一种多功能偏置试验方法技术

本发明专利技术公开了一种多功能偏置试验方法，包括试验器件、单刀双掷继电器K、VD电源、VG电源、D端单片机、G端单片机、主控单片机，所述试验器件为待测器件，所述试验器件设有D极与G极，所述单刀双掷继电器K分别连接所述试验器件的所述D极与G极，所述单刀双掷继电器K匹配设有VD电源、VG电源，所述VD电源匹配设有D端单片机，所述VG电源匹配设有G端单片机。有益效果：实现带VG夹断的反偏、不带VG夹断的反偏和栅偏自动切换，极大地减少了人力和设备成本。极大地减少了人力和设备成本。极大地减少了人力和设备成本。

【技术实现步骤摘要】
一种多功能偏置试验方法


[0001]本专利技术涉及检测系统
，具体来说，涉及一种多功能偏置试验方法。

技术介绍

[0002]目前，可靠性实验设备中，IGBT模块的反偏和栅片试验，一般是需要不同的试验设备分开进行，缺点是需要人工手动切换，试验时间较长，不符合产线快速批量试验的需求。
[0003]公告号为：CN 106168647 B的一种IGBT老化状态检测系统，包括测试电源、测试IGBT、可输出连续变化电流的可变驱动电路、导通驱动电路、采集单元以及上位主机；所述测试IGBT的发射极与待测IGBT的集电极连接，测试IGBT的集电极与测试电源的正极连接，测试电源的负极与待测IGBT的发射极连接，所述可变驱动电路的输出端与测试IGBT的栅极连接，导通驱动电路的输出端与待测IGBT的栅极连接，所述采集单元采集待测IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce以及集电极电流Ic并输出到上位主机；能够对于IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce进行连续变化测量，从而能够准确判断IGBT的老化状态。
[0004]但是其测试端极之间无法进行自动切换，需要频繁的通过人工的方式进行切换。
[0005]针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

