芯片封装方法及载体技术

本申请公开了一种芯片封装方法及载体，涉及半导体制造领域。本申请提供的芯片封装方法通过在载体上开设至少两个贯通槽；将所述载体放置于加工平面；将待封装晶圆插入载体上的开槽内；对所述待封装晶圆进行真空覆膜，在待封装晶圆的顶面和侧面形成覆膜层；对所述待封装晶圆进行加工，加工完成后将所述待封装晶圆从所述载体内取出；实现了一次加工多片晶圆，极大的提高了芯片封装效率，解决了芯片封装时生产效率低下的问题。产效率低下的问题。产效率低下的问题。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装方法及载体


[0001]本申请涉及半导体器件制备领域，尤其涉及一种芯片封装方法及载体。

技术介绍

[0002]传统半导体封装技术主要包含下述工艺过程：首先将裸片正面通过胶带粘接在载体上，进行热压塑封，然后将载体剥离，然后在裸片正面进行再布线工艺，形成再布线结构，并进行封装。并且，传统半导体封装技术中，在进行多个、或者不同规格晶圆加工时，生产工艺复杂，产出效率低下。

技术实现思路

[0003]本申请提出了一种芯片封装方法及载体，以解决芯片封装时生产效率低下的问题。
[0004]为了实现上述目的，本申请采用了如下方案：
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种芯片封装方法，所述方法包括：
[0006]在载体上开设至少两个贯通槽；
[0007]将所述载体放置于加工平面；
[0008]将待封装晶圆插入载体上的开槽内；
[0009]对所述待封装晶圆进行真空覆膜，在待封装晶圆的顶面和侧面形成覆膜层；
[0010]对所述待封装晶圆进行加工，加工完成后将所述待封装晶圆从所述载体内取出。
[0011]可选的，所述至少两个贯通槽中具有至少两个尺寸不同的贯通槽。
[0012]可选的，所述载体的材质包括玻璃、PCB板或钢板。
[0013]可选的，所述对所述待封装晶圆进行真空覆膜包括：
[0014]在所述载体的顶面放置覆膜材料，进行加热使所述覆膜材料覆盖至所述待封装晶圆的顶面及侧面；
[0015]所述覆膜材料为热固光敏材料。
[0016]可选的，所述对所述待封装晶圆进行加工包括：
[0017]在所述待封装晶圆顶面的覆膜层之上形成钝化层。
[0018]可选的，所述对所述待封装晶圆进行加工还包括：
[0019]在所述待封装晶圆的顶面形成再分布线路层。
[0020]可选的，所述在所述待封装晶圆的顶面形成再分布线路层之后进行焊盘制作。
[0021]可选的，对所述待封装晶圆的顶面进行焊盘制作之后进行焊点制作。
[0022]可选的，所述加工完成后将所述待封装晶圆从所述载体上取出之后包括：
[0023]回收所述载体，在下次封装芯片时再次使用。
[0024]可选的，所述加工完成后将所述待封装晶圆从所述载体上取出之后还包括：
[0025]将所述待封装晶圆研磨至预设厚度；
[0026]根据设计需要对所述待封装晶圆进行切割。
[0027]另一方面，本申请实施例提供了一种芯片封装载体，所述芯片封装载体采用如本申请实施例提供的任一项所述的芯片封装方法制备而成，
[0028]所述载体上设有至少两个贯通槽。
[0029]本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0030]本申请提供的芯片封装方法通过在载体上开设至少两个贯通槽；将所述载体放置于加工平面；将待封装晶圆插入载体上的开槽内；对所述待封装晶圆进行真空覆膜，在待封装晶圆的顶面和侧面形成覆膜层；对所述待封装晶圆进行加工，加工完成后将所述待封装晶圆从所述载体内取出；实现了一次加工多片晶圆，极大的提高了芯片封装效率，解决了芯片封装时生产效率低下的问题。
附图说明
[0031]图1为本申请实施例提供的一种芯片封装方法流程示意图；
[0032]图2为本申请实施例提供的一种芯片封装载体示意图；
[0033]图3为本申请实施例提供的一种载体放置于加工平面的侧视图；
[0034]图4为本申请实施例提供的一种芯片封装方法晶圆放置示意图；
[0035]图5为本申请实施例提供的一种真空覆膜层示意图。
具体实施方式
[0036]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例的附图，对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请的保护范围。
[0037]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0038]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0039]下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的碳化硅晶片及其退火激活方法进行详细地说明。
[0040]参考图1示出了本申请实施例提供的芯片封装方法的流程图示意，所述方法包括：
[0041]步骤101，在载体上开设至少两个贯通槽。
[0042]具体的，参考图2示出了载体示意图(俯视图)，载体20上开设了2个贯通槽21、22，值得注意的是可以根据加工需要开设如4个、5个、8个等不同数量的贯通槽。
[0043]步骤102，将所述载体放置于加工平面。
[0044]具体的，参考图3示出了载体放置于加工平面的侧视图，载体20放置于加工平面30上，加工平面30用于对载体20，以及置入载体的晶圆进行支撑，以便于在进行加工时，晶圆
以及载体位置的稳定。
[0045]步骤103，将待封装晶圆插入载体上的开槽内。
[0046]具体的，参考图4示出了封装晶圆(41、42)插入所述载体20上的开槽内的状态，封装晶圆与载体此时都放置于加工平面上，加工平面对晶圆与载体起到支撑与稳定作用；步骤102与步骤103之间无顺序限制，可以先将载体放置于加工平面后，再将晶圆从载体的贯通槽顶部插入所述载体，也可以将晶圆插入载体的贯通槽后，将所述晶圆和载体一起放置于所述加工平面。
[0047]值得注意的是，插入带封装晶圆时，要注意所述带封装晶圆与所述贯通槽的尺寸匹配。
[0048]步骤104，对所述待封装晶圆进行真空覆膜，在待封装晶圆的顶面和侧面形成覆膜层。
[0049]示例性的，参考图5示出了真空覆膜层示意图，待封装晶圆(41、42)的顶部，以及侧面被形成覆膜层，图中加粗虚线为覆膜层示意。
[0050]步骤105，对所述待封装晶圆进行加工，加工完成后将所述待封装晶圆从所述载体内取出。
[0051]示例性的，可以通过激光切割将所述待封装晶圆从所述载体内取出。
[0052]通过上述步骤101
‑
105能够实现了一次加工多片晶圆，极大的提高了芯片封装效率，解决了芯片封装时生产效率低下的问题。
[0053]可选的，所述至少两个贯通槽中具有至少两个尺寸不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括：在载体上开设至少两个贯通槽；将所述载体放置于加工平面；将待封装晶圆插入载体上的开槽内；对所述待封装晶圆进行真空覆膜，在待封装晶圆的顶面和侧面形成覆膜层；对所述待封装晶圆进行加工，加工完成后将所述待封装晶圆从所述载体内取出。2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述至少两个贯通槽中具有至少两个尺寸不同的贯通槽。3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述载体的材质包括玻璃、PCB板或钢板。4.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述对所述待封装晶圆进行真空覆膜包括：在所述载体的顶面放置覆膜材料，进行加热使所述覆膜材料覆盖至所述待封装晶圆的顶面及侧面；所述覆膜材料为热固光敏材料。5.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述对所述待封装晶圆进行加工包括：在所述待封装晶圆顶面的覆膜层之上形成钝化层。6.根据权利要求1所述的芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔志勇，胡理科，李高林，隆清德，
申请(专利权)人：成都奕斯伟系统集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：