一种5KV高压mosfet开关制造技术

本发明专利技术公开了一种5KV高压mosfet开关，涉及电力电子技术领域，包括主体，所述主体的内部设置有电池组，所述主体的底部固定连接有冷却组件，所述冷却组件包括冷却板，所述冷却板的顶部设置有第一进口，所述冷却板的顶部设置有第二进口，所述主体的一侧固定连接有通道组件，所述通道组件包括固定板，所述固定板固定在主体的一侧，所述固定板的底部设置有第一通道，所述通道组件的一侧固定连接有安装机构。本发明专利技术隔离变换单元固定连接在电路板的一侧，光电耦合单元固定在隔离变换单元的一侧，隔离变换单元和光电耦合单元能够通过高压高速光耦隔离前后级信号，使得该固态开关最高电压五千伏，让该光耦隔离电压远远大于五千伏。让该光耦隔离电压远远大于五千伏。让该光耦隔离电压远远大于五千伏。

【技术实现步骤摘要】
一种5KV高压mosfet开关


[0001]本专利技术涉及电力电子
，具体涉及一种5KV高压mosfet开关。

技术介绍

[0002]现代社会随着能源及环境问题的增加，越来越多的设备选择利用清洁能源代替原来的传统能源以减少对环境的破坏，例如吸尘器、混动车等设备选择电能作为驱动其电机工作的能源。但是当使用电池模块驱动电机时，充电和放电均是通过大容量电流完成，在此过程中电池模块的内部温度会快速升高，从而造成电池模块的固有性能降低，且易发生电池自动断电的问题。因此，将电池模块过多的热量有效地消散到外部非常重要，目前市面上商用的碳化硅mosfet最大源漏电压VDS＝1700V，最大脉冲电流IDM＝100～300A。在某些应用场景下通常需要更高的源漏电压VDS和个更大的源漏电流ID.现阶段在无法提升单只碳化硅mosfet的参数,我们采取串联多只碳化硅mosfet来满足我们的参数需求.本专利技术就是基于串联多只碳化硅mosfet实现的一种高源漏电压VDS,大源漏电流ID的一种碳化硅mosfet高压固态开关，现阶段国外的BEHLKE在这方面做的最好,但是BEHLKE的产品也没有一款VDS＝5000V,IDM＝400A的固态开关。针对现有技术存在以下问题：
[0003]1、现有的一种5KV高压mosfet开关,不便于让该光耦隔离电压远远大于五千伏，和不便于采用均压电阻进行均压让每只管子压降平衡，不能够能够起到保护Mosfet开关的作用；
[0004]2、现有的一种5KV高压mosfet开关,不便于使Mosfet开关由于较高的工作电流而产生的发热迅速地消散。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：
[0006]一种5KV高压mosfet开关，包括主体，所述主体的内部设置有电池组，所述主体的底部固定连接有冷却组件，所述冷却组件包括冷却板，所述冷却板的顶部设置有第一进口，所述冷却板的顶部设置有第二进口，所述主体的一侧固定连接有通道组件，所述通道组件包括固定板，所述固定板固定在主体的一侧，所述固定板的底部设置有第一通道，所述固定板的内部设置有第二通道，所述通道组件的一侧固定连接有安装机构。
[0007]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述冷却板的顶部设置有第一出口，所述冷却板的顶部设置有第二出口，所述安装机构包括安装板，所述安装板与固定板之间固定连接有散热件。
[0008]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述安装板的一侧开有安装孔，所述安装孔的内部螺纹连接有固定螺栓。
[0009]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述安装板的一侧固定安装有电路板，所述电路板的两侧均固定连接有连接板。
[0010]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述连接板的内部螺纹连接有连接螺栓，所
述连接板通过连接螺栓与安装板固定连接。
[0011]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述电路板的一侧固定连接有开关控制模块，所述开关控制模块包括隔离变换单元。
[0012]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述隔离变换单元固定连接在电路板的一侧，所述隔离变换单元的正面固定连接有光电耦合单元。
[0013]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述光电耦合单元的正面固定连接有触发指示单元，所述隔离变换单元的正面固定连接有光电驱动单元。
[0014]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述隔离变换单元的正面固定连接有栅极驱动单元，所述隔离变换单元的正面固定连接有均压保护单元。
