字线驱动器电路及存储器制造技术

本申请实施例涉及半导体领域，提供一种字线驱动器电路及存储器，字线驱动器电路至少可以包括：多个字线驱动器，每一所述字线驱动器包含PMOS管和NMOS管，多个所述字线驱动器包含多个PMOS管和多个NMOS管，所述多个PMOS管并排设置，在所述多个PMOS管的排列方向上，部分所述NMOS管位于所述多个PMOS管的一侧，另一部分所述NMOS管位于所述多个PMOS管的相对的另一侧。本发明专利技术实施例有利于提升字线驱动器电路的电学性能。电学性能。电学性能。

【技术实现步骤摘要】
字线驱动器电路及存储器


[0001]本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种字线驱动器电路及存储器。

技术介绍

[0002]存储器中的各种电路需要使用各种信号，用于将信号施加于信号线的信号驱动器被普遍应用。字线驱动器用于向存储单元阵列中的字线施加电压，字线可以从子字线驱动器(SWD，Sub Wordline Driver)开始延伸并穿过存储单元整列。子字线驱动器可以响应于存储设备接收到的对应于字线的行地址而选择性地激活对应的字线，与被激活字线连接的每个存储单元可以将数据输出或输入。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种新的字线驱动器电路及存储器。
[0004]根据本申请一些实施例，本申请实施例提供一种字线驱动器电路，包括：多个字线驱动器，每一所述字线驱动器包含PMOS管和NMOS管，多个所述字线驱动器包含多个PMOS管和多个NMOS管，所述多个PMOS管并排设置，在所述多个PMOS管的排列方向上，部分所述多个NMOS管位于所述PMOS管的一侧，另一部分所述NMOS管位于所述多个PMOS管的相对的另一侧。
[0005]根据本申请一些实施例，本申请实施例还提供一种存储器，包含上述字线驱动器电路。
[0006]本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
[0007]本申请实施例中，多个PMOS管并排设置，且在多个PMOS管的排列方向上，多个NMOS管位于多个PMOS管的相对两侧，如此，有利于避免在垂直上述排列方向的方向上PMOS管和NMOS管并排设置，使得在垂直方向上PMOS管和NMOS管具有更大的空间，从而有利于延长PMOS管和NMOS管的沟道长度或栅极宽度，提升字线驱动器电路的电学性能；同时，控制NMOS管位于PMOS管的相对两侧，有利于使得不同字线驱动器对应的PMOS管与NMOS管之间的间距较短，从而缩短布线长度、降低导线电阻以及降低信号延迟；此外，将NMOS管设置于PMOS管的相对两侧，有利于提升字线驱动器电路的对称性，从而字线驱动器电路的电学性能。
附图说明
[0008]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0009]图1为本申请实施例提供的存储器的结构示意图；
[0010]图2为本申请实施例提供的字线驱动器电路的电路结构示意图；
[0011]图3至图9为本申请实施例提供的字线驱动器电路的版图结构示意图。
具体实施方式
[0012]下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
[0013]图1为本申请实施例提供的存储器的结构示意图；图2为本申请实施例提供的字线驱动器电路的电路结构示意图；图3至图9为本申请实施例提供的字线驱动器电路的版图结构示意图。
[0014]字线驱动器电路包括：多个字线驱动器，每一字线驱动器包含PMOS管和NMOS管，多个字线驱动器包括多个PMOS管和多个NMOS管，多个PMOS管并排设置，在多个PMOS管的排列方向上，部分NMOS管位于多个PMOS管的一侧，另一部分NMOS管位于多个PMOS管的另一侧。
[0015]以下将结合附图对本申请实施例进行更为详细的说明。
[0016]参考图1，根据连接的字线不同，字线驱动器可分为奇数字线驱动器SWD_ODD和偶数字线驱动器SWD_EVEN，奇数字线驱动器SWD_ODD用于连接奇数位字线(例如WL1、WL3、WL5以及WL7)，偶数字线驱动器SWD_EVEN用于连接偶数位字线(例如WL0、WL2、WL4以及WL6)。在存储设备中，奇数字线驱动器SWD_ODD和偶数字线驱动器SWD_EVEN通常间隔设置，奇数位字线与偶数位字线通常间隔排列。