[0006]（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了多功能偏置试验方法，具备反偏和栅偏自动切换的功能，进而解决现有技术中存在的问题。
[0007]（二）技术方案为实现上述反偏和栅偏自动切换的功能，本专利技术采用的具体技术方案如下：一种多功能偏置试验方法，包括试验器件、单刀双掷继电器K、VD电源、VG电源、D端单片机、G端单片机、主控单片机，所述试验器件为待测器件，所述试验器件设有D极与G极，所述单刀双掷继电器K分别连接所述试验器件的所述D极与G极，所述单刀双掷继电器K匹配设有VD电源、VG电源，所述VD电源匹配设有D端单片机，所述VG电源匹配设有G端单片机。
[0008]进一步的，所述D极电流采样与所述VD电源相匹配，所述G极电流采样与所述VG电源相匹配。
[0009]进一步的，所述D极电流采样连接设有整流电路，所述G极电流采样连接设有放大电路，所述放大电路与所述整流电路之间连接设有过度电路。
[0010]进一步的，所述整流电路内包括电容C1、肖特基二极管V21、信号二极管V1、电阻R1、电阻R2，其中D极采样电流的端口连接肖特基二极管V21的正极。
[0011]进一步的，所述放大电路内包括稳压二极管、电阻R226、电容C212、电阻R224、电容C214、第一运算放大器，其中第一运算放大器的两端设有8V电压，G极采样电流端口连接稳压二极管VZ37的正极端。
[0012]进一步的，所述过度电路内包括电阻R223、第二运算放大器、肖特基二极管V61、肖
特基二极管V59、电阻R228、电容C216、电阻R318、电容C380、开关K51、线圈、整流二极管，其中第二运算放大器的两端设有8V电压，同时整流二极管以及线圈的一端连接12V电压，同时另一端连接CTL_channel。
[0013]进一步的，所述电容C1、电容C212、电容C214的电容量均为10uF，所述电阻R149、电阻R224、电阻R226、电阻R223、电阻R228、电阻R318的阻值分别为47KΩ、5.1KΩ、1KΩ、5.1KΩ、2MΩ、2KΩ。
[0014]进一步的，所述稳压二极管分为VZ35二极管、VZ37二极管，所述单刀双掷继电器K包括继电器K1以及继电器K2，所述继电器K1匹配连接设有CTL_D，所述继电器K2匹配连接设有CTL_G。
[0015]进一步的，所述试验器件包括引脚G、引脚D、引脚S，所述引脚G与继电器K2连接，所述引脚D与继电器K1连接。
[0016]（三）有益效果与现有技术相比，本专利技术提供了多功能偏置试验方法，具备以下有益效果：本方案试验中，试验器件D和G极分别接了单刀双掷继电器，实现G极连VG电源或S极，D极连VD电源或S极，实现带VG夹断的反偏、不带VG夹断的反偏和栅偏自动切换，极大地减少了人力和设备成本。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是根据本专利技术实施例的多功能偏置试验方法的主电路图；图2是根据本专利技术实施例的多功能偏置试验方法的局部电路放大图；图3是根据本专利技术实施例的多功能偏置试验方法的过度电路示意图；图4是根据本专利技术实施例的多功能偏置试验方法的放大电路示意图；图5是根据本专利技术实施例的多功能偏置试验方法的整流电路示意图。
具体实施方式
[0019]为进一步说明各实施例，本专利技术提供有附图，这些附图为本专利技术揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理，配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本专利技术的优点，图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
[0020]现结合附图和具体实施方式对本专利技术进一步说明，如图1
‑
5所示，包括试验器件、单刀双掷继电器K、VD电源、VG电源、D端单片机、G端单片机、主控单片机，试验器件为待测器件，试验器件设有D极与G极，单刀双掷继电器K分别连接试验器件的D极与G极，单刀双掷继电器K匹配设有VD电源、VG电源，VD电源匹配设有D端单片机，VG电源匹配设有G端单片机，待测器件的G的引脚S连接地线GND，且继电器K1与继电器K2的一端同样连接地线GND，继电器K1的另一端连接电阻R149的一端，继电器K2的另一端连接电阻R2的另一端。
[0021]D极电流采样与VD电源相匹配，G极电流采样与VG电源相匹配。D极电流采样连接设有整流电路，G极电流采样连接设有放大电路，放大电路与整流电路之间连接设有过度电路。整流电路内包括电容C1、肖特基二极管V21、信号二极管V1、电阻R1、电阻R2，整流电路中电容C1的两端与肖特基二极管并联，肖特基二极管的一端与电阻R1的一端连接，肖特基二极管V21的另一端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电阻R1的另一端以及信号二极管V1的一端相连接，信号二极管V1另一端连接AP。
[0022]放大电路内包括稳压二极管、电阻R226、电容C212、电阻R224、电容C214、第一运算放大器，放大电路中稳压二极管VZ35的一端与稳压二极管VZ37的一端相连接，稳压二极管VZ37的另一端分别与电阻R226的一端、电容C212的一端、第一运算放大器的引脚2相连接，电阻R226的另一端与第一运算放大器的引脚6相连接，电容C212的另一端与电阻R224的一端相连接，电阻R224的另一端分别与电容C214的一端以及第一运算放大器的引脚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多功能偏置试验方法，其特征在于，包括试验器件、单刀双掷继电器K、VD电源、VG电源、D端单片机、G端单片机、主控单片机，所述试验器件为待测器件，所述试验器件设有D极与G极，所述单刀双掷继电器K分别连接所述试验器件的所述D极与G极，所述单刀双掷继电器K匹配设有VD电源、VG电源，所述VD电源匹配设有D端单片机，所述VG电源匹配设有G端单片机。2.根据权利要求1所述的一种多功能偏置试验方法，其特征在于，所述D极电流采样与所述VD电源相匹配，所述G极电流采样与所述VG电源相匹配。3.根据权利要求2所述的一种多功能偏置试验方法，其特征在于，所述D极电流采样连接设有整流电路，所述G极电流采样连接设有放大电路，所述放大电路与所述整流电路之间连接设有过度电路。4.根据权利要求3所述的一种多功能偏置试验方法，其特征在于，所述整流电路内包括电容C1、肖特基二极管V21、信号二极管V1、电阻R1、电阻R2。5.根据权利要求4所述的一种多功能偏置试验方法，其特征在于，所述放大电路内包括稳压二极管、电阻R226、电容C212、电阻R224、电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：林曙亮，叶向宏，卜建明，贺庭玉，廖剑，余亮，
申请(专利权)人：杭州中安电子有限公司，
类型：发明
国别省市：