[0015]由于采用了上述技术方案，本专利技术相对现有技术来说，取得的技术进步是：
[0016]1、本专利技术提供一种5KV高压mosfet开关，通过隔离变换单元和光电耦合单元的共同作用下，隔离变换单元固定连接在电路板的一侧，光电耦合单元固定在隔离变换单元的一侧，隔离变换单元和光电耦合单元能够通过高压高速光耦隔离前后级信号，使得该固态开关最高电压五千伏，能够让该光耦隔离电压远远大于五千伏。
[0017]2、本专利技术提供一种5KV高压mosfet开关，通过栅极驱动单元和光电驱动单元的共同作用下，栅极驱动单元和光电驱动单元均固定连接在隔离变换单元的正面，光电驱动单元能够通过驱动器处理从光电耦合单元发出的信号并驱动后级单元，栅极驱动单元能够通过提高电压和电流来放大控制信号，同时对MOSFET的输入和反向传输电容充放电。
[0018]3、本专利技术提供一种5KV高压mosfet开关，通过均压保护单元的作用下，均压保护单元固定连接在隔离变换单元的正面，均压保护单元采用,五只1200V Mosfet开关串联达到提升电压等级的作用，采用均压电阻进行均压让每只管子压降平衡，采用气体放电管进行放电保护，当某只管子超出气体放电管电压阈值时气体放电管击穿，能够起到保护Mosfet开关的作用。
[0019]4、本专利技术提供一种5KV高压mosfet开关，通过的冷却板、第一通道和第二通道共同作用下，冷却板固定在主体的一侧，第一通道和第二通道设置在固定板的内部，第一通道和第二通道能够在固定板的内部起到连通循环的作用，因此冷却板可以迅速地带走由散热件传导的热量，从而使Mosfet开关由于较高的工作电流而产生的发热迅速地消散。
附图说明
[0020]图1为本专利技术的一种5KV高压mosfet开关的整体结构示意图；
[0021]图2为本专利技术的安装机构的结构示意图；
[0022]图3为本专利技术的开关控制模块的结构示意图；
[0023]图4为本专利技术的冷却组件的结构示意图；
[0024]图5为本专利技术的通道组件的结构示意图。
[0025]图中：1、主体；2、冷却组件；21、冷却板；22、第一进口；23、第二进口；24、第一出口；25、第二出口；3、通道组件；31、固定板；32、第一通道；33、第二通道；4、安装机构；41、安装板；42、安装孔；43、电路板；44、连接板；45、连接螺栓；5、开关控制模块；51、隔离变换单元；52、光电耦合单元；53、触发指示单元；54、光电驱动单元；55、栅极驱动单元；56、均压保护单元；6、散热件；7、电池组；8、固定螺栓。
具体实施方式
[0026]下面结合实施例对本专利技术做进一步详细说明：
[0027]实施例1
[0028]如图1
‑
5所示，本专利技术提供了一种5KV高压mosfet开关,包括主体1，主体1的内部设置有电池组7，主体1的底部固定连接有冷却组件2，冷却组件2包括冷却板21，冷却板21的顶部设置有第一进口22，冷却板21的顶部设置有第二进口23，主体1的一侧固定连接有通道组件3，通道组件3包括固定板31，固定板31固定在主体1的一侧，固定板31的底部设置有第一通道32，固定板31的内部设置有第二通道33，通道组件3的一侧固定连接有安装机构4。
[0029]在本实施案例中，冷却板21可以迅速地带走由散热件6传导的热量，从而使Mosfet开关由于较高的工作电流而产生的发热迅速地消散本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5KV高压mosfet开关，包括主体(1)，其特征在于：所述主体(1)的内部设置有电池组(7)，所述主体(1)的底部固定连接有冷却组件(2)，所述冷却组件(2)包括冷却板(21)，所述冷却板(21)的顶部设置有第一进口(22)，所述冷却板(21)的顶部设置有第二进口(23)，所述主体(1)的一侧固定连接有通道组件(3)，所述通道组件(3)包括固定板(31)，所述固定板(31)固定在主体(1)的一侧，所述固定板(31)的底部设置有第一通道(32)，所述固定板(31)的内部设置有第二通道(33)，所述通道组件(3)的一侧固定连接有安装机构(4)。2.根据权利要求1所述的一种5KV高压mosfet开关，其特征在于：所述冷却板(21)的顶部设置有第一出口(24)，所述冷却板(21)的顶部设置有第二出口(25)，所述安装机构(4)包括安装板(41)，所述安装板(41)与固定板(31)之间固定连接有散热件(6)。3.根据权利要求2所述的一种5KV高压mosfet开关，其特征在于：所述安装板(41)的一侧开有安装孔(42)，所述安装孔(42)的内部螺纹连接有固定螺栓(8)。4.根据权利要求2所述的一种5KV高压mosfet开关，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，高彬，任成贤，
申请(专利权)人：四川两用技术有限公司，
类型：发明
国别省市：