[0017]参考图1和图2，以每一字线驱动器电路包含四个字线驱动器作为示例进行说明，根据图示可知，同一字线驱动器电路中的不同字线驱动器的类型相同，即均为奇数字线驱动器或偶数字线驱动器；每一字线驱动器可包含一个PMOS管和两个NMOS管，记为第零PMOS管、第零NMOS管和第一NMOS管，第零PMOS管的栅极和第零NMOS管的栅极用于接收第一控制信号MWLB(例如MWLB<n>)，第零PMOS管的源极用于接收第二控制信号FX(例如FX0、FX2、FX4以及FX6)，第零PMOS管的漏极、第零NMOS管的漏极以及第一NMOS管的漏极用于连接对应的字线(例如WL0、WL2、WL4以及WL6)，第零NMOS管的源极和第一NMOS管的源极接地，第一NMOS管的栅极用于接收第二控制互补信号FXB(例如FXB0、FXB2、FXB4以及FXB6)。在一些实施例，字线驱动器仅包含一个PMOS管和一个NMOS管。
[0018]其中，第二控制信号FX向高电平跳变的时刻与第二控制互补信号FXB向低电平跳变的时刻、第一控制信号MWLB向低电平跳变的时刻相同，第二控制互补信号FXB向高电平跳变的时刻晚于第二控制信号FX向低电平跳变的时刻，第一控制信号MWLB向高电平跳变的时刻晚于第二控制互补信号FXB向高电平跳变的时刻。
[0019]示例性地，字线驱动器电路包括第一字线驱动器SWD1、第二字线驱动器SWD2、第三字线驱动器SWD3以及第四字线驱动器SWD4，第一字线驱动器SWD1包括PMOS管P10与NMOS管N10和N11，第二字线驱动器SWD2包括PMOS管P20与NMOS管N20和N21，第三字线驱动器SWD3包括PMOS管P30与NMOS管N30和N31，第四字线驱动器SWD4包括PMOS管P40与NMOS管N40和N41，其中，P10、P20、P30以及P40属于第零PMOS管，N10、N20、N30以及N40属于第零NMOS管，N11、N21、N31以及N41属于第一NMOS管。
[0020]在一些实施例中，每一PMOS管由至少两个子PMOS管构成；在另一些实施例中，每一NMOS管由至少两个子NMOS管构成；在又一实施例中，每一PMOS管由至少两个子PMOS管构成，且每一NMOS管由至少两个子NMOS管构成。示例性地，第零PMOS管由第零一PMOS管和第零二
PMOS管构成，第零NMOS管由第零一NMOS管和第零二NMOS管构成，第一NMOS管由第一一NMOS管和第一二NMOS管构成。需要说明的是，本申请实施例中，第零一PMOS管和第零二PMOS管为物理特性完全相同的NMOS管，区别仅在于自身的位置不同以及与其他部件的连接关系不同，同理地，第一一NMOS管和第一二NMOS管以及第零一NMOS管和第零二NMOS管为物理特性完全相同的NMOS管，区别仅在于自身的位置不同以及与其他部件的连接关系不同。设置由两个子MOS管共同构成PMOS管或NMOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种字线驱动器电路，其特征在于，包括：多个字线驱动器，每一所述字线驱动器包含PMOS管和NMOS管，多个所述字线驱动器包含多个PMOS管和多个NMOS管，所述多个PMOS管并排设置，在所述多个PMOS管的排列方向上，部分所述NMOS管位于所述多个PMOS管的一侧，另一部分所述NMOS管位于所述多个PMOS管的相对的另一侧。2.根据权利要求1所述的字线驱动器电路，其特征在于，记所述字线驱动器中所述PMOS管与所述NMOS管之间的间距为预设间距，不同所述字线驱动器的所述预设间距相同。3.根据权利要求1所述的字线驱动器电路，其特征在于，每一所述PMOS管由至少两个子PMOS管构成。4.根据权利要求1所述的字线驱动器电路，其特征在于，每一所述NMOS管由至少两个子NMOS管构成。5.根据权利要求1或4所述的字线驱动器电路，其特征在于，所述字线驱动器包括第零PMOS管、第零NMOS管和第一NMOS管，所述第零PMOS管的栅极接收第一控制信号，源极接收第二控制信号，漏极连接字线，所述第零NMOS管的栅极接收所述第一控制信号，源极接地，漏极连接所述字线，所述第一NMOS管的栅极接收第二控制互补信号，源极接地，漏极连接所述字线，所述第零NMOS管由第零一NMOS管和第零二NMOS管构成，所述第一NMOS管由第一一NMOS管和第一二NMOS管构成。6.根据权利要求5所述的字线驱动器电路，其特征在于，所述第一一NMOS管和所述第一二NMOS管位于所述第零一NMOS管和所述第零二NMOS管之间。7.根据权利要求6所述的字线驱动器电路，其特征在于，所述第一一NMOS管和所述第一二NMOS管的排列方向平行于所述第零一NMOS管和所述第零二NMOS管的排列方向。8.根据权利要求6所述的字线驱动器电路，其特征在于，所述第零一NMOS管与所述第一一NMOS管共用同一漏极，所述第一一NMOS管与所述第一二NMOS管共用同一源极，所述第一二NMOS管与所述零二NMOS管共用同一漏极。9.根据权利要求8所述的字线驱动器电路，其特征在于，所述第一一NMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨桂芬，池性洙，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：