一种具有侧壁保护的SAW器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有侧壁保护的SAW器件，包括压电衬底和设于压电衬底上的IDT金属电极，IDT金属电极的侧壁设有保护层，所述保护层的宽度由上至下渐次变大，压电衬底、IDT金属电极和保护层形成的结构表面覆盖有介质层。本实用新型专利技术可有效解决因介质层过薄后续工艺显影液等可与IDT金属反应的液体腐蚀IDT金属导致的IDT金属形貌受损的问题，提高器件的可靠性和性能稳定性。靠性和性能稳定性。靠性和性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有侧壁保护的SAW器件


[0001]本技术属于半导体器件的
，具体涉及一种具有侧壁保护的SAW器件。

技术介绍

[0002]声表面波(SAW)滤波器广泛应用于信号接收机前端以及双工器和接收滤波器。SAW滤波器集低插入损耗和良好的抑制性能于一身，可实现宽带宽和小体积。习知的SAW滤波器，电输入信号通过间插的金属叉指换能器(IDT)转换为声波，这种IDT是在压电基板上形成的。IDT层表面覆盖有介质层作为调频层，调频层的厚度通常在5～50nm之间比较薄，这样就存在IDT侧壁台阶覆盖性不好的问题，工艺空间较小容易出现后道的显影液腐蚀IDT金属的异常。

技术实现思路

[0003]本技术针对现有技术存在的不足，提供一种具有侧壁保护的SAW器件。
[0004]为了实现以上目的，本技术的技术方案为：
[0005]一种具有侧壁保护的SAW器件，包括压电衬底和设于压电衬底上的IDT金属电极，IDT金属电极的侧壁设有保护层，所述保护层的宽度由上至下渐次变大，压电衬底、IDT金属电极和保护层形成的结构表面覆盖有介质层。
[0006]可选的，所述保护层的材料为SiO2或Si
x
N
y
。
[0007]可选的，所述介质层的材料为SiO2或Si
x
N
y
。
[0008]可选的，所述介质层用于形成调频层。
[0009]可选的，所述介质层的厚度为5nm～50nm。
[0010]可选的，所述保护层的宽度由上至下渐次变大形成斜面，所述介质层覆盖所述斜面。
[0011]可选的，所述斜面与所述IDT金属电极的侧壁的夹角范围为5～60度。
[0012]可选的，所述IDT金属电极包括相对设置的两个汇流条，各汇流条分别连接有向另一汇流条延伸的多个指条，且两汇流条上的指条交错排列，所述汇流条和指条的侧壁均设有所述保护层。
[0013]可选的，所述保护层的底部的宽度为所述指条宽度的0.1～0.8倍。
[0014]可选的，所述压电衬底包括LiTaO3或LiNbO3；所述IDT金属电极的材料包括Ti、Al、Cu、Ta、Au、Pt、Mo、Ag中的一种或叠层结构。
[0015]本技术的有益效果为：
[0016]在IDT金属电极的侧壁设有保护层，且保护层由上至下宽度渐次增大，于IDT金属电极底部与压电衬底形成的台阶处具有较大的厚度，可以在不改变用作调频层的介质层的前提下，有效解决因介质层过薄后续工艺显影液等可与IDT金属反应的液体腐蚀IDT金属导致的IDT金属形貌受损的问题，提高器件的可靠性和性能稳定性。
附图说明
[0017]图1为实施例的具有侧壁保护的SAW器件的截面图；
[0018]图2为图1中A部分的局部放大图。
具体实施方式
[0019]以下结合附图和具体实施例对本技术做进一步解释。本技术的各附图仅为示意以更容易了解本技术，其具体比例可依照设计需求进行调整。文中所描述的图形中相对元件的上下关系以及正面/背面的定义，在本领域技术人员应能理解是指构件的相对位置而言，因此皆可以翻转而呈现相同的构件，此皆应同属本说明书所揭露的范围。
[0020]实施例的一种具有侧壁保护的SAW器件，参考图1和图2，包括压电衬底1和设于压电衬底1上的IDT金属电极2，IDT金属电极2的侧壁设有保护层3，保护层3的宽度由上至下渐次变大，压电衬底1、IDT金属电极2和保护层3形成的结构表面覆盖有介质层4，介质层4作为调频层。
[0021]其中，压电衬底1的材料为LiTaO3或LiNbO3，IDT金属电极2的材料包括Ti、Al、Cu、Ta、Au、Pt、Mo、Ag中的一种或叠层结构，例如可以是Al。保护层3和介质层4的材料均为SiO2。保护层3的宽度由上至下渐次变大形成斜面，介质层4覆盖于斜面上，从而在IDT金属电极侧壁形成较厚的介质层，而不改变IDT金属电极2顶部的具有调节频率作用的介质层的厚度，可以在不改变介质层厚度的前提下预防后续工艺中IDT金属电极2侧壁被腐蚀的情况。具体，介质层4的厚度为5nm～50nm。
[0022]常规的，IDT金属电极可以包括相对设置的两个汇流条，各汇流条分别连接有向另一汇流条延伸的多个指条，且两汇流条上的指条交错排列，汇流条和指条的侧面均设有保护层。根据工作频率和金属材料的选择来设计需要的金属高度，例如指条的宽度为0.1μm～3μm，高度为10nm～1000nm，相邻指条间的距离为0.1μm～3μm。
[0023]保护层3的底部的宽度是指条宽度的0.1～0.8倍，例如是10nm～240nm，保护层的斜面与IDT金属电极的侧壁的夹角为5～60度，例如30
°
。
[0024]上述具有侧壁保护的SAW器件的制作方法，是通过传统黄光工艺在压电衬底上形成IDT图形层，然后采用PVD或CVD的方法沉积一层SiO2层，厚度约为100nm～1μm，采用干法蚀刻方法回刻SiO2层至IDT金属电极即停止，在IDT金属电极侧壁会留下倾斜的保护层，其中保护层底部的宽度(即横向上保护层边缘与IDT金属电极侧壁的距离)最大。随后采用PVD或CVD溅镀SiO2介质层，最终形成图1所示结构。后续工艺中采用显影液等对金属电极具有腐蚀性的溶液时，IDT金属电极与压电衬底相接处最容易受到腐蚀，而该部分腐蚀形貌发生改变会影响SAW器件的性能，通过上述底部较宽的保护层的设置，更能预防后道的显影腐蚀现象。另一方面，通过倾斜的斜面设计，在后续覆盖较薄的介质层时作为一个平滑的过渡，避免了薄层在高度突变处容易断裂的问题，进一步提升了器件可靠性。
[0025]上述实施例仅用来进一步说明本技术的一种具有侧壁保护的SAW器件，但本技术并不局限于实施例，凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本技术技术方案的保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有侧壁保护的SAW器件，其特征在于：包括压电衬底和设于压电衬底上的IDT金属电极，IDT金属电极的侧壁设有保护层，所述保护层的宽度由上至下渐次变大，压电衬底、IDT金属电极和保护层形成的结构表面覆盖有介质层。2.根据权利要求1所述的具有侧壁保护的SAW器件，其特征在于：所述保护层的材料为SiO2或Si
x
N
y
。3.根据权利要求1所述的具有侧壁保护的SAW器件，其特征在于：所述介质层的材料为SiO2或Si
x
N
y
。4.根据权利要求1所述的具有侧壁保护的SAW器件，其特征在于：所述介质层形成调频层。5.根据权利要求1所述的具有侧壁保护的SAW器件，其特征在于：所述介质层的厚度为5nm～50nm。6.根据权利要求1所述的具有侧壁保护的SA...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹福松，
申请(专利权)人：泉州市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：