【技术实现步骤摘要】
具有多个底电极层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
[0001]本专利技术的实施例涉及半导体领域,尤其涉及一种体声波谐振器及其制造方法、一种具有该谐振器的滤波器,以及一种电子设备。
技术介绍
[0002]电子器件作为电子设备的基本元素,已经被广泛应用,其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外,未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。
[0003]薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator,简称FBAR,又称为体声波谐振器,也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用,特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大,FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性,其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器,在无线通信射频领域发挥巨大作用,其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。
[0004]薄膜体声波谐振器的结构主体为由电极
‑
压电薄膜
‑
电极组成的“三明治”结构,即两层金属电极层之间夹一层压电材料。通过在两电极间输入正弦信号,FBAR利用逆压电效应将输入电信号转换为机械谐振,并且再利用压电效应将机械谐振转换为电信号输出。
[0005]对于体声波谐振器,采用了将底电极设置为包括多层电极的形式。如图1和图2所示,该谐振器包括基底101、声学镜或声学镜空腔102、底电极层103、底电极层104、压电层 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器,包括:基底;底电极;顶电极;和压电层,其中:所述底电极包括多个电极层,所述多个电极层至少包括在谐振器的厚度方向上设置的第一电极层和第二电极层,第二电极层覆盖第一电极层的上侧的至少一部分;所述谐振器还包括覆盖层,在所述底电极的非电极连接端的外侧,所述覆盖层的上表面与所述第二电极层的上表面在谐振器的高度方向上错开。2.根据权利要求1所述的谐振器,其中:在所述底电极的非电极连接端,所述覆盖层覆盖第二电极层的端面的至少一部分。3.根据权利要求2所述的谐振器,其中:在所述底电极的非电极连接端,所述覆盖层还覆盖所述第一电极层的端面。4.根据权利要求3所述的谐振器,其中:所述谐振器的声学镜为声学镜空腔;所述第一电极层覆盖所述声学镜空腔且所述第一电极层限定所述声学镜空腔的上侧边界的至少一部分。5.根据权利要求3所述的谐振器,其中:所述谐振器的声学镜为声学镜空腔;所述谐振器还包括阻挡层,所述第一电极层覆盖所述阻挡层且所述阻挡层限定所述声学镜空腔的上侧边界的至少一部分;在所述底电极的非电极连接端,所述覆盖层还覆盖阻挡层的端面。6.根据权利要求4或5所述的谐振器,其中:在所述底电极的非电极连接端,所述覆盖层的在第一电极层的非电极连接端的外侧的上表面低于第二电极层的上表面。7.根据权利要求6所述的谐振器,其中:所述覆盖层还包括覆盖所述第二电极层的上侧的一部分的部分。8.根据权利要求4或5所述的谐振器,其中:在所述底电极的非电极连接端,所述覆盖层处于第一电极层的非电极连接端的外侧的上表面高于所述第二电极层的上表面。9.根据权利要求8所述的谐振器,其中:所述覆盖层还包括覆盖所述第二电极层的上侧的一部分的部分。10.根据权利要求1所述的谐振器,其中:所述底电极中设置有空隙层,所述空隙层限定谐振器的声学镜空腔。11.根据权利要求10所述的谐振器,其中:所述覆盖层的上表面低于所述第二电极层的处于谐振器的有效区域内的上表面。12.根据权利要求10所述的谐振器,其中:
所述谐振器还包括第三电极层,所述第三电极层与第一电极层之间设置有所述空隙层,第三电极层处于所述空隙层的下方;在底电极的非电极连接端,所述第三电极层的端部处于所述第一电极层的端部的外侧;在底电极的非电极连接端,所述覆盖层覆盖所述第三电极层的端面的至少一部分。13.根据权利要求12所述的谐振器,其中:所述第三电极层的材料与所述第二电极层的材料相同;在底电极的非电极连接端,所述第三电极层的端面与所述第二电极层的端面齐平。14.根据权利要求10所述的谐振器,其中:所述谐振器还包括第三电极层,所述第三电极层与第一电极层之间设置有所述空隙层,第三电极层处于所述空隙层的下方;在底电极的非电极连接端,所述第二电极层的端部处于所述第一电极层的端部和第三电极层的端部的外侧以至少覆盖第一电极层的端面。15.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐洋,庞慰,张巍,郝龙,
申请(专利权)人:诺思天津微系统有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。