本发明专利技术涉及氢供给装置及具备其的离子束照射装置，尤其涉及一种能够以简单的构成来实现呈稳定的氢供给的氢供给装置。一种氢供给装置(H)，被配置于高电位，且具备：于内部具有储氢合金的瓶子(7)。氢合金的瓶子(7)。氢合金的瓶子(7)。
【技术实现步骤摘要】
氢供给装置及具备其的离子束照射装置
[0001]本专利技术关于一种供给氢气的装置及搭载有该装置的离子束(ion beam)照射装置。
技术介绍
[0002]在离子植入装置使用含有例如BF3或PF3的卤素(halogen)成分的掺杂物气体(dopant gas)的情况下，掺杂物气体所导入的离子源的构成零件与卤素成分会产生反应并生成卤素化合物。
[0003]该卤素化合物堆积于温度为比较低温的场所而引起构件的绝缘化或放电等的不良情形。
[0004]作为上述不良情形的对应，进行将氢气与掺杂物气体一起导入于离子源的作业。通过如此方式，掺杂物气体已被等离子体(plasma)化时所产生的卤素成分的离子与已被导入于离子源的氢气就会结合，且作为气体被排出至装置外部。据此，能减低属于不良情形的原因的卤素化合物的堆积。
[0005]有关氢气的供给方法采用各式各样的构成。例如，在专利文献1中从已被配置于气体控制箱(gas box)的氢产生装置朝向离子源进行氢气的供给。
[0006][现有技术文献][0007][专利文献][0008]专利文献1：日本特表2021
‑
511623。
技术实现思路
[0009][专利技术所欲解决的课题][0010]因为氢产生装置为通过水的电性分解而产生氢的装置，故装置构成复杂，且成为比较大型的装置。
[0011]另外，气体控制箱所配置的场所为施加有高电压(数百KV)的场所，当在该场所配置电性地产生氢的装置时，就有由于漏电或漏水所致的大事故的危险性。
[0012]更且，虽属微量，但氢产生装置会在氢的产生时产生氢以外的成分(例如，大气中的成分或水分)。
[0013]于是，在本专利技术中，将提供一种能够以简单的构成来实现呈稳定的氢供给的氢供给装置及具备该装置的离子束照射装置作为初期的课题。
[0014][用以解决课题的手段][0015]一种氢供给装置，被配置于高电位，且具备有：于内部具有储氢合金的瓶子(bottle)。
[0016]因为能够通过瓶子的开闭而进行氢供给，故装置构成变得单纯。
[0017]另外，因为并非如氢产生装置般地在氢的产生时需要电或水，故即便配置于高电位的场所仍没有由于漏电或漏水所致的事故的危险性。更且，只要是储氢合金，就能够继续供给纯度高的氢气。据此，能够以简单的构成来实现呈稳定的氢供给。
[0018]为了更稳定地进行氢供给，较优选是更具备有：防止前述瓶子的温度上升的温度上升防止构件。
[0019]因为使用了储氢合金的氢供给量具有温度依存性，故只要具备防止瓶子的温度上升的温度上升防止构件，就能够实施呈稳定的氢供给。
[0020]前述温度上升防止构件，较优选是对前述瓶子供给冷空气。
[0021]只要是对瓶子供给冷空气的气冷式的构件，就可以简化瓶子周围的构成。
[0022]为了更有效地防止瓶子的温度上升，较优选是在前述瓶子的周围配置有绝热构件。
[0023]为了更正确地控制来自瓶子的氢供给量，较优选是因应从前述瓶子所供给的氢气的压力或前述瓶子的温度，而用前述温度上升防止构件来控制前述瓶子的温度。
[0024]离子束照射装置的构成，较优选是具有：
[0025]上述的氢供给装置；以及
[0026]从前述氢供给装置被供给氢气的离子源。
[0027][专利技术功效][0028]因为能够通过瓶子的开闭而进行氢供给，故装置构成变得单纯。
[0029]另外，因为并非如氢产生装置般地在氢的产生时需要电或水，故即便配置于高电位的场所仍没有由于漏电或漏水所致的事故的危险性。更且，只要是储氢合金，就能够继续供给纯度高的氢气。据此，能够以简单的构成来实现呈稳定的氢供给。
附图说明
[0030]图1为显示离子植入装置的构成例的示意俯视图。
[0031]图2为显示高电位部的主要部分的示意俯视图。
[0032]图3为显示所供给的氢气的压力与温度的关系的图表(graph)。
[0033]图4为在图2中使用了另一个氢供给装置的示意俯视图。
[0034]图5为有关图4的氢供给装置的变化例的说明图。
[0035]图6为在图2中使用了更另一个氢供给装置的示意俯视图。
[0036]附图标记说明
[0037]1:离子源
[0038]2:分析电磁铁
[0039]3:分析狭缝
[0040]4:处理室
[0041]5:晶圆
[0042]6:保持具
[0043]7:第一瓶子
[0044]8:第二瓶子
[0045]11:等离子体生成容器
[0046]12:引出电极
[0047]21:绝缘碍子
[0048]22:温度上升防止构件
[0049]23:配管
[0050]24,26:壳体
[0051]25:真空容器
[0052]31:绝热构件
[0053]32:水冷套
[0054]34:管件
[0055]C:控制装置
[0056]D:排气导管
[0057]G:气体控制箱
[0058]H:氢供给装置
[0059]HV:高电位部
[0060]IB:离子束
[0061]IM:离子植入装置
[0062]P:压力计。
具体实施方式
[0063]图1为显示离子植入装置IM的构成例的示意俯视图。离子植入装置IM大致区分成离子源部、束线(beam line)部、端站(end station)部的三个部位。
[0064]离子源部为生成离子束IB的部位，且具备离子源1，该离子源1包含：于内部生成等离子体的等离子体生成容器11；以及从等离子体生成容器11进行离子束IB的引出的引出电极12。在等离子体生成容器11连接有用以供给成为等离子体的根源的气体的一个或多个瓶子。在图1的构成例中，第一瓶子7与第二瓶子8的二个瓶子被连接于等离子体生成容器11。
[0065]第一瓶子7用以将氢气供给至等离子体生成容器11，且于内部具有储氢合金(可以储存、释放出镁(magnesium)、钛(titanium)、钒(vanadium)、镧(lanthanum)等的氢的合金)。该第一瓶子7构成后述的本专利技术的氢供给装置H。
[0066]第二瓶子8，例如是将包含要植入于晶圆(wafer)的离子物种的掺杂物气体、或来自被设置于等离子体生成容器11内的溅镀靶材(sputter target)的被使用于离子生成的气体(BF3或PF3等的气体)供给至等离子体生成容器11的瓶子。
[0067]上述的离子源部被配置于比后述的束线部或端站部高出数百KV电位的高电位部HV。在本例中，离子源部也可考虑与高电位部HV同等。
[0068]从离子源1所引出的离子束IB被输送至束线部。在此，经由分析电磁铁2与分析狭缝(slit)3来进行被植入于晶圆的离子的挑选。通过本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氢供给装置，被配置于高电位，且具备有：于内部具有储氢合金的瓶子。2.根据权利要求1所述的氢供给装置，更具备有：防止前述瓶子的温度上升的温度上升防止构件。3.根据权利要求2所述的氢供给装置，其中，前述温度上升防止构件对前述瓶子供给冷空气。4.根据权利要求3所述的氢供给装置，其中在前述瓶子的周围配置有绝热构件。5.根据权利要求3所述的氢供给装置，其具备有：控制装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：平井裕也，赵维江，糸井骏，岩波悠太，
申请(专利权)人：日新离子机器株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。