【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造用于真空室元件的铝合金板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年6月10日提交的欧洲专利申请第20179258.7号的权益和优先权,所述申请的内容通过引用以其整体并入本文中。
[0003]本专利技术涉及一种制造Al
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Mg
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Si合金(也称为6XXX系列铝合金)的铝合金板的方法,所述铝合金板用于形成用于制造半导体装置及液晶装置的设备的真空室的元件以及放置在真空室中的那些元件,所述设备是例如CVD系统、PVD系统、离子注入系统、溅射系统及干式蚀刻系统。本专利技术还涉及一种由Al
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Mg
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Si合金板制造真空室元件的方法。本专利技术进一步涉及由Al
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Mg
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Si合金板制造阀及总组合件的方法。
技术介绍
[0004]反应性气体、蚀刻气体及含有卤素的腐蚀性气体作为清洁气体被供应到用于制造半导体装置及液晶装置的设备的真空室中,所述设备是例如CVD系统、PVD系统、离子注入系统、溅射系统及干式蚀刻系统。因此,要求真空室对腐蚀性气体具有耐腐蚀性(下文中称为“腐蚀性气体耐受性”)。由于在真空室中通常产生卤素等离子体,因此对等离子体的耐受性(下文中称为“等离子体耐受性”)也很重要。近来,铝及铝合金材料已用于形成真空室的元件,因为铝及铝合金材料重量轻且导热性好。由于铝及铝合金材料在腐蚀性气体耐受性及等离子体耐受性方面不令人满意,因此已提出用于改善那些性能的各种表面质量改善技术 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造用于真空室元件、阀或总组合件的铝合金板的方法,所述方法包括以下步骤:(a) 提供Al
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Mg
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Si铝合金的轧制原料材料,所述轧制原料材料的组成以wt.%计包括:Mg ꢀꢀ 0.80%到1.05%,Si ꢀꢀ0.70%到1.0%,Mn ꢀꢀ 0.70%到0.90%,Fe ꢀꢀ 至多0.20%,Zn ꢀꢀ 至多0.08%,Cu ꢀꢀ 至多0.05%,Cr ꢀꢀ 至多0.03%,Ti ꢀꢀ 至多0.06%,无法避免的杂质各自<0.03%,总量<0.10%,余量为铝;(b) 在550℃到595℃的范围中的温度下将所述轧制原料均质化;(c) 在一或多个轧制步骤中将所述经均质化轧制原料热轧制成厚度为至少10 mm的经热轧制板;(d) 在540℃到590℃的范围中的温度下对所述经热轧制板进行固溶热处理(“SHT”);(e) 快速冷却所述SHT板;(f) 对所述经冷却SHT板进行拉伸以获得1%到5%的永久伸长率;以及(g) 对所述经拉伸板进行人工老化。2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述经均质化轧制原料热轧制成厚度在10 mm到230 mm范围中的板。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中Mg含量在0.85%到1.05%的范围中。4.根据权利要求1到3中任一项所述的方法,其中Si含量在0.70%到0.95%的范围中。5.根据权利要求1到4中任一项所述的方法,其中比率(以wt.%计) Mg/Si大于0.9。6.根据权利要求1到5中任一项所述的方法,其中Mn含量在0.75%到0.85%的范围中。7.根据权利要求1到6中任一项所述的方法,其中Fe含量至多0.12%。8.根据权利要求1到7中任一项所述的方法,其中Ti含量在0.01%到0.06%的范围中。9.根据权利要求1到8中任一项所述的方法,其中在555℃到595℃的范围中的温度下对所述轧制原料进行均质化。10.根据权利要求1到9中任一项所述的方法,其中在545℃到580℃的范围中的温度下对所述经热轧制板进行所述固溶热处理。11.根据权利要求1到10中任一项所述的方法,其中在150℃到190℃的范围中的温度下进行所述人工老化。12.根据权利要求11所述的方法,其中将所述人工老化进...
【专利技术属性】
技术研发人员:D,
申请(专利权)人:爱励轧制产品德国有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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