电弧路径形成部以及包括其的直流继电器制造技术

本发明专利技术公开一种电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。根据本发明专利技术的各种实施例的电弧路径形成部包括在形成于内部的空间部形成磁场的海尔贝克阵列和磁铁部。海尔贝克阵列和磁铁部形成的磁场与施加到各个固定触头的电流一起形成电磁力。此时，在各个固定触头附近形成的电磁力朝远离空间部的中心部的方向或远离各个固定触头的方向形成。因此，所产生的电弧被电磁力引导，从而能够迅速到消灭和排出所产生的电弧。所产生的电弧。所产生的电弧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电弧路径形成部以及包括其的直流继电器


[0001]本专利技术涉及电弧路径形成部以及包括其的直流继电器，更具体而言，涉及一种能够有效地向外部引导所产生的电弧的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。

技术介绍

[0002]直流继电器(Direct current relay)是利用电磁原理来传递机械式的驱动或电流信号的装置。直流继电器也可以被称作电磁开闭器(Magnetic switch)，一般分类为电性电路开闭装置。
[0003]直流继电器包括固定触点和可动触点。固定触点与外部的电源和负载可通电地连接。固定触点和可动触点可以彼此接触或分离。
[0004]基于直流继电器的通电通过固定触点和可动触点的接触和分离来允许或禁止。所述移动通过对可动触点施加驱动力的驱动部来实现。
[0005]如果固定触点和可动触点分离，则在固定触点和可动触点之间产生电弧(arc)。电弧是高压、高温的电流的流动。因此，需要使所产生的电弧通过预先设定的路径迅速地从直流继电器排出。
[0006]电弧的排出路径通过设置于直流继电器的磁铁来形成。所述磁铁在固定触点和可动触点所接触的空间的内部形成磁场。电弧的排出路径可以由通过所形成的磁场和电流的流动而产生的电磁力来形成。
[0007]参照图1，示出了设置于现有技术的直流继电器1000的固定触点1100和可动触点1200接触的空间。如上所述，在所述空间设置有永磁体1300。
[0008]永磁体1300包括位于上侧的第一永磁体1310和位于下侧的第二永磁体1320。
[0009]第一永磁体1310设置有复数个，并且朝向第二永磁体1320的各个面的极性被磁化(magnetize)为不同的极性。位于图1的左侧的第一永磁体1310的下侧被磁化为N，位于图1的右侧的第二永磁体1310的下侧被磁化为S极。
[0010]另外，第二永磁体1320也设置有复数个，并且朝向第一永磁体1310的各个面的极性被磁化为不同的极性。位于图1的左侧的第二永磁体1320的上侧被磁化为S极，位于图1的右侧的第二永磁体1320的上侧被磁化为N极。
[0011]图1的(a)示出了电流通过左侧的固定触点1100流入，并通过右侧的固定触点1100的流出的状态。根据弗莱明左手定则，形成如箭头的电磁力。
[0012]具体而言，位于左侧的固定触点1100朝外侧形成电磁力。因此，在该位置产生的电弧可以向外侧排出。
[0013]但是，位于右侧的固定触点1100朝内侧，即可动触点1200的中央部分形成电磁力。因此，无法立即向外侧排出在该位置产生的电弧。
[0014]另外，图1的(b)示出了电流通过右侧的固定触点1100流入，并通过左侧的固定触点1100流出的状态。根据弗莱明左手定则，形成如箭头的电磁力。
[0015]具体而言，位于右侧的固定触点1100朝外侧形成电磁力。因此，在该位置产生的电
弧可以向外侧排出。
[0016]但是，位于左侧的固定触点1100朝内侧，即可动触点1200的中央部分形成电磁力。因此，无法向外侧立即排出在该位置产生的电弧。
[0017]在直流继电器1000的中央部分，即在各个固定触点1100之间的空间设置有用于沿上下方向驱动可动触点1200的各种构件。作为一例，轴、贯穿插入到轴的弹簧构件等设置于该位置。
[0018]因此，如图1所示，在所产生的电弧朝中央部分移动或者移动到中央部分的电弧不能够立即向外部移动的情况下，存在设置于所述位置的各种构件因电弧的能量而受损的隐患。
[0019]另外，如图1所示，在现有技术的直流继电器1000的内部形成的电磁力的方向取决于在固定触点1200流动的电流的方向。即，在各个固定触点1100产生的电磁力中，朝内侧的方向形成的电磁力的方向根据电流的方向而不同。
[0020]即，用户在每一次使用直流继电器时需要考虑电流的方向。这会给直流继电器的使用带来不便。另外，也不能排除与用户的意图无关地因操作不熟练等导致施加到直流继电器的电流的方向出错的状况。
[0021]在此情况下，设置于直流继电器的中央部分的构件可能因所产生电弧而受损。由此，不仅减少直流继电器的使用寿命，而且存在发生安全事故隐患。
[0022]韩国授权专利文献第10
‑
1696952号公开了一种直流继电器。具体而言，公开了一种能够利用复数个永磁体来防止可动触点的移动的结构的直流继电器。
[0023]但是，虽然上述结构的直流继电器能够利用复数个永磁体来防止可动触点的移动，但是存在没有关于用于控制电弧的排出路径的方向的考察的限制。
[0024]韩国授权专利文献第10
‑
1216824号公开了一种直流继电器。具体而言，能够利用衰减磁铁来防止可动触点和固定触点之间任意分离的结构的直流继电器。
[0025]但是，上述结构的直流继电器仅提示了用于保持可动触点和固定触点的接触状态的方案。即，并不能提示用于形成在可动触点和固定触点分离时产生的电弧的排出路径的方案。
[0026]专利文献1：韩国授权专利文献第10
‑
1696952号2017.01.16
[0027]专利文献2：韩国授权专利文献第10
‑
1216824号2012.12.28

