发光器件制造技术

提供了一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发光层，设置在第一电极与第二电极之间。发光层包括新型的多环化合物，因此，发光器件可以表现出高的发光效率性质和提高的寿命性质。现出高的发光效率性质和提高的寿命性质。现出高的发光效率性质和提高的寿命性质。

【技术实现步骤摘要】
发光器件
[0001]本申请要求于2021年7月21日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0096029号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]公开涉及一种在发光层中包括新型的多环化合物的发光器件。

技术介绍

[0003]对于有机电致发光显示装置等作为图像显示装置继续积极开发。有机电致发光显示装置是包括所谓的自发光发光器件的显示装置，在自发光发光器件中，分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发光层中复合，使得发光层的发光材料发射光以实现图像的显示。
[0004]在将发光器件应用于图像显示器时，存在低驱动电压、高发光效率和长寿命的需求，并且需要不断开发用于能够稳定地实现这样特性的发光器件的材料。
[0005]最近，为了实现高效率的发光器件，正在开发针对使用三重态能量的磷光发射的技术或使用其中通过三重态激子的碰撞产生单重态激子的三重态
‑
三重态湮灭(TTA)的延迟荧光发射的技术，并且正在针对使用延迟荧光的热激活延迟荧光(TADF)材料进行开发。
[0006]将理解的是，该
技术介绍
部分部分地旨在提供用于理解技术的有用的
技术介绍
。然而，该
技术介绍
部分也可以包括不是相关领域技术人员在这里公开的主题的对应有效提交日之前已知或领会的一部分的想法、构思或认识。

技术实现思路

[0007]公开提供了一种表现出优异的发光效率的发光器件。
[0008]实施例提供了一种发光器件，所述发光器件可以包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发光层，设置在第一电极与第二电极之间。发光层可以包括多环化合物，并且第一电极和第二电极可以均独立地包括选自于以下物质中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn；Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的氧化物；Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的化合物；以及Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的混合物。多环化合物可以包括：苯基；第一取代基，取代在苯基处，并且由式A
‑
1表示；第二取代基，在苯基处取代在相对于第一取代基的邻位处；以及第三取代基，在苯基处取代在相对于第一取代基的邻位处且在相对于第二取代基的间位处。第二取代基和第三取代基可以均独立地为由式A
‑
2表示的基团。
[0009][式A
‑
1][0010][0011][式A
‑
2][0012][0013]在式A
‑
1中，X1和X2可以均独立地为O、S、Se或N(Ra)，m和n可以均独立地为从0至4的整数，并且Ra、Rc1和Rc2可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。在式A
‑
2中，o可以是从0至8的整数，并且Rd可以为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。
[0014]在实施例中，苯基和第一取代基可以具有扭曲的分子结构。
[0015]在实施例中，第一取代基可以位于第一平面上，并且苯基可以位于不平行于第一平面的第二平面上。
[0016]在实施例中，在式A
‑
1中，X1和X2中的至少一个可以是N(Ra)，并且Ra可以是由式A1至式A6中的任何一个表示的基团。
[0017][0018]在式A1至式A6中，Ph可以是未取代的苯基。
[0019]在实施例中，在式A
‑
1中，Rc1和Rc2可以均独立地为取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的二苯胺基。
[0020]在实施例中，在式A
‑
1中，m和n可以均为1，并且Rc1和Rc2可以均在相对于硼原子的对位处。
[0021]在实施例中，在式A
‑
2中，Rd可以为氢原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基或者取代或未取代的甲基。
[0022]在实施例中，多环化合物还可以包括在苯基处取代在相对于第一取代基的对位处的第四取代基，并且第四取代基可以是氢原子、取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的叔丁基。
[0023]在实施例中，多环化合物可以是选自于在下面解释的化合物组1中的任何一种。
[0024]在实施例中，发光器件可以包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发光层，设置在第一电极与第二电极之间。发光层可以包括由式1表示的多环化合物，并且发光器件的最大外量子效率可以等于或大于约20％。
[0025][式1][0026][0027]在式1中，X1和X2可以均独立地为O、S、Se或N(Ra)，a可以是从0至3的整数，b和c可以均独立地为从0至8的整数，d和e可以均独立地为从0至4的整数，并且R1至R5和Ra可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。
[0028]在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式2表示。
[0029][式2][0030][0031]在式2中，X1、X2、b至e和R1至R5可以与式1中所定义的相同。
[0032]在实施例中，在式2中，R1可以为氢原子、取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的叔丁基。
[0033]在实施例中，在式1中，R2和R3可以均独立地为氢原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基或者取代或未取代的甲基。
[0034]在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式3
‑
1或式3
‑
2表示。
[0035][式3
‑
1][0036][0037][本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；第二电极，设置在所述第一电极上；以及发光层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括多环化合物，其中，所述第一电极和所述第二电极均独立地包括选自于以下物质中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn；Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的氧化物；Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的化合物；以及Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的混合物，并且所述多环化合物包括：苯基；第一取代基，取代在所述苯基处，并且由式A
‑
1表示；第二取代基，在所述苯基处取代在相对于所述第一取代基的邻位处；以及第三取代基，在所述苯基处取代在相对于所述第一取代基的邻位处且在相对于所述第二取代基的间位处，其中，所述第二取代基和所述第三取代基均独立地为由式A
‑
2表示的基团：[式A
‑
1][式A
‑
2]其中，在式A
‑
1中，X1和X2均独立地为O、S、Se或N(Ra)，m和n均独立地为从0至4的整数，并且Ra、Rc1和Rc2均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地结合到相邻基团以形成环，其中，在式A
‑
2中，o是从0至8的整数，并且Rd为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至
30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地结合到相邻基团以形成环，并且其中，在式A
‑
1和式A
‑
2中，
‑
*表示与所述苯基的结合位。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述苯基和所述第一取代基具有扭曲的分子结构。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第一取代基位于第一平面上，并且所述苯基位于不平行于所述第一平面的第二平面上。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在式A
‑
1中，X1和X2中的至少一个是N(Ra)，并且Ra是由式A1至式A6中的一个表示的基团：其中，在式A1至式A6中，Ph是未取代的苯基，并且
‑
*表示与N(Ra)中的氮原子的结合位。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在式A
‑
1中，Rc1和Rc2均独立地为取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的二苯胺基。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在式A
‑
1中，m和n均为1，并且Rc1和Rc2均在相对于硼原子的对位处。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在式A
‑
2中，Rd为氢原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴灿锡，金泰一，朴宣映，朴俊河，白长烈，鲜于卿，沈文基，郑旼静，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：