阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。所述阵列基板包括：设于一衬底层上的栅极、覆盖所述栅极的绝缘层、设于所述绝缘层上的有源层、设于所述绝缘层上的像素电极、设于所述有源层上的源漏极层、覆盖所述有源层、所述像素电极和所述源漏极层的钝化层。所述有源层和所述像素电极通过同一张光罩图案化，从而缩减光罩数量，降低所述阵列基板的生产成本并提高生产效率。产成本并提高生产效率。产成本并提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示设备领域，特别是一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]有源矩阵驱动的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示装置)利用了液晶的双极性偏振特点，通过施加电场控制液晶分子的排列方向，实现对背光源光路行进方向的开关作用。根据对液晶分子施加电场方向的不同，目前主流市场上的LCD可以分为以下几种类型分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)、面内转换(In
‑
Plane Switching，IPS)型、边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)型以及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中，FFS型的显示面板以其具有大尺寸、高清晰度、高透过率、广视角以及较低的色偏等优点受到广大用户的喜爱。
[0003]在传统FFS型显示面板中的Array(阵列)基板中，一般需要通过两张光罩在两道光刻制程中分别制备TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)中的有源层和像素电极层，这样做会需要使用很多的光罩以及更复杂的制作工艺，降低了生产效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现有阵列基板的光罩数量多、生产效率低以及生产成本高的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底层、栅极、绝缘层、有源层、像素电极、源漏极层以及钝化层。所述栅极设于所述衬底层上。所述绝缘层设于所述衬底层上，并覆盖所述栅极。所述有源层设于所述绝缘层上。所述像素电极也设于所述绝缘层上。所述源漏极层设于所述有源层上，并与所述像素电极电连接。所述钝化层设于所述绝缘层上，并覆盖所述有源层、所述像素电极以及所述源漏极层。其中，所述像素电极包括至少两层叠层设置的导电膜层，且与所述绝缘层相接触的一所述导电膜层的材料与所述有源层的材料相同。
[0006]进一步地，所述像素电极包括第一导电层和第二导电层。所述第一导电层设于所述绝缘层远离所述栅极的一表面上。所述第二导电层设于所述第一导电层远离所述绝缘层的一表面上。所述第一导电层的导电率小于所述第二导电层的导电率。
[0007]进一步地，所述有源层和所述第一导电层的材料均包括透明半导体材料。所述第二导电层的材料中包括透明导电材料。
[0008]进一步地，所述源漏极层包括源极部和漏极部。所述源极部设于所述有源层远离所述像素电极的一端上。所述漏极部设于所述有源层靠近所述像素电极的一端上，并从所述有源层延伸至所述第二导电层上，与所述第二导电层电连接。
[0009]进一步地，所述阵列基板还包括走线，所述走线设于所述衬底层与所述绝缘层之间。所述像素电极在所述衬底层上的正投影位于所述栅极与所述走线之间。
[0010]进一步地，所述阵列基板还包括公共电极层，所述公共电极层设于所述钝化层上，
并依次穿过所述钝化层和所述绝缘层与所述走线电连接。
[0011]本专利技术中还提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：在一衬底层上形成栅极；在所述栅极上形成绝缘层；通过同一道光刻制程在所述绝缘层上形成有源层和具有多层导电膜层的像素电极；在所述有源层和所述像素电极上形成源漏极层；在所述绝缘层上形成覆盖所述有源层、所述像素电极以及所述源漏极层的钝化层；其中，与所述绝缘层相接触的一所述导电膜层的材料与所述有源层的材料相同。
[0012]进一步地，通过同一道光刻制程在所述绝缘层上形成有源层和像素电极的步骤包括：在所述绝缘层远离所述栅极的一表面上形成半导体层；在所述半导体层远离所述绝缘层的一表面上形成透明导电层；在所述透明导电层远离所述半导体层的一表面上形成光阻层；通过所述光阻层将所述透明导电层图案化；通过所述光阻层将所述半导体层图案化，形成所述有源层和与所述第二导电层重叠的第一导电层；去除位于所述有源层上的光阻层和透明导电层，形成所述有源层和层叠设置的第一导电层和第二导电层；去除位于所述第二导电层上的光阻层。