技术实现思路

[0028]所要解决的问题
[0029]本专利技术的目的在于，提供一种能够解决上述问题的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。
[0030]首先，本专利技术的一目的在于，提供一种能够迅速地消灭和排出随着通电中的电流断开而产生的电弧的结构电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。
[0031]另外，本专利技术的一目的在于，提供一种能够强化用于引导所产生的电弧的力的大小的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。
[0032]另外，本专利技术的一目的在于，提供一种能够防止用于通电的构成要素因所产生的电弧而受损的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。
[0033]另外，本专利技术的一目的在于，提供一种能够使在复数个位置产生的电弧彼此不相遇地行进的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。
[0034]另外，本专利技术的一目的在于，提供一种能够在没有过多的设计变更的情况下实现上述目的的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。
[0035]解决问题的技术方案
[0036]为了实现上述目的，本专利技术提供一种电弧路径形成部，该电弧路径形成部包括：磁铁框架，在内部形成有空间部，固定触头和可动触头容纳于所述空间部；海尔贝克阵列(Halbach array)和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电弧路径形成部，其中，包括：磁铁框架，在内部形成有空间部，固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列(Halbach array)和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面以及所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，位于与所述第一面和所述第二面中的至少一面邻近的位置，所述磁铁部设置有复数个，复数个所述磁铁部中的任意一个以上位于与所述第三面邻近的位置，复数个所述磁铁部中的另外的一个以上位于与所述第四面邻近的位置。2.根据权利要求1所述的电弧路径形成部，其中，所述磁铁部包括：第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；以及第五磁铁部，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对。3.根据权利要求2所述的电弧路径形成部，其中，复数个所述块中的任意一块和所述第五磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。4.根据权利要求3所述的电弧路径形成部，其中，所述海尔贝克阵列的复数个所述块包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第五磁铁部的面被磁化为与所述极性相同的极性。5.根据权利要求3所述的电弧路径形成部，其中，所述海尔贝克阵列的复数个所述块包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；
第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第五磁铁部的面被磁化为与所述极性相同的极性。6.根据权利要求1所述的电弧路径形成部，其中，所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；所述磁铁部包括：第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置；以及第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置。7.根据权利要求6所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。8.根据权利要求7所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；在所述第一海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性。9.根据权利要求7所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；
在所述第一海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性。10.根据权利要求7所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；在所述第一海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性。11.根据权利要求1所述的电弧路径形成部，其中，所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；所述磁铁部包括：第一磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的任意一面的位置；以及第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的另一面的位置。12.根据权利要求11所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述另一面的面以及所述第二磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述任意一面的面被磁化为与所述极性不同的极性。
13.根据权利要求12所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；在所述第一海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性。14.根据权利要求12所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；在所述第一海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性。15.一种直流继电器，其中，包括：固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；可动触头，与所述固定触头接触或分离；磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列(Halbach array)和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；所述空间部的所述一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，并且位于与所述第一面和所述第二面中的至少一面邻近的位置，所述磁铁部设置有复数个，
