅助电源大多为单管反激电源，存在噪声大，电压应力大等缺陷。目前低压小功率电器的辅助电源大多为双管反激电源，该双管反激电源是基于双MOS管作为开关管的方案，可以有效解决噪声大和电压应力大的问题，但是其存在双管反激拓扑天然带有的浮地驱动问题，对此，通常的解决方案是增加一个隔离驱动芯片或者隔离脉冲驱动变压器，这无疑增加了方案成本和电路的复杂性。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种双管反激拓扑电路及应用其的反激电源，其保留了双管反激噪声小、可靠性高的优点，不需要增设隔离驱动芯片或者隔离脉冲驱动变压器也可解决双管反激拓扑天然带有的浮地驱动问题，电路结构更简单，降低了电路的复杂性，产品成本也更低。
[0004]为达到上述目的，本技术公开了一种双管反激拓扑电路，连接于进电端和变压器的初级侧之间，其包括MOS管、PNP三极管、NPN三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管和第二二极管。
[0005]其中，MOS管的漏极与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与第一电阻的一端及PNP三极管的基极连接，第一电阻的另一端与PNP三极管的发射极连接进电端正极Vblk，PNP三极管的集电极与第一二极管的负极连接变压器的初级侧一端，第一二极管的正极连接进电端负极GndBlk；MOS管的栅极用于接收PWM控制信号；MOS管的源极与第三电阻的一端及NPN三极管的基极连接，第三电阻的另一端与NPN三极管的发射极连接进电端负极GndBlk，NPN三极管的集电极与第二二极管的正极连接变压器的初级侧另一端，第二二极管的负极连接进电端正极Vblk。
[0006]本技术还公开了一种反激电源，其包括进电端、出电端、PWM模块、反激拓扑模块、变压器和输出整流滤波模块，所述反激拓扑模块为上述的双管反激拓扑电路。
[0007]其中，所述PWM模块连接进电端取电，所述PMW模块的输出端与MOS管的栅极连接，所述PWM模块的输出端输出PWM控制信号；所述反激拓扑模块中，进电端正极Vblk连接PNP三极管的发射极和第二二极管的负极，PNP三极管的集电极与变压器的初级侧一端连接，进电端负极GndBlk连接NPN三极管的发射极和第一二极管的正极，NPN三极管的集电极与变压器的初级侧另一端连接；所述出电端经输出整流滤波模块与变压器的次级侧连接。
[0008]优选地，所述PWM模块包括芯片IC104、电阻R113、电容C110和电容CF7；其中，芯片IC104的7脚与进电端正极Vblk连接，芯片IC104的8脚与电阻R113的一端及电容CF7的一端连接，电阻R113的另一端与芯片IC104的4脚及电容C110的一端连接，电容CF7的另一端、电
容C110的另一端及芯片IC104的5脚接进电端负极GndBlk；芯片IC104的6脚接MOS管的栅极。
[0009]优选地，芯片IC104的型号为UC3845。
[0010]优选地，还包括启动电压模块，芯片IC104的7脚经所述启动电压模块与进电端正极Vblk连接；所述启动电压模块包括电阻R102、滤波电容C41和稳压二极管DZ1；其中，电阻R102的一端与进电端正极Vblk连接，电阻R102的另一端与稳压二极管DZ1的负极、滤波电容C41的正极及芯片IC104的7脚连接；稳压二极管DZ1的正极和滤波电容C41的负极接进电端负极GndBlk。
[0011]优选地，还包括过流保护模块，NPN三极管的发射极经过流保护模块与进电端负极GndBlk连接，且所述过流保护模块与PWM模块连接；所述过流保护模块包括二级管D3、电阻R130、电阻R135、电阻R150和电容C118；其中，NPN三极管的发射极与二极管D3的正极、电阻R130的一端及电阻R150的一端连接，电阻R130的另一端与芯片IC104的3脚及电容C118的一端连接，电容C118的另一端和电阻R150的另一端接进电端负极GndBlk，二极管D3的负极经电阻R135接进电端负极GndBlk。
[0012]优选地，PNP三极管的集电极接变压器的1脚，NPN三极管的集电极接变压器的3脚，变压器的2脚悬空。
[0013]优选地，还包括电压反馈控制模块，所述电压反馈控制模块包括肖特基二极管DS3、二极管D110、电阻R119、电阻R137、电阻R146、电阻R156、电容C43和电容C114；其中，肖特基二极管DS3的负极与芯片IC104的7脚连接，肖特基二极管DS3的正极与电阻R156的一端、电阻R137的一端、电容C43的一端及二极管D100的负极连接，电阻R156的另一端与电阻R146的一端、电容C114的一端、电阻R119的一端及芯片IC104的2脚连接，电阻R119的另一端与电容C114的另一端及芯片IC104的1脚连接，电阻R146的另一端与电阻R137的另一端、电容C43的另一端、变压器的5脚及进电端负极GndBlk连接；二极管D110的正极接变压器的4脚。
