发光器件以及发光器件的制造方法技术

本申请提供一种发光器件以及发光器件的制造方法。发光器件包括电子传输层，电子传输层包括第一电子传输层和第二电子传输层，第一电子传输层具有磁性，第二电子传输层不具有磁性或者具有磁性，当第一电子传输层和第二电子传输层均具有磁性时，第一电子传输层的磁性强度大于第二电子传输层的磁性强度。本申请的发光器件以及发光器件的制造方法能够简化多层电子传输层的制备工艺。电子传输层的制备工艺。电子传输层的制备工艺。

【技术实现步骤摘要】
发光器件以及发光器件的制造方法


[0001]本申请涉及发光器件领域，尤其涉及一种发光器件以及发光器件的制造方法。

技术介绍

[0002]量子点有机发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)发光器件等发光器件由于成本低廉、亮度高、寿命长、能耗小、色域广、工艺简单、适合于大屏幕等等，有望成为下一代平板显示的主流。
[0003]目前，高性能的QLED发光器件通常是基于有机
‑
无机杂化器件结构。其中，电子传输层通常采用溶液法制备的无机电子传输材料形成。采用溶液法制备的无机电子传输材料一定程度上可以匹配现有的量子点材料，提升器件的性能，但是仍旧存在诸多问题。
[0004]对蓝色QLED发光器件而言，由于蓝色材料的导带位置较浅，与氧化锌等无机电子传输材料的导带间存在较大势垒，较大势垒会造成电子注入不足，引起电致发光性能降低。因此，如何降低电子传输材料的导带与量子点的导带间的势垒将会是制约器件性能实现突破的最大因素。已知的一种方式是通过异金属掺杂来改变两者间的势垒问题。但是，在异金属掺杂的过程中通常会降低无机电子传输材料本身的电子迁移率。因此，异金属掺杂的方法虽然可以减小量子点与电子传输层之间的势垒，但由于无机电子传输材料本身的电子迁移率降低，电子注入未必能得到提升。已知的另一种方式是采用多层电子传输层材料。但是，采用多层电子传输层材料导致制程复杂，工艺难度提高。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请目的在于提供一种能够简化多层电子传输层的制备工艺的发光器件以及发光器件的制造方法。
[0006]本申请提供一种发光器件，包括：
[0007]电子传输层，所述电子传输层包括第一电子传输层和第二电子传输层，所述第一电子传输层具有磁性，所述第二电子传输层不具有磁性或者具有磁性，当所述第一电子传输层和所述第二电子传输层均具有磁性时，所述第一电子传输层的磁性强度大于所述第二电子传输层的磁性强度。
[0008]在一种实施方式中，所述第一电子传输层包括第一无机材料，所述第一无机材料的表面具有第一配体，所述第一配体为磁性离子液体配体，所述第二电子传输层包括第二无机材料，所述第二无机材料的表面具有第二配体，所述第二配体为非磁性配体或者磁性离子液体配体，当所述第二配体为磁性离子液体配体时。
[0009]在一种实施方式中，所述第一配体与所述第二配体相同，且且所述第一配体与所述第一无机材料的摩尔比大于所述第二配体与所述第二无机材料的摩尔比的含量。
[0010]在一种实施方式中，所述第一配体占所述第一无机材料的表面总配体的5wt％至100wt％；和/或所述第二配体占所述第二无机材料的表面总配体的5wt％至100wt％。
[0011]在一种实施方式中，所述磁性离子液体选自含有金属元素的磁性离子液体和有机
磁性离子液体中的一种或多种。
[0012]在一种实施方式中，所述含有金属元素的磁性离子液体选自咪唑型磁性离子液体、吡啶型磁性离子液体、胍类磁性离子液体和吡咯型磁性离子液体中的一种或多种。
[0013]在一种实施方式中，所述磁性离子液体选自[BMIM
+
][FeCl4‑
]、[C6MIM
+
][FeCl4‑
]、[BDMIM
+
][FeCl4‑
]、[C3H6COOHMIM
+
][FeCl4‑
]、[BPY
+
][FeCl4‑
]MIL、[TMG]Cl/1.5FeCl3、[BMPL
+
][FeCl4‑
]、2,2,6,6
‑
四甲基
‑1‑
哌啶基氧自由基
‑4‑
硫酸盐、1
‑
丁基
‑3‑
甲基咪唑四氟硼酸盐中的一种或多种。
[0014]在一种实施方式中，所述发光器件还包括发光层，所述第二电子传输层位于所述发光层与所述第一电子传输层之间，所述第二电子传输层的导带能级大于所述第一电子传输层的导带能级；或者
[0015]所述第一电子传输层位于所述发光层与所述第二电子传输层之间，所述第一电子传输层的导带能级大于所述第二电子传输层的导带能级。
[0016]在一种实施方式中，所述第一无机材料与所述第二无机材料分别独立地选自ZnO、TiO2、SnO2的一种或多种。