复数个所述磁铁部中的任意一个以上位于与所述第三面邻近的位置，复数个所述磁铁部中的另外的一个以上位于与所述第四面邻近的位置。16.根据权利要求15所述的直流继电器，其中，所述磁铁部包括：第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；以及第五磁铁部，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对；复数个所述块中的任意一块和所述第五磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。17.根据权利要求15所述的直流继电器，其中，所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；所述磁铁部包括：第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置；以及第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置；所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。18.根据权利要求15所述的直流继电器，其中，所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；所述磁铁部包括：第一磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的任意一面的位置；以及
第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的另一面的位置；所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述另一面的面以及所述第二磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述任意一面的面被磁化为与所述极性不同的极性。19.一种电弧路径形成部，其中，包括：磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置；所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列配置为在所述另一方向上分别与复数个所述固定触头中的任意一个以上重叠。20.根据权利要求19所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。21.根据权利要求19所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。22.根据权利要求21所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。
23.根据权利要求19所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及第五块，位于所述第一块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及第五块，位于所述第一块和所述第三块之间。24.根据权利要求23所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，所述第一海尔贝克阵列的所述第二块和所述第二海尔贝克阵列的所述第二块的彼此相对各个面被磁化为与所述极性不同的极性，所述第一海尔贝克阵列的所述第三块和所述第二海尔贝克阵列的所述第三块的彼此相对的各个面被磁化为所述不同的极性。25.根据权利要求19所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及第五块，位于所述第一块和所述第三块之间；所述第一海尔贝克阵列位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置。26.根据权利要求25所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，所述第二海尔贝克阵列的所述第二块的与所述第一海尔贝克阵列相对的面和所述第二海尔贝克阵列的所述第三块的与所述第一海尔贝克阵列相对的面中的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。27.一种电弧路径形成部，其中，包括：
磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及第二海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置。28.根据权利要求27所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。29.根据权利要求27所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列包括：第一块，配置为在所述另一方向上与所述第二海尔贝克阵列重叠；以及第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；所述第二海尔贝克阵列包括：第一块，配置为在所述另一方向上与所述第一海尔贝克阵列重叠；以及第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置。30.根据权利要求29所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。31.根据权利要求27所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；所述第一海尔贝克阵列配置为与复数个所述固定触头中的任意一个在所述另一方向上重叠，
所述第二海尔贝克阵列配置为与复数个所述固定触头中的另一个在所述另一方向上重叠。32.根据权利要求31所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面中的各个面被磁化为彼此相同的极性。33.一种电弧路径形成部，其中，包括：磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，所述海尔贝克阵列设置有复数个，并且复数个所述海尔贝克阵列中的任意一个以上配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，复数个所述海尔贝克阵列中的另外的两个以上配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置。34.根据权利要求33所述的电弧路径形成部，其中，配置于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置的所述任意一个以上的所述海尔贝克阵列和配置于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置的所述两个以上的所述海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。35.根据权利要求33所述的电弧路径形成部，其中，复数个所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳政雨，金韩龙，李暎昊，
申请(专利权)人：LS电气株式会社，
类型：发明
国别省市：