封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种封装结构及其形成方法。该封装结构包括：基板；光集成电路，位于所述基板上方，所述光集成电路的上表面上具有第一光导部件；光纤阵列，位于所述光集成电路的所述第一光导部件上方并且具有第二光导部件；光导材料，位于所述光集成电路与所述光纤阵列之间，其中，所述光纤阵列的所述第二光导部件穿过所述光导材料而光耦合至所述光集成电路的所述第一光导部件。所述第一光导部件。所述第一光导部件。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在图1所示的封装结构中，光纤阵列(FAU)20与光集成电路(PIC)10采用光栅耦合(grating coupling)的方式进行耦光，这种方式可以精准耦光是因为利用PIC 10上方的多个绝缘层32当做被动对位的对位结构。但是，FAU 20的多个光线(fibers)25与PIC 10上方的光导(Wave Guider，WG)15穿过绝缘层32中的孔36设置于一个空腔(cavity)35内，各个光路之间讯号的信噪比需要进一步改进，并且容易因为相互干扰导致并进而提升多个WG 15中的每一条WG 15的光讯号质量。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出封装结构及其形成方法。
[0004]根据本专利技术的一个方面，提供了一种封装结构，包括：基板；光集成电路，位于所述基板上方，所述光集成电路的上表面上具有第一光导部件；光纤阵列，位于所述光集成电路的所述第一光导部件上方并且具有第二光导部件；光导材料，位于所述光集成电路与所述光纤阵列之间，其中，所述光纤阵列的所述第二光导部件穿过所述光导材料而光耦合至所述光集成电路的所述第一光导部件。
[0005]在一些实施例中，所述光纤阵列的底面与所述光集成电路的所述上表面成一锐角。
[0006]在一些实施例中，封装结构还包括胶体，胶体至少位于所述光纤阵列与所述光导材料之间。
[0007]在一些实施例中，所述光导材料中具有腔体，所述腔体贯穿所述光导材料并位于所述光集成电路的所述第一光导部件上方，所述光纤阵列的所述第二光导部件经由所述腔体而光耦合至所述第一光导部件。
[0008]在一些实施例中，所述腔体中填充有包覆所述第二光导部件的胶体。
[0009]在一些实施例中，封装结构还包括模制物，模制物位于所述基板上方并围绕所述光集成电路和所述光导材料。
[0010]在一些实施例中，所述光纤阵列的相对两侧上分别设置有凸出部。
[0011]在一些实施例中，封装结构还包括：电集成电路，位于所述光导材料上方；电源管理集成电路，与所述电集成电路位于所述光纤阵列的相对两侧；所述光纤阵列的两个所述凸出部分别位于所述电集成电路和所述电源管理集成电路上方。
[0012]在一些实施例中，封装结构还包括散热部件，散热部件至少在所述电集成电路和所述电源管理集成电路的上表面上延伸，所述光纤阵列的两个所述凸出部位于所述散热部件上方。
[0013]在一些实施例中，封装结构还包括：线路层，位于所述电集成电路和所述电源管理
集成电路下方；导电柱，位于所述电源管理集成电路下方的所述线路层下方，其中，所述导电柱将所述线路层连接至所述基板。
[0014]根据本专利技术的另一个方面，提供了一种形成封装结构的方法，包括：在基板上形成光集成电路和光导材料，其中，所述光集成电路的与所述基板相对的表面上具有第一光导部件，所述光导材料覆盖在所述光集成电路的所述表面上；在所述光导材料上方形成光纤阵列，所述光纤阵列的所述第二光导部件穿过所述光导材料而光耦合至所述光集成电路的所述第一光导部件。
[0015]在一些实施例中，形成光纤阵列包括：所述光纤阵列的底面与所述光集成电路的所述上表面成一锐角。
[0016]在一些实施例中，形成光纤阵列包括：将所述光纤阵列倾斜地放置在所述光导材料上方；在所述光纤阵列与所述光导材料之间形成胶体以固定所述光纤阵列保持倾斜。
[0017]在一些实施例中，在形成所述光导材料之后还包括：在所述光导材料中形成腔体，所述腔体贯穿所述光导材料并位于所述光集成电路的所述第一光导部件上方，其中，所述光纤阵列的所述第二光导部件经由所述腔体而光耦合至所述第一光导部件。
[0018]在一些实施例中，在所述腔体中填充包覆所述第二光导部件的胶体。
[0019]在一些实施例中，还在所述基板上方形成围绕所述光集成电路和所述光导材料的模制物。
[0020]在一些实施例中，所述光纤阵列的两个相对侧壁上分别设置有凸出部，其中，所述两个相对侧壁上的两个所述凸出部厚度不同以使所述光纤阵列倾斜。
[0021]在一些实施例中，还包括：在所述光导材料上方形成电集成电路；形成电源管理集成电路，所述电源管理集成电路与所述电集成电路位于所述光纤阵列的相对两侧，其中，所述光纤阵列的两个所述凸出部分别位于所述电集成电路和所述电源管理集成电路上方。
[0022]在一些实施例中，还包括：形成至少在所述电集成电路和所述电源管理集成电路的上表面上延伸的散热部件，其中，所述光纤阵列穿过所述散热部件并且所述光纤阵列的两个所述凸出部位于所述散热部件上方。
[0023]在一些实施例中，还包括：在载体上形成线路层；在所述基板上形成导电柱，所述导电柱与所述光集成电路间隔的设置在所述基板上；将所述线路层接合至所述导电柱和所述光导材料，并去除所述载体；将所述电集成电路和所述电源管理集成电路接合在所述线路层上方。
附图说明
[0024]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应当注意，根据工业中的标准实践，各个部件并非按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。
[0025]图1是现有的封装结构的示意图。
[0026]图2是根据本专利技术的实施例的封装结构的示意图。
[0027]图3示出了根据本专利技术实施例的封装结构的部分的尺寸配置。
[0028]图4至图7是根据本专利技术其他实施例的封装结构的示意图。
[0029]图8A至图8M示出了形成根据本专利技术实施例的封装结构的方法的各个阶段的示意
图。
[0030]图9A至图9H示出了形成封装结构中的线路层2的示例方法的各个阶段的示意图。
具体实施例
[0031]下列公开提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成额外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0032]图2是根据本专利技术的实施例的封装结构的示意图。该封装结构包括基板210、位于基板210上方的PIC 220和位于PIC 220上方的FAU 230。PIC 220的上表面上具有多个第一光导部件222。FAU 230位于PIC 220的第一光导部件222上方，并且FAU 230具有多个第二光导部件232。在一些实施例中，FAU 230的第二光导部件232可以是光纤。PIC 220与FAU 230之间设置有光导材料240。F本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板；光集成电路，位于所述基板上方，所述光集成电路的上表面上具有第一光导部件；光纤阵列，位于所述光集成电路的所述第一光导部件上方并且具有第二光导部件；光导材料，位于所述光集成电路与所述光纤阵列之间，其中，所述光纤阵列的所述第二光导部件穿过所述光导材料而光耦合至所述光集成电路的所述第一光导部件。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述光纤阵列的底面与所述光集成电路的所述上表面成一锐角。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：胶体，至少位于所述光纤阵列与所述光导材料之间。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述光导材料中具有腔体，所述腔体贯穿所述光导材料并位于所述光集成电路的所述第一光导部件上方，所述光纤阵列的所述第二光导部件经由所述腔体而光耦合至所述第一光导部件。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述腔体中填充有包覆所述第二光导部件的胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：