[0013]进一步地，所述阵列基板的制备方法还包括以下步骤：在形成所述栅极的同时形成走线；对钝化层进行图案化，以在与所述走线对应的位置处形成过孔；在所述钝化层上形成图案化的公共电极层，所述公共电极层通过位于所述钝化层上的过孔与所述走线连接。
[0014]本专利技术中还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的阵列基板。
[0015]本专利技术的优点是：本专利技术所提供的一种阵列基板及其制备方法中，将有源层与像素电极共同设于绝缘层上，促使所述有源层和所述像素电极能通过同一张光罩图案化，从而减少光罩的总数量，降低所述阵列基板的生产成本，同时提高所述阵列基板的生产效率。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本专利技术实施例中阵列基板的层状结构示意图；
[0018]图2为本专利技术实施例中阵列基板制备方法的流程示意图；
[0019]图3为本专利技术实施例中形成栅极和走线后基板的层状结构示意图；
[0020]图4为本专利技术实施例中形成绝缘层后基板的层状结构示意图；
[0021]图5为本专利技术实施例中形成半导体层和透明导电层后基板的层状结构示意图；
[0022]图6为本专利技术实施例中涂布光阻材料后基板的层状结构示意图；
[0023]图7为本专利技术实施例中形成第一光阻层和第二光阻层后基板的层状结构示意图；
[0024]图8为本专利技术实施例中形成第二导电层后基板的层状结构示意图；
[0025]图9为本专利技术实施例中形成有源层和第一导电层后基板的层状结构示意图；
[0026]图10为本专利技术实施例中去除第一光阻层后基板的层状结构示意图；
[0027]图11为本专利技术实施例中去除透明导电层后基板的层状结构示意图；
[0028]图12为本专利技术实施例中剥离第二光阻层后基板的层状结构示意图；
[0029]图13为本专利技术实施例中形成源漏极层后基板的层状结构示意图；
[0030]图14为本专利技术实施例中形成钝化层后基板的层状结构示意图；
[0031]图15为本专利技术实施例中在钝化层上形成过孔后基板的层状结构示意图；
[0032]图16为本专利技术实施例中显示面板的层状结构示意图。
[0033]图中部件表示如下：
[0034]阵列基板1；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
衬底层10；
[0035]栅极21；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
走线22；
[0036]绝缘层30；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
有源层40；
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底层；栅极，设于所述衬底层上；绝缘层，设于所述衬底层上，并覆盖所述栅极；有源层，设于所述绝缘层上；像素电极，设于所述绝缘层上；源漏极层，设于所述有源层上，并与所述像素电极电连接；钝化层，设于所述绝缘层上，并覆盖所述有源层、所述像素电极以及所述源漏极层；其中，所述像素电极包括至少两层叠层设置的导电膜层，且与所述绝缘层相接触的一所述导电膜层的材料与所述有源层的材料相同。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电膜层包括：第一导电层，设于所述绝缘层远离所述栅极的一表面上；第二导电层，设于所述第一导电层远离所述绝缘层的一表面上；所述第一导电层的导电率小于所述第二导电层的导电率。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层和所述第一导电层的材料均包括透明半导体材料；所述第二导电层的材料包括透明导电材料。4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极层包括：源极部，设于所述有源层远离所述像素电极的一端上；漏极部，设于所述有源层靠近所述像素电极的一端上，并从所述有源层延伸至所述第二导电层上，与所述第二导电层电连接。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：走线，设于所述衬底层与所述绝缘层之间；所述像素电极在所述衬底层上的正投影位于所述栅极与所述走线之间。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：公共电极层，设于所述钝化层上，并依次穿过所述钝化层和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴星强，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：