封装框架、封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供一种封装框架、封装结构及封装方法，封装框架包括：基岛和设置于所述基岛外侧的多个引脚；预塑封层，所述预塑封层塑封所述基岛和所述多个引脚；其中，所述基岛的厚度方向上具有露出的导热表面，所述导热表面包括第一减薄区，所述第一减薄区的表面低于所述导热表面。于封装框架的基岛的露出的导热表面上设置第一减薄区，第一减薄区在封装框架和电路板的焊接制程中的可增加封装框架和电路板的焊接稳定性。焊接稳定性。焊接稳定性。

【技术实现步骤摘要】
封装框架、封装结构及封装方法


[0001]本专利技术属于半导体封装
，特别关于一种封装框架、封装结构及封装方法。

技术介绍

[0002]随着封装集成度越来越高，整板封装尺寸也逐渐趋向于大型化。由于封装产品逐渐被应用在汽车电子等可靠性要求较高的场合，受限于封装材料本身或封装结构中存在的应力，会导致封装产品存在翘曲问题。而封装产品的翘曲，增大了封装产品后续焊接制程的挑战性，造成与PCB板焊接过程中存在开裂风险。
[0003]另外，现有QFN(Quad Flat No
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leads Package，方形扁平无引脚封装)封装产品存在塑封体切割后金属引脚和基岛的散热片在PCB板上贴装时爬锡高度较低，再加上封装产品本身的翘曲问题，容易造成焊接不良，进而造成封装产品失效等问题。
[0004]因此需要提出一种新的封装框架，以克服翘曲导致的焊接制程异常和产品失效问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种封装框架、封装结构及封装方法，以克服现有的贴装型封装过程中，因封装框架或者封装结构翘曲导致的焊接异常和产品失效问题。
[0006]为解决上述问题，本专利技术技术方案提供一种封装框架，包括：基岛和设置于所述基岛外侧的多个引脚；预塑封层，所述预塑封层塑封所述基岛和所述多个引脚；其中，所述基岛的厚度方向上具有露出的导热表面，所述导热表面包括第一减薄区，所述第一减薄区的表面低于所述导热表面。
[0007]作为可选的技术方案，所述第一减薄区位于所述导热表面的周边区域。
[0008]作为可选的技术方案，所述第一减薄区为环形凹陷。
[0009]作为可选的技术方案，所述环形凹陷连通所述基岛的侧边，在所述基岛的厚度方向上，所述基岛的周边区域为阶梯结构。
[0010]作为可选的技术方案，所述第一减薄区为多个内凹陷，多个所述内凹陷沿着所述周边区域间隔布置。
[0011]作为可选的技术方案，每一引脚包括第二减薄区，所述第二减薄区和所述第一减薄区位于同一侧。
[0012]作为可选的技术方案，所述预塑封层包括内圈预塑封层和外圈预塑封层，所述第一减薄区位于所述内圈预塑封层和所述外圈预塑封层之间。
[0013]作为可选的技术方案，在预塑封所述基岛和所述引脚的过程中一并在所述封装框架上形成有挡墙。
[0014]本专利技术还提供一种封装结构，所述封装结构包括：如上所述的封装框架，所述封装框架包括基岛，所述基岛的厚度方向上具有一露出的导热表面；芯片和/或元器件，所述芯片和/或元器件贴装于所述基岛上。
[0015]作为可选的技术方案，还包括盖体，所述盖体设置固定连接所述封装框架，所述盖体和所述封装框架之间共同界定空腔，所述芯片和/或元器件位于所述空腔中。
[0016]本专利技术还提供一种封装方法，所述封装方法包括：
[0017]预塑封基岛和多个引脚；
[0018]于所述基岛厚度方向上露出的导热表面上形成第一减薄区，形成封装框架。
[0019]作为可选的技术方案，还包括：半蚀刻所述基岛的所述导热表面形成凹槽和围绕所述凹槽外侧的外圈金属；预塑封半蚀刻后的所述基岛和所述多个引脚，形成内圈预塑封层和外圈预塑封层；半蚀刻位于所述内圈预塑封层和所述外圈预塑封层之间的所述外圈金属形成所述第一减薄区。
[0020]作为可选的技术方案，还包括：半蚀刻所述多个引脚，于每一引脚上形成第二减薄区；所述第二减薄区和所述第一减薄区位于同一侧。
[0021]作为可选的技术方案，还包括：贴装芯片和/或元器件至所述基岛上与所述导热表面相背的贴装表面上；打线连接所述芯片和/或元器件和所述多个引脚；提供盖体，固定所述盖体至所述封装框架的上方，形成封装结构；其中，所述盖体和所述封装框架共同界定一空腔，所述芯片和/或元器件位于所述空腔中。
[0022]与现有技术相比，本专利技术提供一种封装框架、封装结构及封装方法，于封装框架的基岛的露出的导热表面上设置连续凹槽凹槽，用于克服封装框架预塑封制程中的翘曲，同时，于封装框架的基岛的露出的导热表面上设置的第一减薄区在封装框架和电路板的焊接制程中的可增加封装框架和电路板的焊接稳定性。