[0014]优选地，所述出电端包括24V端、12V端、5V端和地端；所述输出整流滤波模块包括二极管D1、二极管D2、二极管D112、滤波电容CE2、滤波电容CE6、滤波电容CE141、电容C64、电容C76、电阻R151和电阻R108；其中，二极管D2的正极与变压器的10脚连接，二极管D2的负极与滤波电容CE6的正极、电阻R151的一端及24V端连接；二极管D1的正极与变压器的9脚连接，二极管D1的负极与滤波电容CE2的正极、电容C64的一端及12V端连接；二极管D112的正极与变压器的7脚连接，二极管D112的负极与滤波电容CE141的正极、电阻R108的一端、电容C76的一端及5V端连接；滤波电容CE6的负极与电阻R151的另一端、滤波电容CE2的负极、电容C64的另一端、滤波电容CE141的负极、电阻R108的另一端、电容C76的另一端、变压器的8脚、电压器的6脚及地端连接。
[0015]本技术具有以下有益效果：
[0016]本技术通过PNP三极管和NPN三级管组成双开关管，加上第一二极管、第二二级管及变压器可以构成双管反激拓扑结构，反激噪声小、可靠性高。通过MOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻可以组成驱动电路，并有效解决双开关管反激拓扑天然带有的浮地驱动问题。本技术结构简单，相比于现有的双管反激电路，降低了驱动的复杂性，可以进一步缩小产品的尺寸，并降低产品成本。
附图说明
[0017]图1为本技术双管反激拓扑电路的示意图。
[0018]图2为本技术反激电源的示意图。
[0019]主要部件符号说明：
[0020]启动电压模块10，PWM模块20，反激拓扑模块30，电压反馈控制模块40，过流保护模块50，输出整流滤波模块60。
具体实施方式
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双管反激拓扑电路，连接于进电端和变压器的初级侧之间，其特征在于：包括MOS管、PNP三极管、NPN三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管和第二二极管；其中，MOS管的漏极与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与第一电阻的一端及PNP三极管的基极连接，第一电阻的另一端与PNP三极管的发射极连接进电端正极Vblk，PNP三极管的集电极与第一二极管的负极连接变压器的初级侧一端，第一二极管的正极连接进电端负极GndBlk；MOS管的栅极用于接收PWM控制信号；MOS管的源极与第三电阻的一端及NPN三极管的基极连接，第三电阻的另一端与NPN三极管的发射极连接进电端负极GndBlk，NPN三极管的集电极与第二二极管的正极连接变压器的初级侧另一端，第二二极管的负极连接进电端正极Vblk。2.一种反激电源，其特征在于：包括进电端、出电端、PWM模块、反激拓扑模块、变压器和输出整流滤波模块，所述反激拓扑模块为如权利要求1所述的双管反激拓扑电路；其中，所述PWM模块连接进电端取电，所述PWM模块的输出端与MOS管的栅极连接，所述PWM模块的输出端输出PWM控制信号；所述反激拓扑模块中，进电端正极Vblk连接PNP三极管的发射极和第二二极管的负极，PNP三极管的集电极与变压器的初级侧一端连接，进电端负极GndBlk连接NPN三极管的发射极和第一二极管的正极，NPN三极管的集电极与变压器的初级侧另一端连接；所述出电端经输出整流滤波模块与变压器的次级侧连接。3.根据权利要求2所述的反激电源，其特征在于：所述PWM模块包括芯片IC104、电阻R113、电容C110和电容CF7；其中，芯片IC104的7脚与进电端正极Vblk连接，芯片IC104的8脚与电阻R113的一端及电容CF7的一端连接，电阻R113的另一端与芯片IC104的4脚及电容C110的一端连接，电容CF7的另一端、电容C110的另一端及芯片IC104的5脚接进电端负极GndBlk；芯片IC104的6脚接MOS管的栅极。4.根据权利要求3所述的反激电源，其特征在于：芯片IC104的型号为UC3845。5.根据权利要求3或4所述的反激电源，其特征在于：还包括启动电压模块，芯片IC104的7脚经所述启动电压模块与进电端正极Vblk连接；所述启动电压模块包括电阻R102、滤波电容C41和稳压二极管DZ1；其中，电阻R102的一端与进电端正极Vblk连接，电阻R102的另一端与稳压二极管DZ1的负极、滤波电容C41的正极及芯片IC104的7脚连接；稳压二极管DZ1的正极和滤波电容C41的负极接进电端负极GndBlk。6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈树根，丁亮亮，
申请(专利权)人：厦门能强电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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