半导体结构的制备方法技术

本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底，且于所述基底上形成金属层；于所述金属层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光、显影，以于所述光刻胶层内形成凹槽；对形成有凹槽的光刻胶层进行刻蚀，去除凹槽底部光刻胶，形成图形化光刻胶，所述图形化光刻胶具有开口，开口暴露所述金属层；基于所述图形化光刻胶，对金属层进行刻蚀，以形成金属垫。在光刻胶层内形成凹槽使得凹槽底部的光刻胶被保留，此时，被保留的光刻胶可以有效保护金属层不与显影液反应，进而保护金属垫不产生杂质残渣。因此，本实施例中的半导体结构可以改善光电二极管的响应时间，从而提高图像传感器工艺的良率，改善器件的性能。改善器件的性能。改善器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体结构的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体结构（如图像传感器）中，通常通过金属垫（例如铝垫）与外部电路连接。金属垫的制作过程通常为：首先，形成金属层，并在金属层上形成光刻胶层；然后，对光刻胶层进行曝光、显影，形成图形化光刻胶层；最后，基于图形化光刻胶层，对金属层进行刻蚀形成金属垫。
[0003]然而，在显影的过程中，金属层会与显影液反应产生杂质残渣，杂质残渣会影响器件的性能。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对传统技术中金属层与显影液反应产生杂质残渣的问题提供一种半导体结构的制备方法。
[0005]为了实现上述目的，本申请提供了一种半导体结构的制备方法，包括如下步骤：提供基底，且于所述基底上形成金属层；于所述金属层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光、显影，以于所述光刻胶层内形成凹槽；对形成有凹槽的光刻胶层进行刻蚀，去除凹槽底部光刻胶，形成图形化光刻胶，所述图形化光刻胶具有开口，开口暴露所述金属层；基于所述图形化光刻胶，对金属层进行刻蚀，以形成金属垫。
[0006]上述半导体结构的制备方法，在光刻胶层内形成凹槽使得凹槽底部的光刻胶被保留，此时，被保留的光刻胶可以有效保护金属层不与显影液反应，进而保护金属垫不产生杂质残渣。因此，本实施例中的半导体结构可以改善光电二极管的响应时间，从而提高图像传感器工艺的良率，改善器件的性能。
[0007]在其中一个实施例中，对所述光刻胶层进行曝光、显影，以于所述光刻胶层内形成凹槽，包括如下步骤：确定所述光刻胶层内的曝光焦点的位置；基于所述曝光焦点，对所述光刻胶层进行曝光、显影，以于所述光刻胶层内形成凹槽。
[0008]在其中一个实施例中，所述光刻胶层的厚度为aμm，所述曝光焦点位于距光刻胶层上表面a/3
±
0.5μm的位置处。
[0009]在其中一个实施例中，所述光刻胶层包括第一光刻胶层与第二光刻胶层，于所述金属层上形成光刻胶层包括如下步骤：于所述金属层上形成第二光刻胶层；于所述第二光刻胶层上形成第一光刻胶层。
[0010]在其中一个实施例中，对所述光刻胶层进行曝光、显影，以于所述光刻胶层内形成凹槽，还包括如下步骤：对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，形成第一图形化光刻胶层，所述第一图形化光刻胶层具有开口，开口暴露所述第二光刻胶层。
[0011]在其中一个实施例中，所述第一光刻胶层与第二光刻胶层均采用正性光刻胶，所述第一光刻胶层的曝光能量阈值小于所述第二光刻胶层的曝光能量阈值。
[0012]在其中一个实施例中，所述第一光刻胶层采用正性光刻胶，所述第二光刻胶层采用负性光刻胶。
[0013]在其中一个实施例中，所述凹槽的深度大于阈值厚度，所述阈值厚度为图形化光刻胶作为刻蚀阻挡层的最小厚度。
[0014]在其中一个实施例中，所述凹槽的底角为90
°
~95
°
。
[0015]在其中一个实施例中，所述金属垫包括铝垫。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为一实施例中提供的半导体结构的制备方法的流程图；图2为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法步骤S10中所得结构的截面结构示意图；图3为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法步骤S30中所得结构的截面结构示意图；图4为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法步骤S40中所得结构的截面结构示意图；图5为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法步骤S50中所得结构的截面结构示意图；图6为另一个实施例中提供的半导体结构的制备方法步骤S21中所得结构的截面结构示意图；图7为另一个实施例中提供的半导体结构的制备方法步骤S30中所得结构的截面结构示意图；图8为另一个实施例中提供的半导体结构的制备方法步骤S40中所得结构的截面结构示意图；图9为另一个实施例中提供的半导体结构的制备方法步骤S50中所得结构的截面结构示意图。
[0018]附图标记说明：10
‑
基底，21
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金属层，22
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金属垫，31
‑
光刻胶层，311
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第一光刻胶层，312
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第二光刻胶层，32
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图形化光刻胶层，321
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第一图形化光刻胶层，322
‑
第二图形化光刻胶层。
具体实施方式
[0019]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0020]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0021]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、 第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0022]空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0023]在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底，且于所述基底上形成金属层；于所述金属层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光、显影，以于所述光刻胶层内形成凹槽；对形成有凹槽的光刻胶层进行刻蚀，去除凹槽底部光刻胶，形成图形化光刻胶，所述图形化光刻胶具有开口，开口暴露所述金属层；基于所述图形化光刻胶，对金属层进行刻蚀，以形成金属垫。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行曝光、显影，以于所述光刻胶层内形成凹槽，包括如下步骤：确定所述光刻胶层内的曝光焦点的位置；基于所述曝光焦点，对所述光刻胶层进行曝光、显影，以于所述光刻胶层内形成凹槽。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为aμm，所述曝光焦点位于距光刻胶层上表面a/3
±
0.5μm的位置处。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层包括第一光刻胶层与第二光刻胶层，于所述金属层上形成光刻胶层包括如下步骤：于所述金属层上形成第二光刻胶层；于所述第二光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张祥平，林士程，古哲安，李海峰，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：