附图说明
[0023]图1为本专利技术一实施例中提供的封装框架的仰视示意图。
[0024]图2为图1中封装框架的侧视示意图。
[0025]图3为图1中封装框架的制作过程的侧视示意图。
[0026]图4为本专利技术另一实施中的提供封装框架的仰视示意图。
[0027]图5为本专利技术又一实施中的提供封装框架的侧视示意图。
[0028]图6为本专利技术提供的封装结构的侧视示意图。
[0029]图7为图6中封装结构涂布焊锡后的侧视示意图。
[0030]图8为图7中封装结构的制作过程的侧视示意图。
[0031]图9为本专利技术一实施例中提供的封装方法的流程图。
具体实施方式
[0032]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合实施例及附图，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0033]本专利技术的目的之一在于提供一种封装框架，通过在封装框架的基岛的外露的导热表面一侧进行第一次减薄处理，实现基岛的应力降低克服塑封制程的翘曲问题，同时，将第二次减薄处理的区域设置在基岛的外周边缘位置，且位于预塑封制程后的内圈预塑封层和外圈预塑封层之间，一方面，在电路板焊接制程中，第二次减薄在导热表面上形成的减薄区
可以增加焊锡的爬升高度，增加封装框架和电路板的焊接强度，提升封装产品的稳定性，另一方面，由于基岛的导热表面面积根据不同产品有不同的设计需求，而本专利技术的内圈预塑封层的面积可以根据基岛的导热表面面积进行调整，从而保证在基岛的导热表面一侧的机械强度不会下降。
[0034]如图1和图2所示，本专利技术一实施例中提供一种封装框架10，包括基岛1和位于基岛1外侧的多个引脚2；预塑封层5塑封基岛1和多个引脚2；基岛1的厚度方向上具有露出的导热表面4，导热表面4上包括第一减薄区4a，第一减薄区4a的表面4b低于导热表面4。
[0035]换言之，第一减薄区4a使得基岛1对应区域的厚度较其他未减薄区域的厚度小，即，表面4b朝向基岛1的内部延伸，并低于导热表面4，进而两者之间形成一高度差。
[0036]进一步，第一减薄区4a沿着导热表面4的周边区域设置，主要考虑为，在导热表面4的周边进行减薄，不会影响导热表面4的中间用于导热的部分区域的面积，即不对基岛1原先的导热效率产生明显的影响。
[0037]结合图1和图2，第一减薄区4a例如是环形凹陷，环形凹陷和基岛1的侧边连通，在封装框架和电路板焊接制程中，有助于增加锡膏的爬升高度，对于封装框架和电路板的焊接稳定性有明显提升。另外，该凹陷同时可以为此区域中的锡膏的焊膏内的气泡的排出提供空间，因此对焊接品质的也存在有益效果。
[0038]可以理解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装框架，其特征在于，包括：基岛和设置于所述基岛外侧的多个引脚；预塑封层，所述预塑封层塑封所述基岛和所述多个引脚；其中，所述基岛的厚度方向上具有露出的导热表面，所述导热表面包括第一减薄区，所述第一减薄区的表面低于所述导热表面。2.根据权利要求1所述的封装框架，其特征在于，所述第一减薄区位于所述导热表面的周边区域。3.根据权利要求2所述的封装框架，其特征在于，所述第一减薄区为环形凹陷。4.根据权利要求3所述的封装框架，其特征在于，所述环形凹陷连通所述基岛的侧边，在所述基岛的厚度方向上，所述基岛的周边区域为阶梯结构。5.根据权利要求2所述的封装框架，其特征在于，所述第一减薄区为多个内凹陷，多个所述内凹陷沿着所述周边区域间隔布置。6.根据权利要求1所述的封装框架，其特征在于，每一引脚包括第二减薄区，所述第二减薄区和所述第一减薄区位于同一侧。7.根据权利要求1所述的封装框架，其特征在于，所述预塑封层包括内圈预塑封层和外圈预塑封层，所述第一减薄区位于所述内圈预塑封层和所述外圈预塑封层之间。8.根据权利要求1所述的封装框架，其特征在于，在预塑封所述基岛和所述引脚的过程中一并在所述封装框架上形成有挡墙。9.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：如权利要求1
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8中任一项所述的封装框架，所述封装框架包括基岛，所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡海华，黄桂华，张月升，濮虎，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：