[0017]在一种实施方式中，所述第一无机材料和/或所述第二无机材料中包括掺杂元素，所述掺杂元素为Li、Mg、Al、Cd、In、Cu、Cs、Ga和Gd中的至少一种。
[0018]在一种实施方式中，所述第一电子传输层位于所述发光层与所述第二电子传输层之间，所述第一电子传输层的导带能级大于所述第二电子传输层的导带能级，所述第一无机材料包括掺杂元素，所述掺杂元素为Li、Mg、Al、Cd、In、Cu、Cs、Ga和Gd中的至少一种，所述掺杂元素的掺杂量为0.001wt％
‑
50wt％。
[0019]在一种实施方式中，所述电子传输层还包括第三电子传输层，所述第三电子传输层设置于所述第一电子传输层与所述第二电子传输层之间，所述第三电子传输层具有磁性，所述第三电子传输层的磁性强度小于所述第一电子传输层的磁性强度，且大于所述第二电子传输层的磁性强度。
[0020]在一种实施方式中，所述第三电子传输层的导带能级介于所述第一电子传输层与所述第二电子传输层之间。
[0021]在一种实施方式中，所述第三电子传输层包括第三无机材料，所述第三无机材料的表面具有第三配体，所述第三配体为水溶性磁性离子液体配体。
[0022]在一种实施方式中，发光器件还包括：
[0023]空穴功能层，所述空穴功能层包括第一空穴功能层和第二空穴功能层，所述第一空穴功能层具有磁性，所述第二空穴功能层不具有磁性或者具有磁性，当所述第一空穴功能层和所述第二空穴功能层均具有磁性时，所述第一空穴功能层的磁性强度大于所述第二空穴功能层的磁性强度。
[0024]在一种实施方式中，所述第一空穴功能层和所述第二空穴功能层的其中一个为空穴注入层，另一个为空穴传输层。
[0025]在一种实施方式中，所述第一空穴功能层为第一空穴注入层；第二空穴功能层为第二空穴注入层。
[0026]在一种实施方式中，所述第一空穴功能层包括第一无机材料，所述第四无机材料的表面具有第四配体，所述第四配体为磁性离子液体配体，所述第二空穴功能层包括第五
无机材料和/或有机材料，所述第五无机材料的表面具有第五配体，所述第五配体为非磁性配体或者磁性离子液体配体。
[0027]在一种实施方式中，所述第一空穴功能层由第四无机材料构成，所述第四无机材料的表面具有第四配体，所述第四配体为磁性离子液体配体，
[0028]所述第二空穴功能层由第五无机材料和/或有机材料构成，所述第五无机材料的表面具有第五配体，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：电子传输层，所述电子传输层包括第一电子传输层和第二电子传输层，所述第一电子传输层具有磁性，所述第二电子传输层不具有磁性或者具有磁性，当所述第一电子传输层和所述第二电子传输层均具有磁性时，所述第一电子传输层的磁性强度大于所述第二电子传输层的磁性强度。2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层包括第一无机材料，所述第一无机材料的表面具有第一配体，所述第一配体为磁性离子液体配体，所述第二电子传输层包括第二无机材料，所述第二无机材料的表面具有第二配体，所述第二配体为非磁性配体或者磁性离子液体配体。3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一配体与所述第二配体相同，且所述第一配体与所述第一无机材料的摩尔比大于所述第二配体与所述第二无机材料的摩尔比。4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一配体占所述第一无机材料的表面总配体的5wt％至100wt％；和/或所述第二配体占所述第二无机材料的表面总配体的5wt％至100wt％。5.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述磁性离子液体选自含有金属元素的磁性离子液体和有机磁性离子液体中的一种或多种。6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述含有金属元素的磁性离子液体选自咪唑型磁性离子液体、吡啶型磁性离子液体、胍类磁性离子液体和吡咯型磁性离子液体中的一种或多种。7.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括发光层，所述第二电子传输层位于所述发光层...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂志文，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：